会場別 Index

会場名 8月29日(月) 8月30日(火) 8月31日(水)  9月1日(木) 9月2日(金)
午前 午後 午前 午後 午前 午後 午前 午後 午前 午後
A
理1
1F-11
    8.1 プラズマ生成・制御   14.3 プロセス技術・界面制御 14.3 プロセス技術・界面制御 7.6 イオンビーム一般 7.6 イオンビーム一般 7.6 イオンビーム一般  
B
理1
1F-12
チュートリアル「面発光レーザフォトニクス−基礎と応用−」 チュートリアル「メタマテリアル」 2.1 計測・制御技術(ショート口頭講演)
2.2 精密計測・ナノ計測
7.1 X線技術
7.8 ビーム応用一般・新技術
4.7 レーザー・プロセッシング   4.7 レーザー・プロセッシング 3.6 生体・医用光学 3.6 生体・医用光学 3.6 生体・医用光学
C
理先端
4F-S401
  業績賞受賞記念講演   評議員・代議員合同会議,論文賞授賞式,フェロー表彰式,女性研究者奨励育成貢献賞授賞式 6.1 強誘電体薄膜 6.1 強誘電体薄膜 6.1 強誘電体薄膜 6.1 強誘電体薄膜 13.4 配線技術 13.4 配線技術
D
地域3
1F-A31
    6.4 薄膜新材料 6.4 薄膜新材料 6.4 薄膜新材料 6.4 薄膜新材料 12.3 電子機能材料・デバイス 12.3 電子機能材料・デバイス 13.7 シミュレーション  
E
地域3
1F-A32
    合同セッションL(MEMS,NEMSの基礎と応用:異種機能集積化) 合同セッションL(MEMS,NEMSの基礎と応用:異種機能集積化)   APEX/JJAPフレンドシップミーティング 17.3 新機能探索・基礎物性評価 17.3 新機能探索・基礎物性評価 17.3 新機能探索・基礎物性評価  
F
地域3
1F-A34
    9.2 微粒子・粉体
9.4 熱電変換
9.4 熱電変換 4.5 テラヘルツ全般・非線型光学 4.5 テラヘルツ全般・非線型光学 4.5 テラヘルツ全般・非線型光学 4.5 テラヘルツ全般・非線型光学 4.5 テラヘルツ全般・非線型光学 4.5 テラヘルツ全般・非線型光学
G
地域3
2F-B31
            12.6 高分子・ソフトマテリアル 12.6 高分子・ソフトマテリアル    
H
基盤1
1F-115
  グラフェンエピタキシーの現状と将来展望 14.6 化合物太陽電池 14.6 化合物太陽電池 14.6 化合物太陽電池 14.6 化合物太陽電池 14.6 化合物太陽電池 14.4 超高速・機能デバイス 14.4 超高速・機能デバイス 14.4 超高速・機能デバイス
J
基盤1
1F-116
  チュートリアル「表面プラズモンの基礎」 4.3 レーザー装置・材料 4.3 レーザー装置・材料 4.3 レーザー装置・材料 2.3 計測標準   13.1 基礎物性・評価 13.1 基礎物性・評価 13.1 基礎物性・評価
K
基盤1
2F-121
  放射線賞受賞記念講演
広がる放射線・アイソトープの利用〜環境・医療・加速器・材料分析科学への展開〜
  7.5 ビーム・光励起表面反応 17.4 デバイス応用 17.4 デバイス応用 14.2 超薄膜・量子ナノ構造 14.2 超薄膜・量子ナノ構造 14.2 超薄膜・量子ナノ構造 14.2 超薄膜・量子ナノ構造
L
基盤1
2F-122
  CIGS系太陽電池の作製プロセスの進展と残された課題 7.2 電子顕微鏡,評価,測定,分析 「8プラズマエレクトロニクス」分科内招待講演 12.11 特定テーマ「有機太陽電池」 12.11 特定テーマ「有機太陽電池」 12.11 特定テーマ「有機太陽電池」 12.11 特定テーマ「有機太陽電池」 12.11 特定テーマ「有機太陽電池」 12.11 特定テーマ「有機太陽電池」
M
基盤1
3F-131
  太陽電池技術の最新の動向 8.4 プラズマエッチング   8.4 プラズマエッチング 8.4 プラズマエッチング 13.5 Siプロセス技術 13.5 Siプロセス技術 13.5 Siプロセス技術 3.5 Siプロセス技術
N
基盤1
3F-132
光科学のフロンティア-若手研究者による分野横断・融合と新展開- 光科学のフロンティア-若手研究者による分野横断・融合と新展開- スクール「グラフェンの基礎から応用まで」 合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」 合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」 合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」 合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」 合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」 合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」
Q
基盤1
3F-133
スクール「スピントロニクス、これまでの20年、これからの20年」 M&BE分科会奨励賞受賞記念講演

12.8 有機EL(ショート口頭講演)
  13.3 絶縁膜技術 13.3 絶縁膜技術 13.3 絶縁膜技術 13.3 絶縁膜技術    
R
基盤1
3F-134
スクール「励起ナノプロセス入門-基礎と将来展望-」 12.9 有機トランジスタ(ショート口頭講演)   12.9 有機トランジスタ(ショート口頭講演) 12.5 液晶 12.9 有機トランジスタ 12.9 有機トランジスタ 12.9 有機トランジスタ  
S
地域1
1F-A1
  チュートリアル「単一の感受率テンソルによる巨視的マクスウェル方程式」 12.4 光機能材料・デバイス 12.4 光機能材料・デバイス 18.1 応用物理一般 18.1 応用物理一般 10.4 半導体・有機・光・量子スピントロニクス 10.4 半導体・有機・光・量子スピントロニクス 10.3 GMR・TMR・磁気記録技術 10.3 GMR・TMR・磁気記録技術
T
地域1
1F-A2
  チュートリアル「原子炉の物理と放射線」 1.1 放射線物理一般・検出器基礎 1.1 放射線物理一般・検出器基礎 1.2 検出器開発 1.2 検出器開発 1.3 放射線応用・発生装置・新技術 1.3 放射線応用・発生装置・新技術    
V
地域1
1F-A4
    12.1 作製技術 12.1 作製技術 12.1 作製技術 12.1 作製技術 12.10 ナノバイオテクノロジー M&BE分科会奨励賞受賞記念講演

12.10 ナノバイオテクノロジー
12.10 ナノバイオテクノロジー 12.10 ナノバイオテクノロジー
W
地域1
3F-C2
  チュートリアル「半導体の熱伝導と熱起電力:バルクからナノへ」 13.2 半導体表面 13.2 半導体表面 11.4 アナログ応用および関連技術 11.4 アナログ応用および関連技術 11.4 アナログ応用および関連技術 14.1 探索的材料物性 14.1 探索的材料物性 14.1 探索的材料物性
会場名 8月29日(月) 8月30日(火) 8月31日(水)  9月1日(木) 9月2日(金)
午前 午後 午前 午後 午前 午後 午前 午後 午前 午後
ZA
基盤2
1F-211
  超伝導検出器により拓く次世代先端計測分析技術 15.3 III-V族エピタキシャル結晶 15.3 III-V族エピタキシャル結晶 15.3 III-V族エピタキシャル結晶 15.3 III-V族エピタキシャル結晶 15.3 III-V族エピタキシャル結晶 15.2 II-VI族結晶 15.8 結晶評価,ナノ不純物・結晶欠陥 15.7 エピタキシーの基礎
ZB
基盤2
1F-213
ラマン分光技術の急展開:革新と波及 ラマン分光技術の急展開:革新と波及 15.6 IV族系化合物 15.6 IV族系化合物 15.6 IV族系化合物   12.2 評価・基礎物性 12.2 評価・基礎物性 12.2 評価・基礎物性 12.2 評価・基礎物性
ZC
基盤2
1F-214
  界面ナノ電子化学研究会企画 「固液界面現象の最前線 -青木秀充先生追悼シンポジウム-」 6.6 プローブ顕微鏡 6.6 プローブ顕微鏡 6.6 プローブ顕微鏡 6.6 プローブ顕微鏡 8.3 プラズマ成膜・表面処理(ショート口頭講演)      
ZD
基盤2
1F-212
  「大容量光通信技術の最新動向 ー100テラビット時代の幕開けー」 8.6 プラズマ現象・新応用・融合分野   8.6 プラズマ現象・新応用・融合分野 8.6 プラズマ現象・新応用・融合分野 8.6 プラズマ現象・新応用・融合分野      
ZE
基盤2
2F-221
ナノカーボン材料の最新動向(3):グラフェンおよびナノチューブ ナノカーボン材料の最新動向(3):グラフェンおよびナノチューブ 化合物半導体エレクトロニクス業績賞受賞記念講演

15.4 III-V族窒化物結晶
15.4 III-V族窒化物結晶 15.4 III-V族窒化物結晶 15.4 III-V族窒化物結晶 15.4 III-V族窒化物結晶 15.4 III-V族窒化物結晶 15.4 III-V族窒化物結晶 15.4 III-V族窒化物結晶
ZF
基盤2
2F-222
有機EL研究開発25年:これまでとこれから 有機EL研究開発25年:これまでとこれから 15.4 III-V族窒化物結晶 15.4 III-V族窒化物結晶 17.1 成長技術 17.1 成長技術 17.1 成長技術 17.1 成長技術 17.1 成長技術 17.1 成長技術
ZG
基盤3
1F-311
  チュートリアル「ナノ半導体のデバイス応用:トランジスタ応用を中心として」 12.7 生物・医用工学・バイオチップ 12.7 生物・医用工学・バイオチップ 12.7 生物・医用工学・バイオチップ 12.7 生物・医用工学・バイオチップ 12.7 生物・医用工学・バイオチップ 3.1 物理光学・光学基礎 16.2 プロセス技術・デバイス 16.2 プロセス技術・デバイス
ZH
基盤3
1F-312
  薄膜・表面物理分科会企画「放射光利用による材料・デバイス開発の最先端」 4.4 超高速・高強度レーザー 光・量子エレクトロニクス業績賞受賞記念講演

4.4 超高速・高強度レーザー
16.1 基礎物性・評価 16.1 基礎物性・評価 16.3 シリコン系太陽電池 16.3 シリコン系太陽電池 16.3 シリコン系太陽電池  
ZJ
基盤3
2F-321
  チュートリアル「化合物半導体電子デバイス:結晶成長からGaN HFETまで」 17.4 デバイス応用 17.4 デバイス応用 8.2 プラズマ診断・計測 3.8 光学新領域 11.3 臨界電流,超伝導パワー応用
11.3 臨界電流,超伝導パワー応用(ショート口頭講演)
5.1 半導体レーザー・発光/受光素子
5.2 光記録/ストレージ
18.3 新技術
18.4 トライボロジー
 
ZK
基盤3
2F-322
  III-V半導体MOVPE・HVPEの反応モデリングと装置設計 6.3 酸化物エレクトロニクス 6.3 酸化物エレクトロニクス 6.3 酸化物エレクトロニクス 6.3 酸化物エレクトロニクス 6.3 酸化物エレクトロニクス 6.3 酸化物エレクトロニクス 6.3 酸化物エレクトロニクス  
ZL
基盤3
2F-323
    光・量子エレクトロニクス業績賞受賞記念講演

7.3 リソグラフィ(ショート口頭講演)
3.2 材料光学 3.4 計測光学(ショート口頭講演) 3.5 情報光学 5.1 半導体レーザー・発光/受光素子 5.1 半導体レーザー・発光/受光素子    
ZM
基盤3
3F-331
8.5 プラズマナノテクノロジー Extended CMOSのためのDeterministicドーピングと単一ドーパントデバイス 7.7 微小電子源 7.7 微小電子源 11.5 接合,回路作製プロセスおよびデジタル応用 11.5 接合,回路作製プロセスおよびデジタル応用 11.5 接合,回路作製プロセスおよびデジタル応用 18.5 エネルギー変換・貯蔵
18.6 資源・環境
18.7 磁場応用  
ZN
基盤3
3F-332
8.1 プラズマ生成・制御 グリーン・ライフイノベーションに向けたプラズマプロセス応用技術とその展望 7.4 ナノインプリント 7.4 ナノインプリント 5.3 光制御 光・電子集積技術業績賞受賞記念講演

5.3 光制御
5.3 光制御 5.3 光制御 5.3 光制御 5.3 光制御
ZQ
基盤3
3F-333
    12.12 特定テーマ「次元制御有機ナノ材料」 12.12 特定テーマ「次元制御有機ナノ材料」 12.12 特定テーマ「次元制御有機ナノ材料」 9.3 ナノエレクトロニクス 9.3 ナノエレクトロニクス 9.3 ナノエレクトロニクス 9.5 新機能材料・新物性 9.5 新機能材料・新物性
ZR
人文
1F-103
不純物機能活性型半導体の物性制御とデバイス応用:21世紀型シリコンテクノロジーの構築を目指して   4.1 量子光学・原子光学   4.2 フォトニックナノ構造・現象 4.2 フォトニックナノ構造・現象 4.2 フォトニックナノ構造・現象 4.2 フォトニックナノ構造・現象 4.2 フォトニックナノ構造・現象  
ZS
人文
1F-104
    10.1 新物質創成(酸化物・ホイスラー・金属磁性体等) 10.1 新物質創成(酸化物・ホイスラー・金属磁性体等) 10.2 スピントルク・スピン流・回路・測定技術(ショート口頭講演) 11.1 基礎物性 11.1 基礎物性 11.1 基礎物性    
ZT
人文
2F-205
    17.2 構造制御・プロセス 17.2 構造制御・プロセス 11.2 薄膜,厚膜,テープ作製プロセスおよび結晶成長 11.2 薄膜,厚膜,テープ作製プロセスおよび結晶成長 11.2 薄膜,厚膜,テープ作製プロセスおよび結晶成長 4.6 レーザー分光応用・計測    
YB
文翔館
    超伝導分科会・応用物理学会東北支部共同企画 超伝導100周年特別シンポジウム「100年の歴史に学ぶ超伝導」〜新たな100年の発展に向けて〜 超伝導分科会・応用物理学会東北支部共同企画 超伝導100周年特別シンポジウム「100年の歴史に学ぶ超伝導」〜新たな100年の発展に向けて〜