7. ビーム応用

7.7 微小電子源

8月30日 10:00〜17:45  会場:基盤3-ZM

30a-ZM - 1〜11

  • 1原子サイズに先鋭化したW<111>エミッタの特性評価日本電子 庭田 章,笠原春生,長谷川憲一,佐藤智重,北村真一
  • 2モリブデン白金合金針からの電界電子放出早大院 中島 恵
  • 3Noble-metal-covered W tip単原子電子源の作製歩留まり向上の検討名城大理工1,早大先進理工2 ○(M1)中川達裕1,六田英治1,橋本 剛1,村田英一1,下山 宏1,大島忠平2
  • 4Nd oxide/W(100)低仕事関数陰極の検討室工大情電1,香川高専通信2 中根英章1,川久保貴史2
  • 5電界放出電子スピン分光法による単結晶マグネタイトウィスカー表面でのVerwey転移観測三重大院工1,三重大極限ナノエレセ2,静大電研3 永井滋一1,2,畑 浩一1,2,岡田守弘3,三村秀典3
  • 6電子ビーム誘起堆積三極構造Ptナノ電子源からの縞状電子放出パターンの観測阪大 北山智久,阿保 智,若家富士男,高井幹夫
  •  休憩 11:30〜11:45
  • 7赤外レーザ励起によるLiNbO3とLiTaO3からの電子放出とX線源への応用阪大極限 ○(M1)中浜弘介,加賀英一,木佐俊哉,阿保 智,若家冨士男,高井幹夫
  • 8微小電子源のためのガラス基板酸化チタンナノ構造の作製阪大極限センター 中谷卓央,若家冨士男,阿保 智,高井幹夫
  • 9還元した単層酸化グラフェンエッジからの電界電子放出米国ラトガーズ大1,大阪大2,英国インペリアル大3,東北大4,米国テキサス大5 山口尚登1,村上勝久2,江田剛輝3,藤田武志4,ペンフェイ グァン4,ウェイチャオ ワン5,チェン ゴン5,ジュリアン ボッセ1,スティーブ ミラー1若家冨士男2,ムゲ アシック5,キョンジェ チョ5,イベス シャバル5,陳 明偉4,高井幹夫2,マニッシュ チョワラ1
  • 10n型ダイヤモンド負の電子親和力表面からの電界電子放出機構産総研ナノチューブRC1,国際基督教大 2 山田貴壽1,長谷川雅考1,工藤唯義2,増澤智昭2,岡野 健2
  • 11n型多孔質Si断面電子放出素子の電気化学酸化処理効果沖縄高専 儀間弘樹,比嘉勝也
  •  昼食 13:00〜15:00

30p-ZM - 1〜10

  • 1オールシリコンフィールドエミッタアレイの電子放出特性改善京大院工1,住友精密工業2,日新イオン機器3,中部大工4 後藤康仁1,松岡 元2,小巻賢治2,酒井滋樹3,辻 博司1,石川順三4
  • 2大規模フィールドエミッタアレイのための電子減速電極系の開発京大院工1,中部大工2,日新イオン機器3 後藤康仁1,田口周平1,北川貴之1,石川順三2,池田啓太1,辻 博司1,酒井滋樹3
  • 3窒化ハフニウムフィールドエミッタアレイの高温下における絶縁性評価京大・院工 大上 航,安友佳樹,後藤康仁,辻 博司
  • 4真空トランジスタを用いた周波数混合器の実現に向けた制御電極の動作特性測定京大・院工 安友佳樹,大上 航,後藤康仁,辻 博司
  • 5静電レンズ一体型フィールドエミッタの作製II産総研1,静大電研2 長尾昌善1,吉田知也1,西  孝1,神田信子1,小池昭史2,根尾陽一郎2,三村秀典2
  • 6直立薄膜電子源作製プロセスの改良産総研 吉田知也,長尾昌善
  •  休憩 16:30〜16:45
  • 7苛酷環境下における転写モールド法アモルファスカーボンエミッタアレイの表面物性と電界電子放出安定性静岡大電研 文 宗鉉,中本正幸
  • 8転写モールド法極微小モリブテンエミッタアレイの電界電子放出特性静岡大電研 黒田 渉,文 宗鉉,中本正幸
  • 9導電性セラミックエミッタ用薄膜の熱処理静岡大電研 佐野恭央,文 宗鉉,中本正幸
  • 10耐環境性導電性セラミックエミッタアレイの電界電子放出安定性静岡大電研 鈴木謙太,文 宗鉉,中本正幸