6. 薄膜・表面

30a-D - 1〜15


• 1PLD法によるイルメナイト型ABO₃酸化物の相制御東工大応セラ ^○清水荘雄，星野晃大，谷口博基，谷山智康，伊藤　満
• 2PLD法によるLiNbO₃型酸化物薄膜の作製と物性評価東工大　応セラ研 ^○（M1）浜嵜容丞，清水荘雄，星野晃大，谷口博基，谷山智康，伊藤　満
• 3LiNbO₃とLi₂Oの同時スパッタで形成したLi₂O-Nb₂O₅薄膜中の相形成NTT MI研 ^○赤沢方省
• 4重力場支援レーザーアブレーション法による組成傾斜薄膜形成に関する考察九大院工 ^○西山貴史，梶原隆司，永山邦仁
• 5水素炎反応性フレーム溶射法で作製した金属酸化物膜の特性長岡技科大¹，中部キレスト²，日鉄ハード^{3 ○}関矢徹雄¹，外山　歩¹，長谷部康博¹，中村　淳^1,2，野口正広³，Yu Li^1,3，大塩茂夫¹，赤坂大樹¹，齋藤秀俊¹
• 6イオン液体を介したTiO₂(110)表面上のAuナノ粒子固定位置制御名大院工¹，阪大院基礎工²，JST-CREST^{3 ○}鈴木秀士¹，太田康弘¹，岡崎健一¹，桑畑　進^2,3，鳥本　司^1,3
• 7凝集現象を用いた自己組織化Ag薄膜の基板依存性東大生研¹，芝浦工大²，韓国光云大^{3 ○}神子公男¹，末永　亮²，野瀬健二¹，具　正祐³，弓野健太郎²，光田好孝¹，河　在根³
• 8真空蒸着Au/Au-Pd-Sb膜の付着破壊によるナノリップル形成関東学院大工 ^○保坂哲也
•  休憩　11:00〜11:15
• 9Si-TFT用SRO/Tiボトムゲート電極とYSZゲート絶縁膜の作製北陸先端大 ^○森井健太，竹本和幸，堀田　將
• 10希塩酸を用いたITO 基板表面の最適化および有機薄膜太陽電池の特性評価愛知工大 ^○廣瀬頌次郎，小嶋憲三，水谷照吉，落合鎮康
• 11MOCVD法によるサファイア基板上への窒化亜鉛薄膜の成長(4)職業大 ^○柿下和彦，山中光樹
• 12反応性パルスDCスパッタリング法による(0001)Sapphire基板上(111)HfN膜のエピタキシャル成長北見工大 ^○李　継鵬，柳沢英人，佐々木克孝，阿部良夫
• 13La(Sr)MnO3/ZnO/サファイア基板積層膜の面直配向成長と最小公倍数格子マッチングの計算三重大工¹，リガク²，金沢工大³，タテホ化学⁴，河村産業^{5 ○}岡本晃暢¹，上原賢一¹，中村裕一¹，稲葉克彦²，遠藤和弘³，庭野一久⁴，與倉三好^1,5，遠藤民生¹
• 14IBS法で成長したSTO基板上のZnO薄膜の面直-面内配向性三重大工¹，産総研(つくば)²，豊島製作所³，東京工科大⁴，河村産業^{5 ○}上原賢一¹，中島智彦²，土屋哲男²，本林秀文³，毛塚博史⁴，與倉三好^1,5，遠藤民生¹
• 15プラズマ照射したPETフィルムの光学特性とFTIRスペクトル三重大¹，河村産業²，東大新領域³，SVD College^{4 ○}郭　　翔¹，林　拓郎²，與倉三好^1,2，上原賢一¹，中村吉伸³，Lakshmi Reddy⁴，遠藤民生¹
•  昼食　13:00〜15:00

30p-D - 1〜12

• 1新奇強誘電体ペロブスカイト型SrTaO_3-yN_y薄膜の誘電特性評価II東大院理¹，KAST²，東大工³，東大生研⁴，UTTAC^{5 ○（M2）}岡　大地^1,2，廣瀬　靖^1,2，伊藤誠二³，森田　明³，松崎浩之³，福谷克之⁴，石井　聡⁵，笹　公和⁵，関場大一郎⁵，長谷川哲也^1,2
• 2原子レベルで平坦なr面配向Cr₂O₃薄膜の作製条件探索日大 ^○黒田卓司，岩田展幸，高瀬浩一，山本　寛
• 3ペチーニ法により作製したターゲットを用いたLaFeO₃薄膜のパルスレーザー堆積法による作製と評価日大理工¹，日大文理^{2 ○}渡部雄太¹，野呂田健人¹，土屋善人¹，岩田展幸¹，橋本拓也²，山本　寛¹
• 4ナノ粒子光反応法における特異な結晶子成長及び光触媒薄膜への応用産総研 ^○中島智彦，喜多村卓也，土屋哲男
• 5光学薄膜用ガラス基板の表面状態の評価東海大 ^○中山　俊，室谷裕志
• 6パルスレーザ堆積法におけるレーザ強度・レーザ照射面積がハイドロキシアパタイト薄膜の化学組成に及ぼす影響近大生物理工 ^○吉川亮太，中島浩之，楠　正暢，速水　尚，本津茂樹，西川博昭
•  休憩　16:30〜16:45
• 7エピタキシャル成長した機能性酸化物薄膜を用いたフレキシブルデバイス近大生物理工 ^○森田祐輔，楠　正暢，本津茂樹，西川博昭
• 8LaFeO₃/SrTiO_3-δの電気・磁気特性近大生物理工¹，阪大レーザー研²，阪大産研³，JST さきがけ^{4 ○}井谷章也¹，川山　巌^2,4，神吉輝夫³，楠　正暢¹，本津茂樹¹，田中秀和³，斗内政吉²，西川博昭¹
• 9メモリスタの物理起源阪大産研¹，ＪＳＴさきがけ²，建国大^{3 ○}長島一樹¹，柳田　剛^1,2，岡　敬祐¹，金井真樹¹，Annop Klamchuen¹，Jin-soo Kim³，Bae Ho Park³，川合知二^1,3
• 10高温斜め蒸着によるナノウィスカ成長のモンテカルロシミュレーション京大院・工 ^○鈴木基史，喜多　僚，中嶋　薫，木村健二
• 11第一原理計算に基づくh-BCNの電子状態解析阪大院工¹，JST CREST^{2 ○}大見剛史¹，鎌倉良成^1,2
• 12軟Ｘ線吸収分光法によるＢＮ薄膜の結晶構造の評価兵庫県立大高度研¹，兵庫県立大院工^{2 ○}新部正人¹，小高拓也¹，堀　聡子²，井上尚三²

31a-D - 1〜13


• 1「薄膜・表面分科内招待講演」（15分）
  多結晶ガリウム添加酸化亜鉛透明導電膜での粒界におけるキャリア輸送高知工科大総研 ^○山本哲也，宋　華平，牧野久雄，山本直樹
• 2MgO Prepared on Si(001) Substrate: Epitaxial Film & Nano Cube神奈川県産技センター¹，茨城大²，東工大^{3 ○}金子　智^1,3，伊藤　健¹，秋山賢輔¹，曽我雅康¹，本泉　佑¹，安井　学¹，小沢　武¹，平林康男¹，永野隆敏²，舟窪　浩³，吉本　護³
• 3パルスレーザー堆積法によるNbO₂薄膜の作製岡山大院自然¹，JST-CREST^{2 ○}村岡祐治^1,2，藤本佑樹¹，平松千明¹，脇田高徳¹，平井正明¹，横谷尚睦^1,2
• 4Variety of Uniaxial Oriented Dion-Jacobson Perovskite Thin Films on Glass Substrates Prepared by ELAMOD Process産総研 ^○中島智彦，土屋哲男
• 5ELAMOD法によるVO₂相の多結晶成長に及ぼすTiO₂バッファ層の影響産業技術総合研究所 ^○（P）西川雅美，中島智彦，土屋哲男
• 6PLD法による(111)配向エピタキシャルBaTiO₃-Bi(Mg_1/2Ti_1/2)O₃薄膜の誘電挙動東工大物創¹，山梨大^{2 ○（PC）}Mohamed-Tahar Chentir¹，Hidenori Tanaka¹，Yoshitaka Ehara¹，Tomoaki Yamada¹，Satoshi Wada²，Keisuke Yamato²，Hiroshi Funakubo¹
• 7「薄膜・表面分科内招待講演」（15分）
  プラズモンを利用したキャビティ構造による高効率光-音響放出京大院・工 ^○名村今日子，鈴木基史，中嶋　薫，木村健二
• 8真空中焼成によるゾルゲル法で作製したSrZrO₃薄膜の結晶化鶴岡高専 ^○内山　潔
• 9酸素プラズマ照射PETフィルムの低温ヒートシール効果の長寿命性と水接触角の温度依存性三重大工¹，河村産業²，東大新領域³，SVD College^{4 ○}與倉三好^1,2，郭　　翔¹，上原賢一¹，松井正仁¹，中村吉伸³，Lakshmi Reddy⁴，遠藤民生¹
•  休憩　11:15〜11:30
• 10「海外研究者招待講演」（45分）
  Complex Oxide Interfaces - A Tool to Design New MaterialsMax-Planck-Institut, Germany ^○H.-U. Habermeier
• 11Si(100)基板上の複合面方位CeO₂層の形成 ー遷移領域幅の縮小ーいわき明星大科学技術 ^○井上知泰，信田重成
• 12スパッタリング法により形成したAl添加CeO₂薄膜の電気特性評価法政大工 ^○浅野慶太郎，山本康博
• 13H₂O導入MOCVD法により作成したCeO₂薄膜の電気特性と構造法大工¹，コメット²，キヤノンアネルバ^{3 ○}多田直裕¹，木樽智也¹，島田洋希¹，鈴木　摂²，石橋啓次³，山本康博¹
•  昼食　13:00〜15:00

31p-D - 1〜6

• 1有機金属サンドイッチクラスター薄膜の作製と評価JST-ERATO¹，慶大理工^{2 ○}常見英加^1,2，辻　享志^1,2，深澤　駿²，角山寛規^1,2，渡辺義夫^1,2，中嶋　敦^1,2
• 2Pd超薄膜によるMg系薄膜の調光ミラー特性の検討新潟大 ^○津野大輔，跡部雅富，清水英彦，岩野春男，川上貴浩
• 3スパッタ法によるMn₃CuN薄膜の作製と評価（II）名大院工 ^○青山真大，竹中康司，生田博志
• 4セラミック型原子状酸素源の小型化とN添加TiO₂薄膜作成への応用東工大応セラ研¹，東工大セキュア²，東工大フロンティア^{3 ○}尾島大樹^1,2，嶋　一成^1,2，千葉哲也^1,2，平松秀典¹，細野秀雄^2,3，林　克郎^1,2
• 5基板の表面粗さがTiO₂光学薄膜に与える光散乱への影響２東海大院¹，シンクロン^{2 ○}高橋和敬¹，室谷裕志¹，松本繁治²，本多博光²
• 6H₂O+H₂O₂混合ガスを用いた反応性スパッタリング法による水和ZrO₂薄膜の作製北見工大 ^○Ning Li，西本康佑，阿部良夫，川村みどり，金　敬鎬，鈴木　勉