5. 光エレクトロニクス

1p-ZJ - 5〜9

•  1〜4　15:00〜16:00（5.2 光記録／ストレージ）
•  休憩　16:00〜16:15
• 5金微粒子によるMOSFET 単一フォトン検出器の感度向上静大電子研 ^○Wei Du，川久保謙，猪川　洋，佐藤弘明，小野篤史
• 6SOIフォトダイオードの量子効率向上における回折格子材料依存性静岡大 ^○佐藤弘明，猪川　洋，小野篤史，川久保謙，安間義和
• 7低濃度残留水素を利用したSi-APD電子検出器の性能向上東大生研¹，高エ研、物構研^{2 ○}河内泰三¹，岸本俊二²，福谷克之¹
• 8多結晶シリコン光導電素子の活性層の薄膜化による周波数応答の向上金沢大院　電子情報¹，北陸先端大　マテリアル^{2 ○（M2）}乙坂英志¹，江渕真伍¹，丸山武男¹，飯山宏一¹，大平圭介²，松村英樹²
• 98.0μｍＩｎＡｓＳｂ検出素子浜松ホトニクス ^○田中章雅，田口桂基，須村大介，染谷正太

1a-ZL - 1〜12

• 1780nm帯 40ch VCSELアレイの放熱特性の改善リコー東北研 ^○本村　寛，原　　敬，伊藤彰浩，軸谷直人，佐藤俊一
• 2アサーマル面発光レーザの波長掃引特性東工大精研 ^○（D）佐野勇人，中田紀彦，中濱正統，松谷晃宏，小山二三夫
• 3MEMS技術を用いた面発光レーザの波長温度係数の増大III東工大精研 ^○中濱正統，佐野勇人，中田紀彦，松谷晃宏，小山二三夫
• 4面発光レーザとスローライト光変調器の横方向集積東工大 ^○島田敏和，小山二三夫
• 5高温（220°C）における1300 nm帯量子ドットレーザの連続発振QDレーザ¹，富士通研²，東大ナノ量子機構³，東大生産研^{4 ○}西　研一^1,3，影山健生¹，山口正臣¹，持田励雄^1,3，前多泰成¹，武政敬三¹，田中　有^1,2，山本剛之^1,2,3，菅原　充^1,3，荒川泰彦^3,4
• 6自己形成量子ドットレーザの積層周期短縮による変調帯域拡大効果の理論検討東大ナノ量子機構¹，東大生産研²，富士通研究所³，富士通⁴，PETRA⁵，QDレーザ^{6 ○}石田　充¹，田中　有^3,4,5,6，山本剛之^3,4,5,6，菅原　充⁶，荒川泰彦^1,2
•  休憩　11:15〜11:30
• 7選択成長3層InAs量子ドットアレイLEDのPLスペクトルの解析上智大 ^○三枝知充，岩根優人，吉田圭祐，山内雅之，吉川翔平，下村和彦
• 8赤外ＬＥＤ浜松ホトニクス ^○田中章雅，吉田剛之，飯田大輔，染谷正太
• 9ICP-RIEを用いたAlGaInAs/InP埋め込みヘテロ構造レーザ東工大電気電子工¹，量子ナノエレクトロニクス研究センター^{2 ○}佐藤憲明¹，白尾瑞基¹，佐藤孝司¹，西山伸彦¹，荒井滋久^1,2
• 101.3-μm帯npn-AlGaInAs/InPトランジスタレーザの室温パルス動作東工大電気電子工学専攻¹，東工大量子ナノ^{2 ○}佐藤孝司¹，白尾瑞基¹，佐藤憲明¹，西山伸彦¹，荒井滋久^1,2
• 11高温・低消費電力1.55μm帯10Gbps EA変調器集積DFB-LD三菱電機高周波光デバイス製作所¹，三菱電機先端技術総合研究所^{2 ○}森田佳道¹，大和屋武¹，秋山浩一²，蒔田良子²，後藤田光伸²，河原弘幸¹，岡田規男¹，石村栄太郎¹，杉立厚志¹，紫村輝之¹
• 12Well-in-Well量子井戸レーザの相対雑音強度特性東工大 精研 ^○比嘉康貴，反町幹夫，西野目卓弥，岩崎　創，松谷晃宏，宮本智之
•  昼食　13:00〜15:00

1p-ZL - 1〜11

• 1AlInAs酸化狭窄層を有するGaInAsP/InP-Siハイブリッドレーザの構造設計東工大電気電子工学専攻¹，東工大量子ナノ^{2 ○}長部　亮¹，福田渓太¹，白尾瑞基¹，西山伸彦¹，荒井滋久^1,2
• 2横方向電流注入型レーザにおける内部量子効率の量子井戸構造依存性東工大電気電子工¹，量子ナノエレクトロニクス研究センター^{2 ○}二見充輝¹，進藤隆彦¹，長部　亮¹，小口貴之¹，雨宮智宏²，西山伸彦¹，荒井滋久^1,2
• 3表面回折格子を有する横方向電流注入型メンブレンDFBレーザ東工大電気電子工学専攻¹，東工大量子ナノ^{2 ○}進藤隆彦¹，二見充輝¹，長部　亮¹，小口貴之¹，雨宮智宏²，西山伸彦¹，荒井滋久^1,2
• 4薄膜Si/Geレーザの発振条件の検討PETRA¹，PECST²，日立中研^{3 ○}佐川みすず^1,2,3，李　英根³，諏訪雄二^1,2,3，斎藤慎一^1,2,3
• 5シリコン導波路における１軸性歪によるラマン増幅の偏波依存性の変化東大院総合（駒場） ^○（DC）田名網宣成，深津　晋
• 6シリコン結晶中の点欠陥; 高濃度G-center ドーピング法物材機構¹，筑波大院数物²，東大院総合^{3 ○（D）}村田晃一^1,2，安武裕輔³，日塔光一¹，深津　晋³，三木一司^1,2
•  休憩　16:30〜16:45
• 7集積半導体レーザ用回転対称マルチスポット形成位相変調グレーティング結合器阪大院工 上西健吾，^○上向井正裕，栖原敏明
• 8AlGaAs量子井戸リッジ型2波長集積DBRレーザの試作とTHz波発生実験阪大院工 ^○上向井正裕，伊藤　明，栖原敏明
• 9ペルチェ動作量子カスケード・レーザの戻り光耐性評価（II）立命館大¹，浜松ホトニクス中研^{2 ○}津島浩一¹，井上智晴¹，片岡　誉¹，笠原健一¹，藤田和上²，秋草直大²，枝村忠孝²
• 10超広帯域利得を有する高性能量子カスケードレーザ浜松ホトニクス中研¹，浜松ホトニクス^{2 ○}藤田和上¹，古田慎一¹，杉山厚志²，落合隆英²，伊藤昭生²，道垣内龍男¹，枝村忠孝¹，山西正道¹
• 11外部共振器型CW量子カスケードレーザによる広帯域波長掃引浜松ホトニクス中研¹，浜松ホトニクス^{2 ○}道垣内龍男¹，藤田和上¹，枝村忠孝¹，山西正道¹，古田慎一¹，杉山厚志²，落合隆英²，伊藤昭生²