6. 薄膜・表面

31a-C - 1〜13

• 1磁場中PLD法によるBiFeO3薄膜の微細構造と強誘電特性阪大基礎工¹，ナノサイエンスデザイン教育研究センター²，兵庫県大^{3 ○}Park Jungmin¹，中嶋誠二³，寒川雅之¹，金島　岳¹，奥山雅則²
• 2デュアルイオンビームスパッタ法を用いたBiFeO₃薄膜の作製 (II)兵庫県大工¹，阪大院基礎工²，阪大ナノサイエンスデザイン教育研究センター^{3 ○}辻田陽介¹，中嶋誠二¹，藤沢浩訓¹，西岡　洋¹，小舟正文¹，朴　正敏²，金島　岳²，奥山雅則³，清水　勝¹
• 3ペロブスカイト界面層を利用したBiFeO₃薄膜の選択配向成長上智大理工¹，東工大物総² 林　真里¹，笹嶋慶一¹，峯村佳輝¹，安井伸太郎²，舟窪　浩²，^○内田　寛¹
• 4Bi-Ti-Fe-O系エピタキシャル薄膜のPLD合成と評価東工大応セラ研 ^○（DC）今井彰良，谷口博基，伊藤　満，松本祐司
• 5Pr,Mn二元素置換BiFeO₃薄膜の疲労耐性向上に関する検討金沢大院自然¹，金沢大理工^{2 ○}瀬戸佑一郎¹，野村幸寛¹，川江　健²，森本章治²
• 6Pr,Mn二元素置換BiFeO₃薄膜の分極値に対する活性化エネルギーの評価金沢大院自然¹，金沢大理工^{2 ○}立居卓志¹，野村幸寛¹，瀬戸佑一郎¹，川江　健²，森本章治²
•  休憩　10:30〜10:45
• 7Pr, Mn二元素置換BiFeO₃薄膜の高温特性評価金沢大院自然¹，金沢大理工^{2 ○}野村幸寛¹，瀬戸佑一郎¹，立居卓志¹，川江　健²，森本章治²
• 8BiFeO₃/高濃度B添加(111)ダイヤモンド積層構造における高温特性評価金沢大院自然¹，金沢大理工²，東理大理³，物材機構^{4 ○}川崎寛樹¹，川江　健²，中嶋宇史³，徳田規夫²，高野義彦⁴，岡村総一郎³，森本章治²
• 9化学溶液法により作製したBiFeO₃-(Bi_0.5Na_0.5)TiO₃薄膜の電気的特性に対するMnドープ効果名大エコトトピア研 ^○坂本　渉，日恵野敦，守谷　誠，余語利信
• 10アモルファスMgO層の潮解性を利用したBFO自立膜の作製と評価金沢大院自然¹，金沢大理工^{2 ○}松岡　樹¹，中田祐次郎²，川江　健²，森本章治²
• 11(Bi_1.0Pr_0.1)(Fe_0.97Mn_0.03)O₃/SrRuO₃/Pt/CoFe₂O₄積層膜の作製と電気磁気効果の検証金沢大院自然¹，金沢大理工^{2 ○}劉　　辰¹，近藤　学²，野村幸寛¹，川江　健²，森本章治²
• 12BiFeO₃-CoFe₂O₄コンポジット薄膜の構造評価とその電気特性および磁気特性評価東理大¹，東北大^{2 ○}曽根圭太¹，伊藤正樹¹，永沼　博²，中嶋宇史¹，岡村総一郎¹
• 13三角格子反強磁性体InFe₂O₄の薄膜形成と電気・磁気特性の制御東大工 ^○関　宗俊，山原弘靖，田畑　仁
•  昼食　12:30〜15:00

31p-C - 1〜13

• 1BiFeO₃エピタキシャル薄膜におけるドメイン構造と圧電特性の相関大阪府立大 ^○川原祐作，氏本勝也，吉村　武，藤村紀文
• 2BiFeO₃エピタキシャル薄膜の正圧電特性大阪府立大院・工 ^○（DC）氏本勝也，吉村　武，藤村紀文
• 3二元素置換BiFeO₃薄膜を用いたMFIS型キャパシタの作製と評価金沢大院自然¹，金沢大理工^{2 ○}瀬戸佑一郎¹，野村幸寛¹，川江　健²，徳田規夫²，森本章治²
• 4ZnOチャネルFeFETの電子輸送特性における強誘電ドメインの影響阪府大・院工 ^○山田裕明，福島匡泰，吉村　武，藤村紀文
• 5high-k材料をゲート絶縁膜に用いた酸化物TFTの特性奈良先端大¹，戦略的創造研究推進事業²，鶴岡高専^{3 ○}三浦佑太¹，呂　　莉¹，越前正洋¹，西田貴司^1,2，堀田昌宏^1,2，石河泰明^1,2，内山　潔³，浦岡行治^1,2
• 6酸化物半導体と強誘電体の積層構造を用いたダイナミックリコンフィギュアラブル論理素子パナソニック先端研 ^○金子幸広，西谷　雄，上田路人，藤井映志
•  休憩　16:30〜16:45
• 7Low voltage operation of ferroelectric thin film transistors using P(VDF-TrFE) and IGZOPrecision and Intelligence Lab, Tokyo Institute of Technology¹，Central Research Laboratory, Hitachi Ltd, Tokyo²，Interdisciplinary Graduate School of Science and Engineering, Tokyo Institute of Technology^{3 ○}Gwang Geun Lee¹，Yoshihisa Fujisaki²，Hiroshi Ishiwara³，Eisuke Tokumitsu¹
• 8ルブレン単結晶を用いた有機強誘電体ゲートFETメモリ阪大基礎工¹，阪大ナノサイエンス^{2 ○}桂　　悠¹，金島　岳¹，奥山雅則²
• 9配向制御された強誘電性PVDF薄膜の作製と評価 [II]東理大理 ^○森本崇史，馬渕雄一郎，中嶋宇史，岡村総一郎
• 10動的焦電性評価における光電流の効果東大物性研¹，NTNU^{2 ○}高橋竜太¹，Thomas Tybell²，Mikk Lippmaa¹
• 11マグネタイト薄膜の焦電性東大物性研 ^○高橋竜太，三隅　光，Mikk Lippmaa
• 12液相を介した自己集合による誘電体ペロブスカイトナノキューブ配列構造体の作製と電気的特性産総研¹，慶應大²，山梨大³，物材機構⁴，九州大^{5 ○（P）}三村憲一¹，党　　鋒¹，加藤一実¹，今井宏明²，和田智志³，羽田　肇⁴，桑原　誠⁵
• 13電子線誘起反応による強誘電体微細キャパシタ形成富山県大工¹，兵庫県大工^{2 ○}藤井　正¹，川地智康¹，盛田昌憲¹，安達正利¹，山田耕生²，藤沢浩訓²，清水　勝²

1a-C - 1〜13

• 1RFマグネトロンスパッタ法によるBaTiO₃積層薄膜キャパシタの作製京大院工 ^○今宮悠治，横川隆司，神野伊策，小寺秀俊
• 2(Ba_xSr_1-xTa₂O₆)高誘電薄膜の低温作製と電気的特性奈良先端大¹，CREST²，鶴岡高専³ 呂　　利¹，^○西田貴司^1,2，三浦佑太¹，石河泰明^1,2，内山　潔³，浦岡行治^1,2
• 3導電性基板上に形成したBST/Eu添加SBT積層構造の特性評価金沢工大院 ^○橋本直也，稲垣浩行，大城浩徳，堀邊英夫，得永嘉昭，會澤康治
• 4水熱合成法によるPbTiO₃結晶膜合成と構造評価UBE科学分析センター¹，山口大院理工^{2 ○}二井裕之¹，國重敦弘¹，中川浜三¹，小柳　剛²
• 5エピタキシャルPbTiO₃薄膜のリーク電流兵庫県立大工 ^○高田祐介，家根大彰，中嶋誠二，藤沢浩訓，清水　勝
• 6AFMによるPbTiO₃ナノ島の分極反転電流の測定(III)兵庫県大工 ^○山田耕生，中嶋誠二，藤沢浩訓，清水　勝
•  休憩　10:30〜10:45
• 7Er³⁺、Yb³⁺共ドープPZT薄膜の作製とその評価早大先進理工¹，エピフォトニクス^{2 ○}大場俊哉¹，米村祥吾¹，大石　毅¹，副田　匠¹，梨本恵一²，菅原義之¹
• 8表面散乱を考慮した強誘電体薄膜の反射スペクトル解析東理大理¹，スタンレー電気^{2 ○}太原充啓¹，四十物孝憲²，中嶋宇史¹，安田喜昭²，岡村総一郎¹
• 9Si基板上PZT 膜の強誘電特性におけるITO バッファ層依存性金沢大院電子情報 ^○（M2）江渕真伍，松本真輝，丸山武男，飯山宏一
• 10アモルファスMgOの潮解性を用いたPZT薄膜のマイクロパターニングおよび評価金沢大院自然¹，金沢大理工^{2 ○}西村友希¹，松岡　樹¹，川江　健²，森本章治²
• 11Si 基板上のエピタキシャルPZT/Pt/γ-Al2O3 積層膜の応力解析豊橋技科大工¹，豊橋技科_EIIRIS^{2 ○}大石浩史¹，M. A, Matin¹，勝田明寛¹，赤井大輔²，石田　誠^{1, 2}
• 12SrTiO₃基板上へのPb(Zr,Ti)O₃/SrRuO₃ 積層エピタキシャル薄膜の形成アルバック ^○小田島暢洋，増田　健，宮口有典，鄒　弘綱
• 13分極軸配向エピタキシャルPb(Zr,Ti)O₃膜の強誘電特性東工大院¹，名大院²，さきがけ³，産総研^{4 ○}江原祥隆¹，安井伸太郎¹，中島光雅¹，山田智明^{2, 3}，飯島高志⁴，舟窪　浩¹
•  昼食　12:30〜15:00

1p-C - 1〜14

• 1ZnOナノロッドの選択成長と強誘電体ナノロッドへの応用兵庫県大¹，富士通研^{2 ○}伊美泰徳¹，中嶋誠二¹，藤沢浩訓¹，清水　勝¹，小高康稔²，本田耕一郎²
• 2PZT薄膜における33モード正圧電特性の結晶構造および方位依存性阪府大工¹，府立産技研^{2 ○}宮渕弘樹¹，吉村　武¹，村上修一²，藤村紀文¹
• 3AFMを用いたPZT膜の縦方向および横方向変位測定産総研¹，東京理科大²，東陽テクニカ³，東工大⁴，防衛大^{5 ○}飯島高志¹，柏木悠太²，岡村総一郎²，相蘇　亨³，舟窪　浩⁴，島　宏美⁵，西田　謙⁵，山本　孝⁵
• 4不均一構造導入による圧電体膜の特性改善東理大理¹，産総研² 柳瀬　亮¹，中嶋宇史¹，飯島高志²，^○岡村総一郎¹
• 5コンビナトリアル成膜によるPZT薄膜の圧電特性の組成依存性評価京大院工 ^○冨岡宏平，横川隆司，神野伊策，小寺秀俊
• 6新規正方晶Biペロブスカイト圧電体薄膜の作製と評価東工大総理工¹，上智大^{2 ○}長田潤一¹，安井伸太郎¹，内田　寛²，舟窪　浩¹
• 7Bi(Zn_1/2Ti_1/2)O₃系圧電体薄膜における圧電性と結晶構造の関係東工大総理工¹，上智大^{2 ○（PC）}安井伸太郎¹，長田潤一¹，内田　寛²，黒澤　実¹，舟窪　浩¹
• 8パルスレーザー蒸着法によるBi(Mg_1/2Ti_1/2)O₃薄膜の作製兵工技セ¹，阪府大院^{2 ○}泉　宏和¹，氏本勝也²，吉村　武²，藤村紀文²
•  休憩　17:00〜17:15
• 9ＰＬＤ法におけるＫＮＮ薄膜表面状態とターゲット密度の依存性長野県工技セ¹，長野県テクノ財団²，セラテックジャパン^{3 ○}水嵜英明¹，米久保荘¹，黒河内靖子¹，工藤賢一¹，菅沼幸男¹，小口幸一²，西野入隆³，奥冨　衛³，児玉泰史³，平林　明³
• 10水熱合成法によるエピタキシャル(K_xNa_1-x)NbO₃膜の組成依存性東工大¹，桐蔭横浜大²，上智大³，富士フイルム^{4 ○}白石貴久¹，榮西　弘¹，石河睦生^1,2，安井伸太郎¹，長谷川智仁¹，黒澤　実¹，内田　寛³，坂下幸雄⁴，舟窪　浩¹
• 11(001)，(110)，(111)SrTiO₃基板に作製したNaNbO₃薄膜のドメイン構造龍谷大¹，東大先端研^{2 ○}山添誠司¹，小堀晃弘¹，北中祐樹²，野口祐二²，宮山　勝²，和田隆博¹
• 12KNN非鉛圧電薄膜を用いた振動発電素子の特性評価京大工¹，日立電線² 市田智晴¹，加藤　篤¹，横川隆司¹，^○神野伊策¹，小寺秀俊¹，柴田憲治²，三島友義²
• 13(K,Na)NbO₃圧電薄膜の微細加工特性(II)日立電線¹，京大院工^{2 ○}堀切文正¹，柴田憲治¹，末永和史¹，渡辺和俊¹，野本　明¹，三島友義¹，神野伊策²
• 14逆格子マップに基づく(K,Na)NbO₃膜の配向制御による圧電特性の向上（II）日立電線 ^○末永和史，柴田憲治，渡辺和俊，野本　明，堀切文正，三島友義