14. 半導体B(探索的材料・物性・デバイス)

14.3 プロセス技術・界面制御

8月31日 9:30〜18:45  会場:理1-A

31a-A - 1〜13

  • 1高Al組成AlxGa1-xAs水蒸気酸化により形成したAlOx薄膜の光学的特性評価阪大院工 平井裕一郎,山田高寛,近藤正彦,石川史太郎
  • 2GaAs表面上に生成した酸化物ナノ構造のEFMを用いた厚み分析手法の検討豊田工大 ○(P)山田郁彦,神谷 格
  • 3HMDS-SiN鋳型により作製したT型ゲート電極InGaAs HEMTのゲート遅延解析東北大通研 吉田智洋,赤川啓介,尾辻泰一,末光哲也
  • 4高い光子取り出し効率実現に向けたGaAsコーン構造のテーパー角制御北大電子研1,北大 GCOE2 浅野智也1,飯島仁史1,小田島聡1,2,末宗幾夫1
  • 5Ag埋め込み半導体ピラー構造を用いた高効率光子発生源の作製と発光特性評価北大電子研1,北大GCOE2,北大院理3 飯島仁史1,中島秀朗1,2,小田島聡1,2,熊野英和1,西尾 崇3,松尾保孝1,居城邦治1,末宗幾夫1
  • 6SiN/ITO界面反応メカニズムの解明三菱電機1,メルコ・ディスプレイ・テクノロジー社2 中村 勇1,伊藤康悦2,本谷 宗1,河瀬和雅1
  •  休憩 11:00〜11:15
  • 7金属薄膜を介したウェハ融着によるGaAs/Si接合界面の電気特性東大ナノ量子機構1,東大生研2 辰巳智彦1,2,田辺克明1,2,荒川泰彦1,2
  • 8InP表面の窒化処理とパッシベーション効果島根大1,北大RCIQE2 吉田俊幸1,橋詰 保2
  • 9n-BPのオーミック電極に対するアニールの影響(II)慶応大理工1,湘南工科大2 伊野裕司1,亀山和俊1,藤野能久1,松本 智1,西村鈴香2,寺島一高2
  • 10ポリスチレン微小球の自己組織化配列とリソグラフィ技術を利用した多孔質構造の形成北大量集セ 今井雄大,神保亮平,谷田部然治,佐藤威友
  • 11pn接合基板に形成したInP多孔質構造の光応答特性北大量集セ 工藤智人,佐藤威友
  • 12電気化学的手法を用いたInP多孔質構造の形成と光電変換素子への応用北大量集セ 神保亮平,岡崎拓行,佐藤威友
  • 13裏面光照射によるGaAsの陽極酸化農工大工 山本 斉,織田崇寛,横堀邦幸,森下義隆
  •  昼食 13:00〜15:00

31p-A - 1〜14

  • 1選択的電気化学酸化による埋込酸化ゲート構造北大量集センター1,JST-CREST2 ○(M1)東石直樹1,原田修央1,橋詰 保1,2
  • 2第一原理計算によるGaN表面エッチング現象の解明 - 表面終端構造とエッチング初期過程の解析 -阪大院工 大上まり,稲垣耕司,山内和人,森川良忠
  • 3バイアスアニーリングによるn型GaN中プラズマ照射誘起欠陥の挙動解析首都大理工 竹下浩司,中村成志,奥村次徳
  • 4n-GaN 電子トラップ評価へのショットキ電極作製プロセスの影響愛知工大1,豊田中研2 松村俊哉1,山口真太朗1,本田銀熙1,徳田 豊1,上田博之2,成田哲生2,上杉 勉2,加地 徹2
  • 5ドライエッチしたGaNおよびAlGaN表面の評価と制御北大量集センター 谷田部然冶,東石直樹,佐藤威友,橋詰 保
  • 6Ni/p-GaNショットキー電極におけるMgドーピング濃度依存性の評価(2)福井大院工 出店克顕,塩島謙次
  • 7表面ストイキオメトリを制御したp-GaNショットキー接触の電気的特性福井大院工 高橋利文,塩島謙次
  •  休憩 16:45〜17:00
  • 8一定温度MCTSによるn-GaN中炭素関連深い準位の評価愛知工大1,福井大院工2 山田悠二郎1,本田銀熙1,徳田 豊1,塩島謙次2
  • 9低温成長AlN, GaN/サファイア基板上に作製したMOCVD n-GaNのDLTS評価愛知工大1,豊田中研2 ○(M2)柴田龍成1,本田銀熙1,徳田 豊1,上田博之2,成田哲生2,上杉 勉2,加地 徹2
  • 10成長条件の異なるAlGaN/GaNヘテロ構造のDLOS評価中部大総工研1,物材機構2,パウデック3 中野由崇1,色川芳宏2,住田行常3,八木修一3,河合弘治3
  • 11ドライエッチGaN表面に形成したMOS構造の評価北大量集センター1,JST-CREST2 金 聖植1,堀 祐臣1,東石直樹1,橋詰 保1,2
  • 12InドープしたMOVPE成長AlGaN膜の内部電界北大1,JST-CREST2,NTTフォトニクス研3,現在 NTTエレクトロニクス4 赤澤正道1,2,高  博1,橋詰 保1,2,廣木正伸3,山幡章司3,4,重川直輝3
  • 13Al2O3/InAlN/AlGaN/GaN 構造におけるAlGaN スペーサ層の検討北大1,JST-CREST2,NTTフォトニクス研究所3,現在NTTエレクトロニクス4 高  博1,赤澤正道1,2,橋詰 保1,2,廣木正伸3,山幡章司3,4,重川直輝3
  • 14Si基板上AlN/AlGaN/GaN MIS-HEMT構造におけるトラップ準位の評価名工大 久保俊晴,フリーズマン ジョセフ,セルバラージ ローレンス,江川孝志