14. 半導体B（探索的材料・物性・デバイス）

14.4 超高速・機能デバイス

9月1日　15:00〜18:15　　会場：基盤1-H

1p-H - 1〜12

  • 1ECRスパッタ積層SiN/AlGaN/GaN MIS-HFETにおける電荷制御新日本無線 ○深澤義道，脇　英司，伏見　浩
  • 2熱処理によるECR-SiN/AlGaN/GaN MIS-HFETの界面評価新日本無線1，名工大2 ○脇　英司1，伏見　浩1，江川孝志2
  • 3基板電位によるGaN MOS-HFETのしきい値電圧への影響次世代パワーデバイス ○田村亮祐，佐藤義浩，野村剛彦，上野勝典，李　　江，加藤禎宏
  • 4ソース領域オーバーラップゲートAlGaN/GaN E-mode HFETの作製NTTフォトニクス研1，NTT物性基礎研2 ○前田就彦1，廣木正伸1，佐々木智2，原田裕一2
  • 5高いオン/オフ比のノーマリオフAlGaN/GaN HFET新日本無線1，名工大2 ○出口忠義1，菊池利克1，新井　学1，山崎王義1，江川孝志2
  • 6ダイヤモンド上に成長したAlGaN/GaN HEMTの熱及び高周波電力特性NTT物性基礎研 ○平間一行，嘉数　誠，谷保芳孝
  • 7AlGaN/GaN HEMTのAlNスペーサ層厚依存性(II)情報通信研究機構1，富士通研2 ○山下良美1，渡邊一世1，遠藤　聡1,2，三村高志1,2
  •  休憩　16:45〜17:00
  • 8GaInNチャネルHFETのAlInNバリア層の検討名城大・理工1，名古屋大・院工2，名古屋大・赤崎記念研究センター3 ○池田和弥1，磯部康裕1，一木宏充1，堀尾尚史1，榊原辰幸1，岩谷素顕1，竹内哲也1，上山　智1，赤崎　勇1,3，天野　浩2,3
  • 9AlInN/GaN ヘテロ構造の成長と評価名工大院工 ○（M2）小笠原和弥，渡邉　新，江川孝志
  • 10窒化物半導体ヘテロ接合バイポーラライトエミッティングトランジスタＮＴＴ物性研 ○熊倉一英，牧本俊樹，山本秀樹
  • 11スーパージャンクション構造をもつAlGaN/GaN HEMTにおけるホール移動度の効果産総研先進パワエレ 長南紘志，○井手利英，沈　旭強，清水三聡
  • 12Ptゲート付きAlGaN/GaN構造における持続的な水素ガスセンシング豊田工大1，豊田中研2，トヨタ自動車3 ○秋山芳広1，岩形真司1，丹羽亮介1，坂下大樹1，加地　徹2，杉本雅裕3，榊　裕之1

14.4 超高速・機能デバイス

9月2日　9:00〜14:15　　会場：基盤1-H

2a-H - 1〜11

  • 1AlGaN/GaNHFET電流コラプス回復の温度依存性徳島大院STS ○細川大志，井川裕介，木尾勇介，敖　金平，大野泰夫
  • 2Sapphire基板上GaN HEMTにおける電流コラプス評価名工大 ○（M1）常家卓也，分島彰男，江川孝志
  • 3オフストレス印加によるAlGaN/GaN HEMTsの電流コラプス北大量子センター1，JST-CREST2 ○Joel Asubar1，田島正文1，橋詰　保1,2
  • 4多重台形チャネルAlGaN/GaN HEMTにおけるオフストレス印加時の電流コラプス評価北大情報科学1，北大量集センター2，JST-CREST3 ○大井幸多1,2，橋詰　保1,2,3
  • 5非極性a 面及びc 面GaN 基板上AlGaN/GaN HFETsにおける電流コラプス評価名大院工1，名城大院理工2，阪大院工3 ○杉山貴之1，本田善央1，山口雅史1，天野　浩1，磯部康裕2，岩谷素顕2，竹内哲也2，上山　智2，赤崎　勇2，今出　完3，北岡康夫3，森　勇介3
  •  休憩　10:15〜10:30
  • 6GaNおよびAlGaN表面処理が与えるMOS界面特性への影響北大量集センター1，JST-CREST2 ○堀　祐臣1，橋詰　保1,2
  • 7AlGaN/GaN へテロ接合電界効果トランジスタの非局在化トラッピング効果北大量集センター ○（P）胡　成余，橋詰　保
  • 8AlGaN/GaN HFETのドレイン電流とゲート電流への紫外光照射効果豊田工大1，豊田中研2，トヨタ自動車3 ○（M2）村山裕明1，坂下大樹1，丹羽亮介1，秋山芳広1，加地　徹2，杉本雅裕3，榊　裕之1
  • 9電子分布を考慮したウルツ鉱構造GaNの衝突イオン化モデル福井大院工 ○児玉和樹，徳田博邦，葛原正明
  • 10自立基板上GaNショットキー・バリア・ダイオード順方向電流-電圧特性の数値解析日立中研1，日立電線2 ○望月和浩1，寺野昭久1，金田直樹2，三島友義2，石垣隆士1，土屋朋信1
  • 11各種チャネル材料を用いた微細III-V MOSFETの特性比較東理大院基礎工 ○（M1）長谷川慶，本間嵩広，原　紳介，藤代博記
  •  昼食　12:00〜13:00

2p-H - 1〜5

  • 1再成長ソース/ドレインを用いたIII-V族MOSFETの高電流動作東工大院理工 ○金澤　徹，寺尾良輔，池田俊介，宮本恭幸
  • 2In0.75Ga0.25As/In0.53Ga0.47As 同一基板上に作製したPHEMT の周波数特性東理大1，中京大2 ○山崎陽一1，是枝勇太1，西尾　結1，遠藤　裕1，佐藤宏一1，芳澤研哉1，田口博久2，高梨良文1
  • 3In0.75Ga0.25As/In0.53Ga0.47As 同一基板上に作製したPMSM-PD の応答特性東理大1，中京大2 ○西尾　結1，是枝勇太1，山崎陽一1，渡邉　亮1，田口博久2，高梨良文1
  • 4歪みInSb HEMTのモンテカルロ解析東理大院基礎工1，情報通信研究機構2 ○（M2）町田史晴1，佐藤　純1，原　紳介1，藤代博記1，遠藤　聡2，渡邊一世2
  • 5MOCVD成長InxGa1-xAs1-ySbyベースヘテロ接合バイポーラトランジスタNTTフォトニクス研 ○星　拓也，杉山弘樹，横山春喜，栗島賢二，井田　実