15. 結晶工学

30a-ZA - 1〜14

• 1GaAsBi/GaAs多層膜のMBE成長と光学的特性愛媛大院理工 ^○田中佐武郎，下村　哲
• 2GaAs_1-xBi_xのp形ドーピング特性京都工繊大電子システム ^○角　浩輔，山田和弥，尾江邦重，吉本昌広
• 3DLTS法によるGaAs_1-xbi_x結晶中の点欠陥評価(II)京都工繊大 ^○冬木琢真，柏山祥太，富永依里子，尾江国重，吉本昌広
• 4(100)GaAs基板上In_1-yGa_yAs_1-xBi_x/GaAs 多重量子井戸構造の製作(II)京都工繊大電子システム ^○富永依里子，山田和弥，尾江邦重，吉本昌広
• 5Beドープした低温成長GaAs膜における高スピンー低スピン状態転移北陸先端大 ^○Mohd Ambri，Kang Woo Bae，Nobuo Otsuka
• 6GaAs(001)、(111)A上に選択成長したInAs微細構造の界面特性と歪緩和早大理工¹，早大材料技術研究所^{2 ○（D）}マレーネ ツァンダー^1,2，西永慈郎^1,2，伊賀一貴^1,2，堀越佳治^1,2
• 7GaAs(111)A基板上InAs薄膜の電気的特性早大理工¹，早大高等研^{2 ○}伊賀一貴¹，西永慈朗²，ツァンダー マレーネ¹，堀越佳治¹
•  休憩　11:00〜11:15
• 8C₆₀, Si codoped GaAs薄膜の結晶学的・電気的特性早大高等研¹，JSTさきがけ²，早大理工^{3 ○}西永慈郎^1,2，堀越佳治³
• 9ガラス上のInAs多結晶層の特性に対するGaSbAsバッファ層の効果島根大 奥迫拓也，^○松井良記，梶川靖友
• 10ガラス基板上へ分子線蒸着したInPAsの電気的特性島根大 ^○岡村健太，水木晴也，梶川靖友
• 11Si上高移動度InSb薄膜成長のためのInSb単分子層形成条件の最適化富山大 ^○安井雄一郎，中山幸二，中谷公彦，森　雅之，前澤宏一
• 12Si(111)基板上MnドープGaSbの作製と評価長岡技大 ^○岡部晃也，豊田英之，神保良夫，内富直隆
• 13MOVPE法によって成長させたSi基板上GaPのSi表面熱処理圧力の影響静岡大工 ^○堀江陽介，宮原　亮，高木達也，高野　泰
• 14BGaPの成長様式に関する検討豊橋技科大¹，EIIRIS^{2 ○}浦上法之¹，若原昭浩¹，関口寛人¹，岡田　浩^2,1
•  昼食　13:00〜15:00

30p-ZA - 1〜12

• 1水素吸着GaAs表面におけるN取り込み過程の第一原理計算による考察九大応力研 ^○川野　潤，寒川義裕，柿本浩一
• 2強結合近似法による窒素γドープGaNAsの電子状態の研究阪大院工 ^○樹下晶弘，森藤正人
• 3AlGaAs/GaAs量子井戸への窒素δ-ドープに関する研究阪大院工 ^○（M2）古瀬慎一朗，角谷健吾，石川史太郎
• 4GaAsへの窒素γドープ層導入による超格子構造の作製と評価阪大院工 ^○角谷健吾，古瀬慎一朗，石川史太郎
• 5窒素δドープGaAs(110)中の単一等電子トラップからの発光の偏光特性埼玉大院理工¹，東大物性研²，東大新領域³，東北大金研^{4 ○}高宮健吾¹，福島俊之¹，星野真也¹，八木修平¹，土方泰斗¹，望月敏光²，吉田正裕²，秋山英文²，窪谷茂幸³，片山竜二⁴，尾鍋研太郎³，矢口裕之¹
• 6窒素をデルタドープしたGaAsにおける束縛励起子発光線の起源神戸大院工 ^○原田幸弘，久保輝宜，井上知也，小島　磨，喜多　隆
•  休憩　16:30〜16:45
• 7希釈窒化物半導体における熱処理効果の硬X線光電子分光による評価阪大院工¹，JASRI²，豊技大^{3 ○（M1）}冬野　聡¹，石川史太郎¹，近藤正彦¹，町田雅武²，陰地　宏²，孫　珍永²，梅野和行³，古川雄三³，若原昭浩³
• 8GaInNAs の微細加工発光デバイス応用有効性の検討阪大院工 ^○後藤洋昭，石川史太郎，森藤正人，近藤正彦
• 9GaInNAsを利得媒質とするフォトニック結晶共振器の作製と評価阪大院工¹，阪大院工²，阪大院工³，阪大院工⁴，阪大院工⁵，阪大院工⁶，阪大院工^{7 ○（M1）}永友大士¹，後藤洋昭²，中尾　亮³，中野勝成⁴，久木田健太郎⁵，石川史太郎⁶，近藤正彦⁷
• 10MOVPE法による微傾斜Ge(001)基板上InGaAsN薄膜の光学特性東大新領域¹，チュラロンコン大^{2 ○}上杉謙次郎¹，菊地健彦¹，クァントゥ ティユ¹，王　彦哲¹，窪谷茂幸¹，サノーピン サクンタム²，尾鍋研太郎¹
• 11MOVPE法によるInPN混晶薄膜の作製と物性東大新領域 ^○王　彦哲，クァントゥ ティユ，窪谷茂幸，尾鍋研太郎
• 12MOCVD法によるGaP基板上GaNAsP/Ga(N)P3重量子井戸の成長特性と発光評価東工大精研 ^○小林由貴，古川聖紘，田辺　悟，西尾　礼，宮本智之

31a-ZA - 1〜15


• 1InGaPSbを新障壁層材料に用いたInAsP歪補償MQWのMOMBE成長NTTフォトニクス研 ^○満原　学，伊賀龍三，神徳正樹
• 2(775)B InP基板上にMBE成長した歪InGaAs量子細線の成長メカニズム愛媛大院理工 ^○宮田哲弥，光成佳篤，下村　哲
• 3正弦関数組成DBRミラーを用いたInGaAs量子細線面発光レーザーの作製DBRストップバンド、キャビティ長の整合と細線構造の最適化愛媛大院理工 ^○梶谷昌司，尾坂浩太，下村　哲
• 4分子線エピタキシ成長InGaAs 3元混晶の時間依存成長レートの評価産総研 ^○牛頭信一郎，物集照夫，石川　浩
• 5AlGaAs/AlAsタイプII量子井戸のMBE成長と基板面依存性愛媛大 ^○神野泰輔，谷　勇気，下村　哲
• 6歪補償InGaAs/GaAsSbタイプII多重量子井戸層の特性大阪府立大¹，住友電気工業² 平池龍馬¹，三浦広平²，猪口康博²，^○河村裕一¹
• 7MBE成長InGaAsN/AlAsSb共鳴トンネルダイオードの特性評価大阪府大工¹，大阪府大工^{2 ○（M1）}光吉謙太¹，河村裕一²
•  休憩　10:45〜11:00
• 83 次元逆格子図によるInGaAs/GaAs(001)歪み緩和異方性評価宮崎大IRO¹，豊田工大²，原子力機構^{3 ○}鈴木秀俊¹，佐々木拓生²，高橋正光³，大下祥雄²，山口真史²
• 9High time-resolution three-dimensional reciprocal-space mapping during MBE growth of InGaAs原子力機構¹，兵庫県立大²，宮崎大³，豊田工大^{4 ○}Wen Hu¹，高橋正光^1,2，神津美和²，鈴木秀俊³，佐々木拓生⁴
• 10量子井戸無秩序化によるInP基板上InAs/InGaAs-MQWの発光波長制御NTTフォトニクス研 ^○佐藤具就，布谷伸浩，藤澤　剛，山本知生，神徳正樹
• 11高濃度ZnドープInAlGaAs層のMOCVD成長ＮＴＴフォトニクス研究所 ^○横山春喜，星　拓也，重川直輝，井田　実
• 12MOVPEの組成制御におけるInGaAsP気相固相比の不連続三菱電機　波光電 ^○柳楽　崇，小野健一，竹見政義
• 13AlGaAs中間層及びSi₃N₄反射防止膜の導入による透過型GaAs/GaAsP歪み超格子スピン偏極フォトカソードの量子効率向上名大工¹，シンクロトロン光研究センター^{2 ○}市橋史朗¹，金　秀光¹，山本尚人²，真野篤志²，桑原真人¹，渕　真悟¹，宇治原徹¹，竹田美和¹
• 14GaAs / InGaAs緩衝層を用いたInGaAs / GaAsP多重量子井戸の成長東大工¹，先端研^{2 ○}藤井宏昌¹，王　云鵬²，杉山正和¹，中野義昭^1,2
• 15InGaAs/GaAsP歪み補償量子井戸のMOVPEにおけるヘテロ界面の影響のin situウエハー曲率によるモニタリング東大院工¹，東大先端研^{2 ○（D）}馬　少駿¹，ハッサネット ソダーバンル²，渡辺健太郎²，杉山正和¹，中野義昭^1,2
•  昼食　13:00〜15:00

31p-ZA - 1〜14

• 1InPナノワイヤにおけるIn 原子の表面拡散に関する理論的研究三重大工 ^○山下智樹，秋山　亨，中村浩次，伊藤智徳
• 2MOVPE選択成長法によるInPナノワイヤの構造相転移機構北大院情科研¹，北大量集センター²，JST さきがけ^{3 ○}池尻圭太郎^1,2，北内悠介¹，冨岡克広^1,2,3，本久順一¹，福井孝志^1,2
• 3MOVPE選択成長法によるInGaAsナノワイヤ成長におけるIII族供給比に依存した成長温度依存性の変化北大院情報科学¹，北大量集センター²，JST-PRESTO^{3 ○}小橋義典¹，佐藤拓也^1,2，池尻圭太郎^1,2，冨岡克広^2,3，原真二郎^1,2，本久順一¹
• 4ウルツ鉱型結晶InAsP/InP径方向量子井戸ナノワイヤの形成ルンド大¹，富士通研^{2 ○}河口研一^1,2，Magnus Heurlin¹，David Lindgren¹，Magnus Borgstrom¹，Lars Samuelson¹
• 5領域選択分子線エピタキシーによるGaAs(001), (111)Bおよび(110)マスク基板上へのInAsナノワイヤ形成北陸先端大 ^○赤堀誠志，村上達也，山田省二
• 6表面微結晶形成を抑制したSi(111)基板上GaAsナノワイヤのMBE成長東大生研¹，東大ナノ量子機構^{2 ○（M2）}權　晋寛¹，熊谷直人²，渡邉克之²，大河内俊介²，岩本　敏^1,2，荒川泰彦^1,2
• 7放射光X線回折によるGaAsナノワイヤ成長のその場観察兵庫県立大院物質理¹，原子力機構^{2 ○}神津美和¹，Wen Hu²，高橋正光^1,2
•  休憩　16:45〜17:00
• 8GaAsナノワイヤ中のInGaAs量子ドットの形成と光学特性東大ナノ量子機構¹，東大生研^{2 ○}舘林　潤¹，Dumindu Karunathillake^1,2，石田悟己^1,2，西岡政雄^1,2，荒川泰彦^1,2
• 9液滴エピタキシー法によるGaSb/GaAs量子ドットの後熱処理効果物材機構¹，豊田工大^{2 ○}川津琢也¹，野田武司¹，間野高明¹，佐久間芳樹¹，榊　裕之^1,2
• 10液滴エピタキシーによる高均一な近接積層量子ドットの作製物材機構¹，筑波大^{2 ○}Martin Elborg^1,2，Takeshi Noda¹，Takaaki Mano¹，Masafumi Jo¹，Yi Ding¹，Kazuaki Sakoda^1,2
• 11液滴エピタキシを用いた(111)A面上GaAs三角形量子ドットの作製物材機構 ^○（PC）定　昌史，間野高明，迫田和彰
• 12液滴エピタキシを用いた(311)A面上GaAs量子細線の作製物材機構 ^○（PC）定　昌史，間野高明，迫田和彰
• 13InAs量子ドット形成におけるRHEEDパターンの観察豊田工大 ^○下村憲一，白坂健生，David Tex，神谷　格
• 14STMBE法による位置制御した単一InAs量子ドットの作製阿南高専¹，東大物性研^{2 ○}東條孝志¹，吉田正裕²，秋山英文²，塚本史郎^1,2

1a-ZA - 1〜15


• 1波長1.4μmを超えるInAs(Sb)/GaInAs/GaAs量子ドットのMBE成長東大ナノ量子機構¹，東大生研^{2 ○}渡邉克之¹，荒川泰彦^1,2
• 2GaAs低温キャップによるInAs量子ドットの等方的埋め込み成長東大ナノ量子¹，NECグリーン研²，東大生研^{3 ○}熊谷直人¹，大河内俊介¹，白根昌之^1,2，五十嵐悠一^1,2，野村政宏^1,3，太田泰友¹，萬　伸一^1,2，岩本　敏^1,3，荒川泰彦^1,3
• 3低速成長によるInAs/GaAs量子ディスクの等方化とその発光特性北大電子研¹，北大GCOE^{2 ○}桜井誠也¹，小田島聡^1,2，末宗幾夫¹
• 4不純物制御したInAs量子ドットにおける発光再結合ダイナミックス神戸大院工 ^○長谷川隆一，井上知也，田中秀治，小島　磨，喜多　隆，原田幸弘
• 5MOCVD法によるGeOI基板上1.3um帯高密度InAs量子ドットの結晶成長とその光学評価東大ナノ量子機構 ^○Rajesh Mohan，Stephane Faure，館林　潤，西岡政雄，Denis Guimard，荒川泰彦
• 6GaAsSb/GaAs(001)層上への面内超高密度InAs量子ドットの自己形成電通大　先進理工 ^○Edes Saputra，太田　潤，山口浩一
• 7面内超高密度GaAsSb/InAs type-II 量子ドットへのGaAsスペーサ層導入効果電通大　先進理工 ^○太田　潤，山口浩一
• 8高速MBE成長法による高密度積層InGaAs量子ドットの発光特性首都大学東京¹，情報通信研究機構^{2 ○}田之上文彦^1,2，菅原宏治¹，赤羽浩一²，山本直克²
•  休憩　11:00〜11:15
• 9高均一・高密度の多層InAs量子ドットの発光波長制御と利得評価QDレーザ¹， 東大ナノ量子機構²，東大生産研^{3 ○}山口正臣¹，西　研一^1,2，影山健生¹，前多泰成¹，菅原　充^1,2，荒川泰彦^2,3
• 10積層量子ドット構造におけるキャリア寿命に対する中間層膜厚依存性東大院工¹，東大先端研²，筑波大院数理物質³，神戸大院工^{4 ○}楢原康平^1,2，庄司　靖³，吉田勝尚^1,2，星井拓也^1,2，田中秀治⁴，喜多　隆⁴，岡田至崇^1,2
• 11近接積層に伴う量子ドットのフォトルミネッセンス偏光特性変化神戸大院工¹，大阪大 超高圧電子顕微鏡セ^{2 ○}池内佑一郎¹，麻田将貴¹，井上知也¹，原田幸弘¹，喜多　隆¹，田口英次²，保田英洋²
• 12InP(001)基板上InAsコラムナ量子ドット発光特性のInGaAsPバリア層組成依存性技術研究組合¹，富士通²，富士通研究所^{3 ○}奥村滋一^1,2，安岡奈美^1,2，河口研一³，田中　有^1,2，江川　満³
• 13ナノ細線フォトトランジスタの形成と光検出特性の評価豊田工業大工 ^○小林由幸，大森雅登，Vitushinskiy Pavel，榊　裕之
• 1490度回転メタルマスク法により作製した広帯域光源用4色量子ドットの光学評価和歌山大シス工¹，NEC²，物材機構³，筑波大⁴，シェフィールド大^{5 ○（M2）}竹内晃一¹，尾崎信彦¹，大河内俊介²，池田直樹³，杉本喜正³，浅川　潔⁴，Richard Hogg⁵
• 15歪緩和バリア層に埋め込んだEr添加InAs量子ドットを有するGaAs/AlAs多層膜共振器の作製と光学特性徳島大¹，日亜化学工業^{2 ○}上山日向¹，高橋朋也¹，中河義典^1,2，森田　健¹，北田貴弘¹，井須俊郎¹