8. プラズマエレクトロニクス

30a-M - 1〜15


• 1フォトニック結晶作製に向けた高Al組成AlGaAsドライエッチングに関する研究阪大院工 ^○（M2）望月雅矢，石川史太郎，近藤正彦
• 2AlGaAs系フォトニック結晶作製に向けた誘導結合型プラズマエッチングにおけるエッチングガス効果阪大 ^○（M1）北林佑太，望月雅矢，石川史太郎，近藤正彦
• 3低エネルギーF中性粒子ビームを用いたSiエッチング特性の評価阪大¹，理研²，豊工大^{3 ○（PC）}原　安寛¹，浜垣　学²，三瀬孝也²，原　民夫³
• 4SiClx⁺イオン照射によるSiエッチング反応解析阪大院工¹，東京エレクトロン^{2 ○（D）}伊藤智子¹，唐橋一浩¹，康　松潤²，浜口智志¹
• 5メタノールプラズマエッチングプロセス中のイオン照射によるNi薄膜酸化過程の解析阪大院工原子分子センター ^○唐橋一浩，伊藤智子，浜口智志
• 6狭ギャップマイクロ波水素プラズマによるSi高速エッチングにおける表面温度の効果阪大院工¹，JST CREST^{2 ○}山田高寛^1,2，岡本康平¹，大参宏昌^1,2，垣内弘章^1,2，安武　潔^1,2
• 7GaNにおけるプラズマダメージの水素ラジカル修復名大¹，NUエコ・エンジニアリング²，愛知工大³，名工大^{4 ○（DC）}陳　　尚¹，盧　　翌¹，米谷亮祐¹，竹田圭吾¹，石川健治¹，近藤博基¹，加納浩之²，徳田　豊³，関根　誠¹，江川孝志⁴，天野　浩¹，堀　　勝¹
• 8SF₆/O₂プラズマを用いたSiエッチング機構III名大院工¹，JST-CREST²，東芝^{3 ○}尼崎新平¹，竹内拓也¹，竹田圭吾^1,2，石川健治¹，近藤博基¹，関根　誠^1,2，堀　　勝^1,2，櫻井典子³，林　久貴³，酒井伊都子³，大岩徳久³
•  休憩　11:00〜11:15
• 93次元原子スケールセルモデルによる表面ラフネス形成機構の解明：イオン入射エネルギー・角度依存性京大院工 ^○（D）津田博隆，鷹尾祥典，江利口浩二，斧　高一
• 10高温エッチングにおける窒化ガリウム（GaN）の表面変性：角度分解X線光電子解析名大¹，名工大^{2 ○}盧　　翌¹，陳　　尚¹，米谷亮祐¹，石川健治¹，近藤博基¹，竹田圭吾¹，関根　誠¹，江川孝志²，天野　浩¹，堀　　勝¹
• 11高温における窒化ガリウム（GaN）のエッチング機構名大院工¹，名工大工²，JST-CREST^{3 ○（M1）}米谷亮祐¹，陳　　尚¹，蘆　　翌¹，竹田圭吾¹，石川健治¹，近藤博基¹，関根　誠^1,3，江川孝志²，天野　浩¹，堀　　勝^1,3
• 12分子動力学法を用いたSiエッチング表面反応解析：Cl，Br，HBrビームエッチングにおけるイオン入射角度依存性及び入射エネルギー依存性京大院工 ^○（M1）中崎暢也，谷口　健，津田博隆，鷹尾祥典，江利口浩二，斧　高一
• 13SiNエッチングにおける水素反応：分子動力学シミュレーション解析阪大¹，ソニー^{2 ○}重川遼大¹，浜口智志¹，磯部倫郎¹，深沢正永²，辰巳哲也²
• 14Time-dependent Radical Flux Analysis in ArF Photoresist Plasma Etching using Parallel Plate StructureNagoya Univeristy¹，Warsaw University of Technology²，Institute of Electron Technology^{3 ○（DC）}Arkadiusz Malinowski^1,2,3，堀　　勝¹，関根　誠¹，石川健治¹，近藤博基¹，山本　洋¹，竹内拓也¹，鈴木俊哉¹，Lidia Lukasiak²，Andrzej Jakubowski²
• 15SiN_x:H膜エッチングに及ぼす紫外線の影響ソニー¹，名大院工^{2 ○}深沢正永¹，宮脇雄大²，近藤祐介²，竹田圭吾²，石川健治²，近藤博基²，関根　誠²，南　正樹¹，上澤史且¹，堀　　勝²，辰巳哲也¹

31a-M - 1〜15


• 1エッチング代替ガスの解離過程(II)名大¹，アルバック^{2 ○}林　俊雄¹，石川健治¹，関根　誠¹，堀　　勝¹，河野明廣¹，鄒　弘綱²
• 2SiエッチングにおけるO2、N2添加効果名大¹，アルバック^{2 ○}林　俊雄¹，石川健治¹，関根　誠¹，堀　　勝¹，河野明廣¹，鄒　弘綱²
• 3DCバイアス重畳二周波容量結合型プラズマの電子密度空間分布計測名大院工¹，JST-CREST²，東京エレクトロン宮城^{3 ○}古室達也¹，竹田圭吾^1,2，石川健治¹，関根　誠^1,2，大矢欣伸³，近藤博基¹，堀　　勝^1,2
• 4C₅HF₇ガスを用いたSiO₂高選択エッチング実現の機構解明名大院工¹，日本ゼオン^{2 ○}宮脇雄大¹，近藤祐介¹，竹田圭吾¹，石川健治¹，山崎敦代²，伊東安曇²，松本裕一²，関根　誠¹，堀　　勝¹
• 5モデリングによるC₃F₆O プラズマ絶縁膜エッチング機構の解明名大院工¹，JST-CREST^{2 ○}近藤祐介¹，宮脇雄大¹，竹田圭吾^1,2，石川健治¹，林　俊雄¹，関根　誠^1,2，堀　　勝^1,2
• 6C₅HF₇/O₂/ArプラズマによるArfレジスト表面ラフネス発生抑制機構 (II)名大¹，日本ゼオン^{2 ○（M1）}浅野高平¹，山本　洋¹，宮脇雄大¹，竹田圭吾¹，近藤博基¹，石川健治¹，関根　誠¹，堀　　勝¹，山崎敦代²，伊藤安曇²，松本裕一²
• 7有機材料の超微細エッチングにおける白金微粒子の側壁保護作用に関する研究名大工¹，JST-CREST²，阪大工³，九大シス情^{4 ○}鈴木俊哉¹，竹田圭吾^1,2，近藤博基¹，石川健治¹，節原裕一^2,3，白谷正治^2,4，関根　誠^1,2，堀　　勝^1,2
• 8プラズマエッチング中のチャージング機構の解析(II)慶大¹，ソニー^{2 ○}八木澤卓¹，辰巳哲也²，真壁利明¹
•  休憩　11:00〜11:15
• 9プラズマプロセス中における有機薄膜表面反応の実時間・その場観察電子スピン共鳴（ESR）解析（2）名大院工¹，金沢工大²，JST-CREST^{3 ○}鷲見直也¹，石川健治¹，河野昭彦²，堀邊英夫²，竹田圭吾^1,3，近藤博基¹，関根　誠^1,3，堀　　勝^1,3
• 10プラズマプロセスがGaAs系半導体光学素子構造諸特性に与える影響阪大院工 ^○渡辺章王，石川史太郎，近藤正彦
• 11水素イオン入射によるシリコン中の増殖酸化プロセスの数値解析阪大工¹，ソニー^{2 ○}溝谷浩平¹，礒部倫郎¹，深沢正永²，辰巳哲也²，浜口智志¹
• 12容量性結合N₂プラズマによるGaNエッチングダメージ徳島大院工¹，兵庫県大高度研²，中部大総工研³，日亜化学^{4 ○}川上烈生¹，新部正人²，中野由崇³，武市　敦¹，小西将士¹，森　祐太¹，小高拓也²，稲岡　武¹，富永喜久雄¹，向井孝志⁴
• 13HeおよびArガスを用いてプラズマエッチングしたn-GaN結晶の表面ダメージ分析兵庫県立大高度研¹，徳島大院工²，中部大総工研³，日亜化学^{4 ○}新部正人¹，小高拓也¹，川上烈生²，中野由崇³，稲岡　武²，富永喜久雄²，向井孝志⁴
• 14プラズマエッチング損傷GaNのフォトルミネッセンス評価中部大総工研¹，徳島大院工²，兵庫県立大高度研^{3 ○}中野由崇¹，川上烈生²，新部正人³，武市　敦²，稲岡　武²，富永喜久雄²
• 15プラズマエッチングにより発生するArFレジストLine-Edge-Roughness (LER)のポリマー主鎖構造依存性東北大流体研¹，三菱レイヨン^{2 ○}上杉拓志¹，和田章良¹，岡田　健¹，加藤圭輔²，安田　敦²，佐久間諭²，前田晋一²，寒川誠二¹
•  昼食　13:00〜15:00

31p-M - 1〜12

• 1「優秀論文賞受賞記念講演」（30分）
  Model for Bias Frequency Effects on Plasma-Damaged Layer Formation in Si Substrates京大 ^○江利口浩二，中久保義則，松田朝彦，鷹尾祥典，斧　高一
• 2オンウエハーモニタリングとシミュレーションの融合による立体形状エッチングにおけるシース形状およびイオン軌道予測東北大¹，みずほ情報総研^{2 ○}荒木良亮¹，久保田智広¹，三輪和弘¹，岩崎拓也²，小野耕平²，寒川誠二¹
• 3塩素中性粒子ビームを用いたGaNの無損傷エッチングプロセス東北大流体研¹，東京大生産研²，JST-CREST^{3 ○}田村洋典^1,3，黄　啓賢^1,3，王　宣又^1,3，久保田智広¹，太田実雄^2,3，藤岡　洋^2,3，寒川誠二^1,3
• 4温度可変時間分解PL 法によるGaInN へのプラズマダメージ解析ソニー白石セミコンダクタ¹，ソニー²，金沢工大^{3 ○}泉将一郎¹，鎌田　満¹，南　正樹²，辰巳哲也²，山口敦史³，冨谷茂隆¹
• 5磁気トンネル接合素子のプラズマプロセス誘起ダメージとリカバリーの試み東北大CSIS¹，NECグリーン研²，アルバック半電研³，アルバック超材研⁴，東北大RIEC^{5 ○}木下啓藏^1,2，山本直志³，本庄弘明²，末光克巳²，石綿延行^1,2，大嶋則和²，深見俊輔^1,2，山本弘輝⁴，森田　正⁴，笠井直記^1,2，杉林直彦²，池田正二^1,5，大野英男^1,5
•  休憩　16:30〜16:45
• 6フルオロカーボン系エッチング種によるArFフォトレジスト表面改質の解明 (2)名大院工¹，JST-CREST^{2 ○}竹内拓也¹，尼崎新平¹，竹田圭吾^1,2，石川健治¹，近藤博基¹，関根　誠^1,2，堀　　勝^1,2
• 7HBr/O₂, H₂プラズマダメージに対する高速熱処理プロセスの効果京大院工¹，ソニー^{2 ○}中久保義則¹，松田朝彦¹，深沢正永²，鷹尾祥典¹，辰己哲也²，江利口浩二¹，斧　高一¹
• 8中性粒子ビームによるシリコンエッチング（４）東北大流体研¹，BEANS研3D BEANSセ²，みずほ情報総研³，東京大^{4 ○}久保田智広^1,2，大塚晋吾³，渡辺尚貴³，岩崎拓也³，小野耕平³，入江康郎²，杉山正和^2,4，大竹浩人¹，寒川誠二^1,2
• 9第一原理電子状態計算による中性粒子ビーム生成メカニズムの解析Vみずほ情報総研¹，ＢＥＡＮＳプロジェクト²，フジクラ³，東大⁴，東北大^{5 ○}渡辺尚貴¹，大塚晋吾¹，岩崎拓也¹，小野耕平¹，入江康郎²，植木真治²，額賀　理^2,3，杉山正和^2,4，久保田智広^2,5，寒川誠二^2,5
• 10中性粒子ビーム生成におけるアパーチャ構造とエッチング特性解析みずほ情報総研¹，BEANSプロジェクト 3D BEANSセンター²，フジクラ³，東大⁴，東北大^{5 ○}大塚晋吾¹，渡辺尚貴¹，岩崎拓也¹，小野耕平¹，入江康郎²，植木真治²，額賀　理^2,3，杉山正和^2,4，久保田智広^2,5，寒川誠二^2,5
• 11中性粒子ビームエッチングの加工形状シミュレーション数理システム¹，みずほ情報総研²，BEANSプロジェクト 3D BEANSセンター³，東北大⁴，東大^{5 ○}望月俊輔¹，渡辺尚貴²，大塚晋吾²，岩崎拓也²，小野耕平²，入江康郎³，久保田智広^3,4，杉山正和^3,5，寒川誠二^3,4
• 12吸引プラズマ加工中ガスの四重極質量分析産総研¹，三友製作所^{2 ○}高橋　賢¹，堀江智之¹，白山裕也²，横須賀俊太郎²，樫村健太²，林　明宏²，岩瀬千克²，新堀俊一郎²，徳本洋志¹，内藤泰久¹，清水哲夫¹