13. 半導体A（シリコン）

31a-Q - 1〜15

• 1極薄シリコン熱酸化膜の膜厚均一性と表面・界面形状相関筑波大電子・物理工学専攻 ^○太田雅浩，蓮沼　隆，山部紀久夫
• 2高温下ストレス印加後のSiO₂膜中捕獲電荷筑波大院数物 ^○山下貴之，蓮沼　隆，山部紀久夫
• 3コンダクタンス法を用いたMOS界面でもpositive fixed chargeのsurface potential fluctuationへの影響評価東大院工 ^○（M1）申サンフン，田岡紀之，竹中　充，高木信一
• 4第一原理計算を用いた SiO₂/Si 界面近傍中間酸化物の静的誘電率推定東京都市大工¹，宇宙研^{2 ○}渋谷寧浩^1,2，小林大輔²，野平博司¹，廣瀬和之²
• 5第一原理分子軌道計算を用いた SiO2 の局所構造を反映した 絶縁破壊電界の推定慶大院¹，東京都市大院²，宇宙研^{3 ○}関　　洋¹，渋谷寧浩²，小林大輔³，野平博司²，泰岡顕治¹，廣瀬和之³
• 6低温・超低損傷中性粒子ビーム酸化プロセスにおけるSi酸化機構(2)東北大流体研¹，産総研^{2 ○}和田章良¹，遠藤和彦²，昌原明植²，寒川誠二¹
• 7Kr/O2プラズマ酸化法におけるSiO2膜作成と評価農工大 ^○若林雅祥，菊池彬人，鬼木悠丞，岩崎好孝，上野智雄
•  休憩　10:45〜11:00
• 8硝酸酸化膜を界面層とした極薄積層型ゲート酸化膜を持つ超低消費電力型薄膜トランジスタの創製と液晶ディスプレイへの応用阪大産研¹，CREST-JST²，シャープ³，阪大院工^{4 ○}松本健俊^1,2，久保田靖^2,3，山田幹浩^1,2，辻　博史^2,4，谷口研二^2,4，寺川澄雄^1,2，今井繁規^2,3，小林　光^1,2
• 9オゾンガスのH₂O、H₂O₂溶液バブリングによるシリコーンオイル酸化Si膜の形式北陸先端科学技術大学院大 ^○谷口勇太，辻埜太一，堀田　將
• 10ECRスパッタ法により作成されたSiO₂/Si構造のV_FBシフトの考察農工大工 ^○菊池彬人，鬼木悠丞，岩崎好孝，上野智雄
• 11SiN膜中へのハロゲン化水素ガスの透過障壁三菱電機　波光電 ^○奥　友希，志賀俊彦，戸塚正裕，竹見政義
• 12Cat-CVD法によるシリコン窒化膜の不揮発性メモリデバイスへの応用東海大院工¹，アルバック² 高原　優¹，高木牧子²，山本裕子²，座間秀昭²，^○小林清輝¹
• 13シリコン酸化膜SiO₂のフルオロカーボンラジカルCF₂による高選択性エッチングへの量子分子動力学的アプローチ東北大院工 ^○（M1）伊藤　寿，樋口祐次，尾澤伸樹，島崎智実，久保百司
• 14GCIB酸素照射によるMANOSメモリ用Al₂O₃膜の改質効果明大理工¹，学振DC²，JASRI³，TEL LTD.⁴，TEL EPION^{5 ○（D）}永田晃基^1,2，橋口裕樹¹，山口拓也¹，小椋厚志¹，陰地　宏³，孫　珍永³，広沢一郎³，田中義嗣⁴，廣田良浩⁴，John Gumpher⁵，山下浩二⁵
• 15Al/Al₂O₃/Al-rich Al-O/SiO₂/p-Si構造のメモリ特性金沢大院自然¹，金沢大理工²，ＮＴＴマイクロシステム研³，金沢大名誉教授^{4 ○}加藤崇史¹，尾崎槙哉²，中田俊司³，清水立生⁴，川江　健²，森本章治²
•  昼食　13:00〜15:00

31p-Q - 1〜12

•  15:00〜15:30　シリコンテクノロジー分科会論文賞奨励賞表彰式
•  休憩　15:30〜15:35
• 1O₂プラズマ支援HfO₂ ALDでのAr希釈の効果防衛大 ^○北嶋　武，中野俊樹
• 2HfO_xN_y膜作製における窒素導入手法の検討農工大工 ^○森近真也，鬼木悠丞，岩崎好孝，上野智雄
• 3HfON極薄膜化に向けたECRプラズマ酸化条件の検討東工大総理工 ^○大西峻人，佐野貴洋，大見俊一郎
• 4Hf_xN_y絶縁膜の電気特性における熱処理の効果東工大 ^○韓　ヒ成，大見俊一郎
• 5界面挿入SiO₂膜の制御によるhigh-k膜の電気特性変化東京農工大工 ^○飯田恭朗，鬼木悠丞，岩崎好孝，上野智雄
• 6High-k膜構成元素のTiN電極中への拡散とそれに伴う絶縁膜の低誘電率化阪大院工 有村拓晃，大嶽祐輝，北野尚武，^○細井卓治，志村考功，渡部平司
•  休憩　17:05〜17:20
• 7異種面方位上でのHfN/HfSiONゲートスタック構造の評価東工大総理工 ^○佐野貴洋，大見俊一郎
• 8High-k絶縁膜中の欠陥生成と信頼性劣化 - 水素・窒素・正孔起因のHfSiON劣化 -東芝研開セ ^○中崎　靖，平野　泉，加藤弘一，三谷祐一郎
• 9イオンスパッタミキシングが及ぼす影響の評価：EUPS とXPSの比較産総研　ナノデバイス¹，産総研　ナノエレクトロニクス^{2 ○（PC）}大塚照久¹，石塚知明¹，太田裕之²，富江敏尚¹
• 10イオンスパッタにおけるミキシングのEUPSによる評価産総研　ナノデバイス¹，産総研　ナノエレクトロニクス^{2 ○}石塚知明¹，大塚照久¹，太田裕之²，富江敏尚¹
• 11TaN/HfO2/SiO2/Siの界面ダイポール等のEUPSによる評価産総研　ナノデバイス¹，産総研　ナノエレ² 石塚知明¹，大塚照久¹，太田裕之²，^○富江敏尚¹
• 12High-k/Si 直接接合構造における界面準位の定量評価について東工大フロンティア研¹，東工大総理研^{2 ○（B）}関　拓也¹，来山大祐¹，角嶋邦之²，アヘメト パールハット¹，筒井一生²，西山　彰²，杉井信之²，名取研二¹，服部健雄¹，岩井　洋¹

1a-Q - 1〜14

• 1ALDによるMgO添加 La₂O₃ ゲート絶縁膜の形成及び電気特性評価東工大フロンティア研¹，東工大総理工²，産総研^{3 ○}鈴木拓也^1,3，幸田みゆき^1,3，角嶋邦之²，Ahmet Phrhat¹，岩井　洋¹，安田哲二³
• 2La₂O₃/n-Si構造に対するPost Deposition Annealの電気特性への影響東工大フロンティア研¹，東工大総理工^{2 ○（D）}Tuokedaerhan Kamale¹，金田　翼¹，Mamatrishat Mamat¹，角嶋邦之²，Ahmet Parhat¹，筒井一生²，西山　彰²，杉井信之²，名取研二¹，服部健雄¹，岩井　洋¹
• 3W/Tm₂O₃/n-Si構造キャパシタの電気特性におけるTm₂O₃膜厚依存性東工大フロンティア研¹，東工大総理工^{2 ○}常石佳奈¹，来山大祐¹，幸田みゆき¹，角嶋邦之²，アヘメト パールハット¹，筒井一生²，西山　彰²，杉井信之²，名取研二¹，服部健雄¹，岩井　洋¹
• 4表面窒化Ge基板の高温酸化に関する検討東京農工大・工 ^○冨田　翔，鬼木悠丞，岩崎好孝，上野智雄
• 5低温・超低損傷中性粒子ビーム酸化(NBO)を用いた高品質GeO₂膜の形成(2)東北大流体研¹，産総研^{2 ○}和田章良¹，遠藤和彦²，昌原明植²，寒川誠二¹
• 6Evaluation of Chemical Bonding Features of Thermally-Grown Ge Oxide/Ge(100) System広大院先端研¹，名大院工² Siti Kudnie Sahari¹，^○大田晃生¹，松井真史¹，村上秀樹¹，東清一郎¹，宮崎誠一²
• 7Ge熱酸化膜中残留秩序構造の酸化及びアニール温度依存性阪大院工 ^○志村考功，下川大輔，松宮拓也，細井卓冶，渡部平司
•  休憩　10:45〜11:00
• 8Ge(100)と(111)表面のSulfur-処理効果の理論解析と実験的考察阪大基礎工学研究科¹，阪大ナノサイエンスデザイン教育研究センター^{2 ○（DC）}李　東訓¹，金島　岳¹，奥山正則²
• 9TiNゲートGe-MOSキャパシタのPMAによる窒素導入効果九大・総理工¹，九大・産学セ^{2 ○}坂本敬太¹，岩村義明¹，山本圭介¹，楊　海貴²，王　　冬²，中島　寛²
• 10TiN/SiO₂/GeO₂/Geゲートスタックを有するGe n-MOSFETの電気的特性九大院総理工¹，九大・産セ^{2 ○}山中　武¹，山本圭介¹，上野隆二¹，坂本敬太¹，楊　海貴²，王　　冬²，中島　寛²
• 11高密度プラズマ窒化により形成したGeON絶縁膜を用いたGe pMOSFET阪大院工 ^○糟谷篤志，朽木克博，秀島伊織，箕浦佑也，細井卓治，志村考功，渡部平司
• 12ラジカル窒化法によるAl₂O₃/Ge構造の界面特性改善名大院工¹，学振特別研究員^{2 ○}加藤公彦^1,2，坂下満男¹，竹内和歌奈¹，中塚　理¹，財満鎭明¹
• 13ALD及びLayer-by-Layer法による極薄Ta酸化膜の形成とGe(100)基板における界面酸化評価広大院先端研¹，名大院工^{2 ○}三嶋健斗¹，村上秀樹¹，大田晃生¹，Sahari S. K.¹，藤岡知宏¹，東清一郎¹，宮崎誠一²
• 14Ge基板上への Layer-by-layer法によるTiOx形成と界面反応制御広大院先端¹，名大院工^{2 ○}村上秀樹¹，藤岡知宏¹，大田晃生¹，三嶋健斗¹，S. K. Sahari¹，東清一郎¹，宮崎誠一²
•  昼食　12:45〜15:00

1p-Q - 1〜8

• 1良質なGeO₂界面層を有するHigh-k/Ge構造の作成東京農工大・工 ^○鈴木祐也，鬼木悠丞，岩崎好孝，上野智雄
• 2プラスマ後酸化法による1 nm EOT Al₂O₃/GeO_x/Geゲートスタックを用いた高移動度Ge pMOSFETs東大院工 ^○（D）張　　睿，田岡紀之，岩崎敬志，竹中　充，高木信一
• 3AR-XPSによる(NH₄)2S処理したIn_0.53Ga_0.47As表面の化学結合状態の評価都市大工¹，東工大総理工²，東工大フロンティア研^{3 ○}沼尻侑也¹，山下晃司¹，小松　新¹，ダリューシュ ザデ³，角嶋邦之²，岩井　洋³，野平博司¹
• 4high-k/ In0.53Ga0.47As MOS キャパシタの容量-電圧特性の解析東工大フロンティア研¹，東工大院総理工^{2 ○}鈴木佑哉¹，細井隆司¹，Zade Darius¹，岩井　洋¹，角嶋邦之²，Ahmet Parhat¹，筒井一生²，西山　彰²，杉井信之²，服部健雄¹，名取研二¹
• 5Al/ALD-Al₂O₃/InGaAs MOS構造における蓄積容量の解析東大院工¹，産総研²，住友化学^{3 ○（PC）}田岡紀之¹，鈴木麗菜¹，横山正史¹，飯田　亮¹，李　成薫¹，金　相賢¹，星井拓也¹，ウィパコーン ジェバスワン²，前田辰郎²，市川　磨³，安田哲二²，福原　昇³，秦　雅彦³，竹中　充¹，高木信一¹
• 6ALD Al2O3界面層を用いたHfO2/InGaAs MOS界面特性の改善東大¹，産業技術総合研究所²，住友化学^{3 ○}鈴木麗菜¹，李　成薫¹，金　相賢¹，星井拓也¹，横山正史¹，田岡紀之¹，ウィパコーン ジェバスワン²，前田辰郎²，安田哲二²，市川　磨³，福原　昇³，秦　雅彦³，竹中　充¹，高木信一¹
• 7Improved MIS characteristics for ALD-Al₂O₃/InP(111)B interfaces産総研¹，住友化学²，東大^{3 ○}Wipakorn Jewasuwan¹，卜部友二¹，前田辰郎¹，宮田典幸¹，安田哲二¹，市川　磨²，秦　雅彦²，田岡紀之³，竹中　充³，高木信一³
• 8InGaAs表面の亜セレン酸溶液処理によるMISFET特性改善産総研¹，物材機構²，住友化学³，東大⁴ 卜部友二¹，^○安田哲二¹，宮田典幸¹，前田辰郎¹，大竹晃浩²，市川　磨³，福原　昇³，秦　雅彦³，横山正史⁴，田岡紀之⁴，竹中　充⁴，高木信一⁴