12. 有機分子・バイオエレクトロニクス

30a-R - 1〜16

• 1カルボニル架橋ビチアゾールをコアユニットとするｎ型半導体材料の構造とFET特性阪大産研¹，JST-さきがけ^{2 ○}二谷真司¹，家　裕隆^1,2，安蘇芳雄¹
• 2有機電荷移動錯体から有機半導体へのキャリア注入東工大院理工¹，ＣＮＲＳ　ＬＣＣ²，トゥールーズ大^{3 ○}角屋智史¹，Dominique De Caro^2,3，Kane Jacob^2,3，Christophe Faulmann^2,3，Lydie Valade^2,3，森　健彦¹
• 3tert-ブチル基含有オリゴチオフェンを用いた有機トランジスタ東工大院理工 ^○秋山雄斗，森　健彦
• 4低真空蒸着による有機薄膜トランジスタ東工大院理工 ^○（M2）高橋沢斗，森　健彦
• 5ジチエニルテトラチアフルバレン誘導体を用いたトランジスタ特性の光応答性東工大院理工 ^○柿沼友行，川本　正，森　健彦
• 6チオフェン骨格を基盤とする液晶半導体の合成と電界効果型トランジスタへの応用Center for Organic Photonics and Electronics Research¹，応用化学²，未来科学創造センター^{3 ○}Yang Yuseok^1,2，安田琢麿^1,2，安達千波矢^1,2,3
• 7液晶性有機半導体8TNAT8を用いた塗布型有機FET奥野製薬工業¹，産総研関西^{2 ○}木本正臣¹，物部浩達²，清水　洋²
• 8（チオフェン/フェニレン）コオリゴマーのヘテロ接合膜を用いた両極性有機電界効果型トランジスタ奈良先端大物質¹，京都工繊大院工芸² 今井俊太¹，^○柳　久雄¹，山雄健史²，堀田　収²
• 9室温焼結型銀ナノ粒子を用いた塗布系有機トランジスタ山形大ROEL¹，山形大工²，山形大院理工^{3 ○}福田憲二郎¹，小林　悠²，竹田泰典²，関根智仁²，熊木大介¹，栗原正人³，坂本政臣³，時任静士¹
• 10高分子封止膜のよる有機トランジスタの耐熱性改善東大工¹，プリンストン大²，マックスプランク研³，米国標準技術局⁴，広島大⁵，日本化薬^{6 ○}栗原一徳¹，He Wang²，内山直哉¹，福田憲二郎¹，横田知之¹，関谷　毅¹，Ute Zschieshang³，Cherno Jaye⁴，Daniel Fischer⁴，Hagen Klauk³，山本達也⁵，瀧宮和男⁵，池田征明⁶，桑原博一⁶，Yueh-Lin Loo²，染谷隆夫¹
• 11ナイロンを絶縁層に用いた有機電界効果トランジスタ型メモリー早大先進理工 ^○酒井平祐，磯田隼人，古川行夫
• 12有機薄膜トランジスタ用ゲート絶縁層材料としてのポリシルセスキオキサンの検討和歌山大システム工 ^○河村眞人，中原佳夫，宇野和行，坂本英文，木村恵一，田中一郎
• 13自己組織化膜ゲート絶縁層を用いた溶液プロセスによる有機薄膜トランジスタ（２）産総研電子光技術¹，東理大理工²，筑波大院数物³，JSTさきがけ⁴ 玉浦祐介^1,2，^○近松真之¹，則包恭央¹，阿澄玲子¹，田村雅史²，辻　大毅³，丸本一弘^3,4
• 14ボトムコンタクト型OFETにおけるコンタクト電極直上へのキャリアドーピング京大院工¹，東洋大バイオナノ^{2 ○（M2）}若月雄介¹，野田　啓¹，和田恭雄²，鳥谷部達²，松重和美¹
• 15分子ドープされた極薄絶縁バッファ層を有する有機トランジスタ京大院工 ^○山岸裕史，若月雄介，野田　啓，松重和美
• 16大IP有機半導体材料に対する化学的キャリアドーピング千葉大院工¹，奈良先端大物質^{2 ○}岡本樹宜¹，増田将太郎¹，酒井正俊¹，工藤一浩¹，中村雅一^1,2

31a-R - 1〜24


• 1高撥水性基板上における有機半導体の簡易成膜プロセス開発II産総研¹，信越化学工業^{2 ○}井川光弘¹，松井弘之¹，山田寿一¹，長谷川達生¹，茂木　弘²
• 2トップコンタクト型ペンタセン電界効果トランジスタの電気的特性に与える電極形成後アニールの効果山梨大 ^○小野島紀夫，都築弘樹，加藤孝正
• 3スピンコート法により作製したトップゲート型C₈-BTBT FETの高移動度化大阪府大院工¹，RIMED²，広島大³，日本化薬⁴，九大OPERA^{5 ○（M1）}望月文雄¹，遠藤歳幸¹，永瀬　隆^1,2，小林隆史^1,2，瀧宮和男³，池田征明^4,5，内藤裕義^1,2
• 4ソフトリソグラフィを用いて有機半導体層をパターン化した高分子電界効果トランジスタの作製信州大工 ^○（M1）金井　涼，伊東栄次
• 5摩擦転写法を用いたフレキシブルな有機トランジスタの開発産総研電子光技術¹，東理大院理工^{2 ○}寅谷紀幸^1,2，則包恭央¹，堀井美徳¹，近松真之¹，山本昌志^1,2，阿澄玲子¹，田村雅史²
• 6PVP平坦化によるペンタセンの結晶性改善の検討東工大総理工¹，建国大^{2 ○}神野浩介¹，石原　宏^1,2，大見俊一郎¹
• 7ペンタセン薄膜相は基板相互作用起因か？: MD計算による解析 III産総研¹，日立中研^{2 ○}米谷　慎¹，川崎昌宏²，安藤正彦²
• 8Photo-induced Magnetoresistance in Single-crystalline Pentacene Field Effect Transistor阪大基礎工 ^○Toan Pham，Yoshitaka Kawasugi，Hirokazu Tada
• 9形状記憶フィルム基板上への3V駆動有機トランジスタの作製と回路応用東大工¹，マックスプランク研究所²，広島大³，日本化薬^{4 ○}加藤　裕¹，関谷　毅¹，横田知之¹，Ute Zschieschang²，Hagen Klauk²，山本達也³，瀧宮和男³，池田征明⁴，桑原博一⁴，染谷隆夫¹
• 10スタンプ法による低電圧駆動有機インバータのスイッチ電圧制御東大工¹，マックスプランク研究所²，広島大³，日本化薬^{4 ○}平田郁恵¹，Ute Zschieschang²，Frederik Ante²，横田知之¹，栗原一徳¹，山本達也³，瀧宮和男³，池田征明⁴，桑原博一⁴，Hagen Klauk²，関谷　毅¹，染谷隆夫¹
• 11ペンタセンTFTのキャリア移動度に対する有機層蒸着速度の影響奈良先端大物質¹，千葉大院工^{2 ○}松原亮介^1,2，野村俊夫²，酒井正俊²，工藤一浩²，中村雅一^1,2
• 12極薄有機薄膜トランジスタにおける水と酸素の影響兵庫県立大工 ^○部家　彰，堀内智康，松尾直人
• 13ルブレン単結晶FETのモデル界面の電子構造千葉大院融合¹，千葉大先進²，Humboldt Univ.³，BESSY G.m.b.H.^{4 ○}町田真一¹，中山泰生²，Jens Niederhausen³，金城拓海¹，Antje Vollmer⁴，Norbert Koch³，石井久夫^1,2
• 14有機半導体へのキャリア注入機構の調査農工大工 ^○湯口貴彦，岩崎好孝，上野智雄
• 15有機トランジスタ電荷注入機構における大気暴露の効果物材機構¹，理研²，JST-CREST^{3 ○}三成剛生^1,2，熊谷明哉¹，Lu Xubing¹，塚越一仁^1,3
• 16電荷変調分光法による２層積層型両極性トランジスタのキャリア蓄積層の分離測定東工大 ^○張　　楽，田口　大，間中孝彰，岩本光正
• 17TIPSペンタセンFETのグレイン境界におけるキャリア挙動東工大院理工 ^○間中孝彰，柴田雄介，阿部洋平，山本哲也，岩本光正
• 18ペンタセン蒸着速度による有機トランジスタ内部のキャリア注入、輸送の影響東工大院¹，スロバキア科研^{2 ○（D）}李　建権¹，マーティン ワイス²，田口　大¹，間中孝彰¹，岩本光正¹
• 19有機トランジスタの飽和領域における接触抵抗評価早大先進¹，東北大理²，JST-PRESTO^{3 ○}今川雅貴¹，澤部宏輔²，竹延大志^1,3
• 20Levenberg-Marquardt algorithmを用いた有機電界効果トランジスタの接触抵抗評価大阪府大院工¹，大阪府大分子エレクトロニックデバイス研^{2 ○}吉川真史¹，岡　将来¹，西上修平¹，永瀬　隆^1,2，小林隆史^1,2，内藤裕義^1,2
• 21有機半導体DDBDを用いたn型有機薄膜トランジスタにおける電子注入の変位電流観察東工大応セラ¹，ナンヤン大^{2 ○}東　康男¹，Jinchong Xiao²，Qichun Zhang²，真島　豊¹
• 22P(VDF-TrFE)/ペンタセン二層キャパシタにおける自発分極の二段階変化の観測東工大 ^○李　　俊，田口　大，間中孝彰，岩本光正
• 23ペンタセンFETにおけるTHz波吸収のゲート電界変調千葉大院工¹，奈良先端大物質創成²，千葉大院融合^{3 ○}李　世光^1,2，松末俊夫³，酒井正俊¹，工藤一浩¹，中村雅一^1,2
• 24インピーダンス分光法による有機ＭＩＳダイオードの界面準位密度分布評価大阪府大院工¹，大阪府大分子エレクトロニックデバイス研²，大阪府立産技総研³，大阪市工研^{4 ○}八田英之¹，宮川雄飛¹，永瀬　隆^1,2，小林隆史^1,2，村上修一³，渡辺　充⁴，松川公洋⁴，内藤裕義^1,2

1a-R - 1〜15


• 1ゲート絶縁膜表面修飾した導電性高分子ナノファイバー1本レベルのFET特性農工大院BASE ^○三木健生，下村武史
• 2Bis(thieno[2,3-d])tetrathiafulvaleneへの長鎖アルキルチオ基の導入効果広島大院工 ^○（PC）土井伊織，五舛目清剛，宮碕栄吾，瀧宮和男
• 3真空蒸着により堆積したルブレンを用いたトップコンタクト型のOTFTの製作立命館大理工 ^○大久保源志郎，廣瀬靖彦，小林大祐，牧野淳平，今井　茂
• 4塗布工程による高移動度C₆₀薄膜トランジスタの作製東大ナノ量子機構¹，東大生研²，神戸大院工³，シャープ^{4 ○（D）}康　宇建^1,2，北村雅季^1,3，青森　繁^1,4，荒川泰彦^1,2
• 5イオンゲルを用いた RR-P3HT薄膜トランジスタの電子スピン共鳴筑波大院数物¹，東北大院理²，早大院先進³，JSTさきがけ⁴，東大院工^{5 ○（M2）}辻　大毅¹，高橋優貴¹，蓬田陽平²，竹延大志^3,4，岩佐義宏⁵，丸本一弘^1,4
• 6ESR法を用いた有機FET中の不純物分析とデバイス特性への影響住化分析センター¹，産総研²，広大工^{3 ○}高橋永次¹，松井弘之²，瀧宮和男³，長谷川達生²
• 7ESRの異方性を利用した多結晶OTFTの結晶内‐結晶間のキャリア運動性の分離測定産総研¹，山形大有機エレ²，住化分析センター³，広大工^{4 ○}松井弘之¹，熊木大介²，高橋永次³，瀧宮和男⁴，時任静士²，長谷川達生¹
• 8レーザー干渉法による有機薄膜トランジスタのチャネル内電荷密度分布の可視化富士電機¹，産総研^{2 ○}金井直之¹，松井弘之²，堤　潤也²，山田寿一²，長谷川達生²
•  休憩　11:00〜11:15
• 9高移動度有機半導体単結晶薄膜のダブルショット・インクジェット印刷II産総研¹，東大工²，物構研CMRC^{3 ○}峯廻洋美¹，山田寿一¹，千葉亮輔^1,2，松井弘之¹，堤　潤也¹，Haas Simon¹，熊井玲児^1,3，長谷川達生¹
• 10貧溶媒添加型インクジェット印刷法による各種有機半導体の均質薄膜作形成産総研¹，東大工^{2 ○}千葉亮輔^1,2，峯廻洋美¹，山田寿一¹，長谷川達生¹
• 11EFISHG測定によるITO/PI/P3HT/Au構造素子内のP3HT層電界分布の評価東工大理工 ^○（D）宮沢　亮，田口　大，間中孝彰，岩本光正
• 12単結晶有機半導体のキャリア伝導シミュレーション筑波大数物¹，阪大産研²，NEC^{3 ○（P）}石井宏幸¹，小林伸彦¹，植村隆文²，竹谷純一²，広瀬賢二³
• 13グラフェン電極を用いたトップコンタクト型有機FETの作製と評価埼玉大院理工¹，東大院新領域²，三菱ガス化学^{3 ○}菅沼洸一¹，斉木幸一朗²，後藤拓也³，上野啓司¹
• 14可溶化酸化グラフェン添加による有機電界効果トランジスタの特性改善（2）埼玉大院理工¹，東大院新領域²，三菱ガス化学^{3 ○}坂本　舞¹，菅沼洸一¹，斉木幸一朗²，後藤拓也³，上野啓司¹
• 15溶液プロセスによるグラフェン電極ペンタセン TFT の作製と評価東大院理¹，東大院新領域^{2 ○}小槻賢志¹，小幡誠司²，斉木幸一朗^1,2
•  昼食　13:00〜15:10

1p-R - 1〜13

• 1「論文奨励賞受賞記念講演」（20分）
  Self Contact Organic Transistors東工大 ^○井上隼一
• 2有機TFT用新規絶縁膜材料の開発カネカ ^○田原孔明，稲成浩史，井手正仁，眞鍋貴雄
• 3Low temperature fabrication of low-voltage operating pentacene-based organic field-effect transistors with HfON gate insulator東工大¹，Konkuk University^{2 ○}廖　　敏¹，石原　宏^1,2，大見俊一郎¹
• 4Control of threshold voltage of pentacene field-effect transistors for nonvolatile data storage application北陸先端大マテリアル ^○トゥアン ダオ，松島敏則，村田英幸
• 5ポリビニルフェノールを絶縁膜としたペンタセンＦＥＴのTRM-SHG測定によるキャリア伝播の直接観察東工大¹，丸善石油化学² 正田　洋¹，^○田口　大¹，間中孝彰¹，岩本光正¹，西浦崇雄²，飯塚徹也²，竹森利郁²
• 6塗布型有機トランジスタにおける薄膜表面、基板界面のキャリア移動度評価大阪府大院工¹，RIMED²，帝人　融合技研^{3 ○（M1）}高木謙一郎¹，永瀬　隆^1,2，小林隆史^1,2，串田　尚³，内藤裕義^1,2
•  休憩　16:45〜17:00
• 7高導電性イオン液体ゲート高分子トランジスタのキャリア輸送ケンブリッジ大¹，電中研^{2 ○}坂上　知^1,2，Henning Sirringhaus¹
• 8PVAゲート誘電体中への微量Na添加によるペンタセンFETの両極動作特性制御埼玉大院理工¹，東大院新領域^{2 ○}吉永裕亮¹，斉木幸一朗²，上野啓司¹
• 9有機伝導体(BEDT-TTF)(TCNQ)の薄膜単結晶合成とモット転移の測定慶大¹，理化学研²，JST さきがけ³，東工大^{4 ○（M1）}木村弘志^1,2，山本浩史^2,3,4，崔　亨波²，加藤礼三²，粟野祐二¹
• 10電極表面修飾層を用いた電荷注入障壁の外場による可逆的スイッチング東北大WPI-AIMR¹，東北大理²，東北大薬^{3 ○}野内　亮^1,2，重野真徳³，山田　直²，谷垣勝己^1,2，山口雅彦^1,3
• 11高次液晶相を発現する液晶性有機半導体の分子設計東工大像情報¹，ＪＳＴ-ＣＲＥＳＴ^{2 ○}半那純一^1,2，小堀武夫²，臼井孝之²，高屋敷由紀子²，飯野裕明^1,2，大野　玲²
• 12高次液晶相を発現するアントラセン誘導体の合成と電荷輸送特性東工大像情報¹，ＪＳＴ-ＣＲＥＳＴ^{2 ○}高屋敷由紀子^1,2，飯野裕明^1,2，半那純一^1,2
• 13高次液晶相を有するBTBT誘導体を用いた多結晶薄膜の作製とFET応用東工大像情報¹，ＪＳＴ-ＣＲＥＳＴ^{2 ○}飯野裕明^1,2，小堀武夫^1,2，臼井孝之^1,2，半那純一^1,2

2a-R - 1〜12


• 1薄膜トランジスタ用新規可溶性ナフタレンジイミド誘導体-II信州大・繊維¹，大日精化工業²，JST・さきがけ^{3 ○}横田洋一郎¹，全　現九¹，小熊尚実²，平田直毅²，市川　結^1,3
• 2末端アミノ基を有する新規な自己組織化単分子膜による高性能塗布型有機トランジスタ阪大産研¹，広大院工^{2 ○}岡本敏宏¹，吉住昌将¹，広瀬友里¹，山岸正和¹，宇野真由美¹，植村隆文¹，瀧宮和男²，竹谷純一¹
• 3光変換型ペンタセンFETにおける溶媒添加効果山形大院理工¹，奈良先端大物質²，CREST^{3 ○}中山健一^1,3，及川悦誠^1,3，大橋知佳^1,3，城戸淳二¹，山田容子^2,3
• 4塗布結晶化法による大気安定な高移動度n型有機トランジスタ阪大院理¹，阪大産研²，高エネ研³，poryera^{4 ○}添田淳史¹，植村隆文²，水野　裕²，中尾朗子³，中澤康浩¹，Facchetti Antonio⁴，竹谷純一^1,2
• 5レーザーエッチングを用いた短チャネル塗布型単結晶OFETの作製阪大産研¹，阪大院工²，広大院工^{3 ○}植村隆文¹，三宅謙次郎²，広瀬友里¹，宇野真由美¹，瀧宮和男³，竹谷純一¹
• 6絶縁体表面処理及び後処理によるナノ結晶塗布有機薄膜トランジスタの高性能化信州大繊維¹，大日精化工業²，JSTさきがけ^{3 ○（P）}全　現九¹，小熊尚実²，平田直毅²，市川　結^1,3
• 7Air-gap構造を用いた短チャネル・高移動度有機トランジスタ阪府産技研¹，阪大産研^{2 ○}宇野真由美^1,2，植村隆文²，三輪一元²，竹谷純一²
• 8F4TCNQドーピング層をソース・ドレイン電極としたP3HT有機電界効果トランジスタの作製東北大通研 ^○但木大介，馬　　騰，木村康男，庭野道夫
• 9インプリント法を用いたフレキシブル三次元有機トランジスタの作製大阪府産技研¹，大阪大産研²，広大院工^{3 ○}李　万燕^1,2，宇野真由美^1,2，広瀬有里²，瀧宮和男³，竹谷純一²
• 10フローティングゲート構造を用いた低電圧駆動CMOSインバータの閾値電圧制御東大工¹，マックスプランク研究所²，東大ナノ量子機構^{3 ○}横田知之¹，関谷　毅¹，中川　隆¹，野口儀晃¹，福田憲二郎¹，竹内　健¹，Ute Zschieschang²，Hagen Klauk²，染谷隆夫^1,3
• 11高速動作有機CMOSリングオシレータ：発振周波数 200 kHz東大ナノ量子機構・生研¹，神戸大院工²，シャープ^{3 ○}北村雅季^1,2，葛本恭崇^1,3，青森　繁^1,3，荒川泰彦¹
• 12有機トランジスタからの電流励起狭線化発光 (IV)〜回折格子上の積層有機結晶トランジスタ〜京工繊大院工芸 ^○山雄健史，牧野吉剛，岡田哲周，堀田　収