14. 半導体B（探索的材料・物性・デバイス）

31p-P16 - 1〜17

• 1多重量子井戸太陽電池における井戸内励起I-V特性の温度依存性物材機構¹，豊田工大^{2 ○}丁　　毅¹，野田武司¹，間野高明¹，迫田和彰¹，榊　裕之^1,2
• 2AlGaAs/ AlAsタイプII量子井戸の光学的特性と基板面方位依存性愛媛大 ^○谷　勇気，神野泰輔，下村　哲
• 3GaAs薄膜中の光電場に対する局所場の効果神戸大院工¹，徳大院工^{2 ○}小島　磨¹，山下太香恵¹，喜多　隆¹，井須俊郎²
• 4波長変換機能を実現するGaAs/AlAs多層膜三結合共振器中の非線形分極徳島大院フロンティア ^○安長千徳，上山日向，森田　健，北田貴弘，井須俊郎
• 5超高速光スイッチに向けたGaAs/Air 共振器構造の作製徳島大¹，日亜化学工業^{2 ○}張　ミン¹，中河義典^1,2，森田　健¹，北田貴弘¹，井須俊郎¹
• 6GaAs/AlAs多層膜結合共振器のテラヘルツ帯差周波発生の分極反転効果徳島大院フロンティア¹，日亜化学^{2 ○}滝本隼主¹，加藤　翔¹，田中文也¹，中河義典^1,2，森田　健¹，北田貴弘¹，井須俊郎¹
• 7結合機械共振器のパラメトリックポンピングによる振動モード分裂ＮＴＴ物性基礎研 ^○岡本　創，Imran Mahboob，小野満恒二，山口浩司
• 8GaAs/AlGaAsヘテロ構造カンチレバーにおけるキャリア誘起光機械結合NTT物性基礎研¹，東北大^{2 ○（D）}渡邉敬之^1,2，岡本　創¹，小野満恒二¹，後藤秀樹¹，寒川哲臣¹，山口浩司^1,2
• 9InAsP/InPナノワイヤ成長におけるInAs反応種の拡散の影響NTT物性基礎研 ^○舘野功太，Guoqiang Zhang，後藤秀樹，寒川哲臣
• 10自己触媒法により成長したInP ナノワイヤNTT物性基礎研 ^○章　国強，舘野功太，後藤秀樹，寒川哲臣
• 11InAsナノワイヤを用いたジョセフソン接合中の超伝導電流理研¹，東理大応物²，NTT物性基礎研^{3 ○（PC）}西尾隆宏¹，小堺達也^1,2，天羽真一¹，章　国強³，舘野功太³，高柳英明²，石橋幸治¹
• 12縦型InAsナノワイヤFETの作製と評価北大院情科研¹，北大量集セ^{2 ○}小林悠太¹，小橋義典¹，原慎二郎^1,2，本久順一¹
• 13Si上のn型InGaAsナノワイヤサラウンディングゲートトランジスタ北大院情報科学、量子集積センター¹，JSTさきがけ^{2 ○}冨岡克広^1,2，吉村正利¹，福井孝志¹
• 14Caf₂/CdF₂/Siヘテロ接合量子井戸構造を用いた抵抗スイッチング素子の保持特性評価東工大院総理工 ^○瓜生和也，渡辺正裕
• 15Si基板上への低リーク電流CaF2層の低温成長東工大総理工 ^○林　優士，高橋慶太，筒井一生
• 16反応抑制シリサイド層を用いたSi基板上弗化物ヘテロ構造の成長東工大総理工 ^○萱沼良介，武井優典，高橋慶太，筒井一生
• 17Ge基板上の弗化物極薄絶縁層における組成依存リーク電流の検討東工大総理工 ^○高橋慶太，寺山一真，田村智晃，林　優士，萱沼良介，筒井一生

1a-K - 1〜15

• 1高密度なφ6nmシリコンナノディスク2次元アレイの作製と光学的特性評価東北大流体研¹，慶応大²，JST-CREST^{3 ○}Budiman Mohd Fairuz^1,3，五十嵐誠^1,3，胡　衛国^1,3，磯田大河²，伊藤公平^2,3，寒川誠二^1,3
• 2Siナノディスク構造のPL特性とその発光起源東北大¹，北海道大²，JST-CREST^{3 ○}五十嵐誠^1,3，木場隆之^2,3，水島佳也²，村山明宏^2,3，寒川誠二^1,3
• 3Siナノディスクアレイの発光特性とキャリア状態北大院情報科学¹，東北大流体研²，JST-CREST^{3 ○}水島佳也¹，木場隆之^1,3，村山明宏^1,3，五十嵐誠^2,3，寒川誠二^2,3
• 4Siナノディスクアレイにおける光励起キャリアの超高速ダイナミクス北大¹，東北大²，JST-戦略的創造研究推進事業^{3 ○}木場隆之^1,3，水島佳也¹，村山明宏^1,3，五十嵐誠^2,3，寒川誠二^2,3
• 5障壁材料としてSiCを用いたSi量子ナノディスクアレイ構造の電気・光学特性東北大¹，東京大²，北海道大³，JST-CREST^{4 ○}五十嵐誠^1,4，海津利行^2,4，岡田至崇^2,4，木場隆之^3,4，村山明宏^3,4，寒川誠二^1,4
• 6Band Sructure of Silicon Nanodisk for Photovoltaic Application東北大流体研¹，JST-CREST^{2 ○}胡　衛国^1,2，Budiman Mohd Fairuz^1,2，五十嵐誠^1,2，久保田智広¹，寒川誠二^1,2
• 7Top-down Process of Fabricating Two-dimensional Array of Sub-10nm GaAs Nanodisk by Bio-template Neutral Beam Etching東北大流体研¹，東京大生産研²，JST-CREST^{3 ○}林　士弘^1,3，王　宣又^1,3，黄　啓賢^1,3，塚本里加子^1,3，海津利行^2,3，五十嵐誠^1,3，岡田至崇^2,3，寒川誠二^1,3
•  休憩　10:45〜11:00
• 8PVPまたはPVK層に埋め込まれたCdTeナノ粒子の時間分解フォトルミネッセンス測定早大先進理工¹，漢陽大²，亞洲大^{3 ○}山口　亮¹，Dong-Yeol Yun²，Tae-Whan Kim²，Sung-Woo
  Kim³，Sang-Wook Kim³，笹山和俊¹，中西奏太¹，小柳慶継¹，竹内　淳¹
• 9CdS/CdTeヘテロダイマー量子ドットの超高速電荷移動ダイナミクス京大化研¹，筑波大院数物^{2 ○（D）}田口誠二¹，猿山雅亮²，寺西利治²，金光義彦¹
• 10Temporal Response Analysis of Trap State of Single CdSe/ZnS Quantum Dots on a Thin ITO Substrate北大電子研¹，JSTさきがけ^{2 ○（M2）}斉　　君¹，太田宏紀¹，藤原英樹^1,2，笹木敬司¹
• 11DQW局在スピン偏極励起子発光の動特性山梨大医工 ^○岩崎文昭，菱川正夫，深澤左興，小仲修平，輿石　渓，村中　司，鍋谷暢一，松本　俊
• 12Si_1-xGe_xナノ粒子のキャリア緩和ダイナミクス京大化研¹，神戸大院工^{2 ○}上田　慧¹，太野垣健¹，福田真俊²，藤井　稔²，金光義彦¹
• 13量子情報通信に向けた量子ドットの発光制御慶大 ^○高橋基紀，津守伸宏，斎木敏治
• 14InAs量子構造による赤外から可視光へのアップコンバーションのInAs膜厚依存性豊田工大 ^○（D）David Tex，神谷　格
• 15Au超クラスターからの発光機構甲南大理工¹，関西大システム理工²，関西大化学生命工³，情報通信研究機構^{4 ○（M2）}坂永　勇¹，稲田　貢²，齊藤　正²，川崎英也³，岩崎泰彦³，山田俊樹⁴，梅津郁郎¹，杉村　陽¹
•  昼食　13:00〜15:00

1p-K - 1〜10

• 1「論文奨励賞受賞記念講演」（20分）
  Control of Inter-Dot Electrostatic Coupling by a Side Gate in a Silicon Double Quantum Dot Operating at 4.5K東工大 ^○山端元音
• 2表面結合とサイズ効果を考慮したSi量子ドットキャリア増倍効果の計算化学的評価東北大院工¹，東北大未来^{2 ○}広瀬　祥¹，南雲　亮²，三浦隆治¹，鈴木　愛²，坪井秀行²，畠山　望¹，高羽洋充¹，宮本　明^2,1
• 3水素プラズマ表面処理とシランガスからの化学気相成長で作製されたナノクリスタルSiドットの光学的研究明大¹，豊田工大^{2 ○}水上雄輝¹，小瀬村大亮¹，沼沢陽一郎¹，大下祥雄²，小椋厚志¹
• 4単一量子ドットの光学異方性：異方的交換相互作用と価電子帯混合北大院工 ^○大野槙悟，鍜治怜奈，足立　智，武藤俊一
• 5InAsコラムナ量子ドットにおけるスピン緩和時間の温度依存性早大先進理工¹，S.I.N.N.-CAS²，EPFL³，Eindhoven Univ.^{4 ○}中西奏太¹，笹山和俊¹，小柳慶継¹，Shulong Lu²，Lianhe Li³，Andrea Fiore⁴，竹内　淳¹
• 6単層高均一InAs量子ドットのスピン緩和時間の温度依存性早大先進理工¹，電通大先進理工^{2 ○}笹山和俊¹，太田　潤²，中西奏太¹，小柳慶継¹，山口　亮¹，山口浩一²，竹内　淳¹
• 7InGaAs/AlAsSb多重量子井戸の低温(10K)でのスピン緩和時間測定早大¹，産総研^{2 ○}小柳慶継¹，牛頭信一郎²，物集照夫²，笹山和俊¹，中西奏太¹，山口　亮¹，竹内　淳¹
• 82DEGキャリア制御による機械振動子の高効率遠隔励振NTT物性科学基礎研究所 ^○畑中大樹，Imran Mahboob，山口浩司
• 9非共鳴励起下における励起子ポラリトンと光電場の結合神戸大院工¹，徳大院工^{2 ○}大田翔平¹，小島　磨¹，喜多　隆¹，井須俊郎²
• 10GaAs中の窒素ペアに束縛された励起子のフォノンサイドバンド発光神戸大院工 ^○原田幸弘，久保輝宜，井上知也，小島　磨，喜多　隆

2a-K - 1〜11


• 1電子線誘起蒸着による量子ドット位置制御技術の開発日工大¹，日工大^{2 ○（M2）}鄭　載勲¹，飯塚完司²
• 2MOCVD法により形成した位置制御量子ドットの光学特性〜PL線幅63ueVの実現NanoQuine¹，IIS²，RCAST^{3 ○}Faure Stephane¹，西岡政雄²，石田悟己³，大田泰友^1,2，荒川泰彦^1,2
• 3多重積層ＩｎＧａＡｓ半導体量子ドットの発光特性評価愛知工業大¹，香大工²，産総研^{3 ○}五島敬史郎¹，中川　清²，中西俊介²，小森和弘³，菅谷武芳³
• 4多層積層高密度量子ドットにおける光学利得神戸大院工¹，情通機構^{2 ○}田中秀治¹，小島　磨¹，喜多　隆¹，赤羽浩一²
• 5積層量子ドット構造を含む半導体マイクロチューブの作製と光学特性同志社大工¹，情報機構²，大阪市大工^{3 ○（M1）}伊藤祐輝¹，西田博貴¹，赤羽浩一²，細田　誠³，大谷直毅¹
•  休憩　10:15〜10:30
• 6外部共振器型InAs/InGaAs量子ドット光源の広帯域波長可変特性電機大¹，情通機構^{2 ○（M1）}吉岡佑毅¹，山本直克²，赤羽浩一²，川西哲也²，高井裕司¹
• 7量子ドットにおけるMulti Exciton Generation/Recombinationダイナミクス京大院理¹，ロチェスター大^{2 ○}金　賢得¹，Prezhdo Oleg²
• 8量子ドット中の励起子に対する金属薄膜での光吸収効果NTT物性基礎研 ^○後藤秀樹，眞田治樹，山口浩司，寒川哲臣
• 9面内電場による単一量子ドット発光の制御：理論解析と実験の比較東大ナノ量子機構¹，上智大理工^{2 ○}斎藤敏夫¹，田村悠悟¹，宮澤俊之¹，中岡俊裕^1,2，岩本　敏¹，荒川泰彦¹
• 10荷電量子ドットの微細構造と熱アニールの影響ＮＥＣグリーン研¹，東大ナノ量子機構²，東大生研^{3 ○}白根昌之^1,2，五十嵐悠一^1,2，太田泰友²，野村政宏^2,3，熊谷直人²，大河内俊介²，桐原明宏^1,2，石田悟己³，岩本　敏^2,3，萬　伸一^1,2，荒川泰彦^2,3
• 11円偏光励起された単一量子ドット中正荷電励起子/励起子分子の偏光特性東大ナノ量子機構¹，東大生研²，NECグリーン研^{3 ○}Edmund Harbord¹，太田泰友¹，白根昌之^1,3，五十嵐悠一^1,3，熊谷直人¹，大河内俊介¹，岩本　敏^1,2，萬　伸一^1,3，荒川泰彦^1,2
•  昼食　12:00〜13:00

2p-K - 1〜7

• 1「半導体Ｂ（探索的材料・物性・デバイス）分科内招待講演」（30分）
  電子スピンを用いた光電量子メディア変換および量子メモリへの応用東北大電気通信研 ^○小坂英男
• 2量子ドットにおける中性-荷電状態間遷移の評価北大電子研¹，北大GCOE^{2 ○}中島秀朗^{1, 2}，熊野英和¹，飯島仁史¹，笹倉弘理¹，末宗幾夫¹
• 3H1型高Q値フォトニック結晶ナノ共振器における量子ドットの光シュタルク効果の観測東大ナノ量子機構¹，東大生研²，東大先端研^{3 ○}都木宏之^1,2，太田泰友¹，熊谷直人¹，石田悟己³，岩本　敏^1,2，荒川泰彦^1,2
• 4新規な微小金属拡散を利用した埋め込まれた自己形成量子ドットへの電気コンタクト上智理工¹，JSTさきがけ²，東大ナノ量子機構³，東大生研^{4 ○}中岡俊裕^1,2,3，渡邊克之^3,4，熊谷直人^3,4，荒川泰彦^3,4
• 5並列結合したシリコン量子ドットにおける電荷検出実験東工大量子ナノ研セ¹，東大ナノ量子機構²，さきがけ-JST³，日立ケンブリッジ研⁴，東工大院理工⁵，東大生産研^{6 ○}小寺哲夫^1,2,3，堀部浩介¹，林　文城¹，蒲原知宏¹，Thierry Ferrus⁴，Alessandro Rossi⁴，内田　建⁵，David Williams⁴，荒川泰彦^2,6，小田俊理¹
• 6単一自己組織化InAs量子ダッシュトランジスタの磁場中伝導特性東大生産研¹，ETH Zurich²，東大ナノ量子機構³，CREST-JST^{4 ○}柴田憲治¹，Nikola Pascher²，関　享太¹，Stephan Schnez²，Thomas Ihn²，Klaus Ensslin²，平川一彦^1,3,4
• 7自己形成InAs量子リング素子における微分コンダクタンスの磁場依存性東理大理¹，物材機構 MANA²，物材機構^{3 ○（M2）}神尾充弥¹，金　鮮美²，井上亮太郎¹，矢吹紘久¹，定　昌史³，野田武司³，渡辺英一郎³，津谷大樹³，高柳英明^1,2