| 1. 放射線 | 8月29日（月） | 8月30日（火） | 8月31日（水） | 9月1日（木） | 9月2日（金） | |||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 午前 | 午後 | 午前 | 午後 | 午前 | 午後 | 午前 | 午後 | 午前 | 午後 | |
| 1.1 放射線物理一般・検出器基礎 | 地域1-T9:0012:45 | 地域1-T15:0016:30 | ||||||||
| 1.2 検出器開発 | 地域1-T9:0013:00 | 地域1-T15:0016:30 | ||||||||
| 1.3 放射線応用・発生装置・新技術 | 地域1-T9:0013:00 | 地域1-T15:0016:15 | ||||||||
| 2. 計測・制御 | 8月29日（月） | 8月30日（火） | 8月31日（水） | 9月1日（木） | 9月2日（金） | |||||
| 午前 | 午後 | 午前 | 午後 | 午前 | 午後 | 午前 | 午後 | 午前 | 午後 | |
| 2.1 計測・制御技術 | 理1-B10:3010:56 | |||||||||
| 2.2 精密計測・ナノ計測 | 理1-B11:4512:30 | |||||||||
| 2.3 計測標準 | 基盤1-J15:0017:45 | |||||||||
| 3. 光 | 8月29日（月） | 8月30日（火） | 8月31日（水） | 9月1日（木） | 9月2日（金） | |||||
| 午前 | 午後 | 午前 | 午後 | 午前 | 午後 | 午前 | 午後 | 午前 | 午後 | |
| 3.1 物理光学・光学基礎 | 基盤3-ZG15:0017:15 | |||||||||
| 3.2 材料光学 | 基盤3-ZL15:0018:00 | |||||||||
| 3.3 機器・デバイス光学 | 第1-P1213:0015:00 | |||||||||
| 3.4 計測光学 | 基盤3-ZL10:3011:30 | |||||||||
| 3.5 情報光学 | 基盤3-ZL15:0018:45 | |||||||||
| 3.6 生体・医用光学 | 理1-B15:0018:15 | 理1-B9:0012:00 | 理1-B13:0015:00 | |||||||
| 3.7 近接場光学 | 第1-P1313:0015:00 | |||||||||
| 3.8 光学新領域 | 基盤3-ZJ15:0018:30 | |||||||||
| 4. 量子エレクトロニクス | 8月29日（月） | 8月30日（火） | 8月31日（水） | 9月1日（木） | 9月2日（金） | |||||
| 午前 | 午後 | 午前 | 午後 | 午前 | 午後 | 午前 | 午後 | 午前 | 午後 | |
| 4.1 量子光学・原子光学 | 人文-ZR9:4013:00 | |||||||||
| 4.2 フォトニックナノ構造・現象 | 人文-ZR10:0013:00 | 人文-ZR15:0018:30 | 人文-ZR10:0013:00 | 人文-ZR15:0018:30 | 人文-ZR9:0011:30 | |||||
| 4.3 レーザー装置・材料 | 基盤1-J9:0013:00 | 基盤1-J15:0018:15 | 基盤1-J9:0010:45 | |||||||
| 4.4 超高速・高強度レーザー | 基盤3-ZH9:0013:00 | 基盤3-ZH15:0018:35 | ||||||||
| 4.5 テラヘルツ全般･非線型光学 | 地域3-F9:0013:00 | 地域3-F15:0018:15 | 地域3-F9:0013:00 | 地域3-F15:0018:30 | 地域3-F9:0012:00 | 地域3-F13:0014:45 | ||||
| 4.6 レーザー分光応用・計測 | 人文-ZT15:0017:00 | |||||||||
| 4.7 レーザー・プロセッシング | 理1-B9:0012:25 | 理1-B9:0013:00 | ||||||||
| 理1-B12:2512:57 | ||||||||||
| 5. 光エレクトロニクス | 8月29日（月） | 8月30日（火） | 8月31日（水） | 9月1日（木） | 9月2日（金） | |||||
| 午前 | 午後 | 午前 | 午後 | 午前 | 午後 | 午前 | 午後 | 午前 | 午後 | |
| 5.1 半導体レーザー・発光/受光素子 | 基盤3-ZL9:4513:00 | 基盤3-ZJ16:1517:30 | ||||||||
| 基盤3-ZL15:0018:00 | ||||||||||
| 5.2 光記録／ストレージ | 基盤3-ZJ15:0016:00 | |||||||||
| 5.3 光制御 | 基盤3-ZN9:4513:00 | 基盤3-ZN15:0019:00 | 基盤3-ZN9:4513:00 | 基盤3-ZN15:0019:00 | 基盤3-ZN9:0012:00 | 基盤3-ZN13:0015:00 | ||||
| 5.4 光ファイバー | 第1-P39:3011:30 | |||||||||
| 6. 薄膜・表面 | 8月29日（月） | 8月30日（火） | 8月31日（水） | 9月1日（木） | 9月2日（金） | |||||
| 午前 | 午後 | 午前 | 午後 | 午前 | 午後 | 午前 | 午後 | 午前 | 午後 | |
| 6.1 強誘電体薄膜 | 理先端-C9:0012:30 | 理先端-C15:0018:30 | 理先端-C9:0012:30 | 理先端-C15:0018:45 | ||||||
| 6.2 カーボン系薄膜 | 第1-P19:3011:30 | 第1-P49:3011:30 | ||||||||
| 6.3 酸化物エレクトロニクス | 基盤3-ZK9:0013:00 | 基盤3-ZK15:0018:15 | 基盤3-ZK9:4513:00 | 基盤3-ZK15:0019:00 | 基盤3-ZK9:4513:00 | 基盤3-ZK15:0019:00 | 基盤3-ZK9:0013:00 | |||
| 6.4 薄膜新材料 | 地域3-D9:0013:00 | 地域3-D15:0018:15 | 地域3-D9:0013:00 | 地域3-D15:0016:30 | ||||||
| 6.5 表面物理・真空 | 第1-P1415:3017:30 | |||||||||
| 6.6 プローブ顕微鏡 | 基盤2-ZC9:0013:00 | 基盤2-ZC15:0017:30 | 基盤2-ZC10:0013:00 | 基盤2-ZC15:0017:30 | ||||||
| 7. ビーム応用 | 8月29日（月） | 8月30日（火） | 8月31日（水） | 9月1日（木） | 9月2日（金） | |||||
| 午前 | 午後 | 午前 | 午後 | 午前 | 午後 | 午前 | 午後 | 午前 | 午後 | |
| 7.1 X線技術 | 理1-B15:0017:15 | |||||||||
| 7.2 電子顕微鏡，評価，測定，分析 | 基盤1-L9:3012:15 | |||||||||
| 7.3 リソグラフィ | 基盤3-ZL10:3011:58 | |||||||||
| 7.4 ナノインプリント | 基盤3-ZN10:0012:45 | 基盤3-ZN15:0018:00 | ||||||||
| 7.5 ビーム・光励起表面反応 | 基盤1-K15:0017:00 | |||||||||
| 7.6 イオンビーム一般 | 理1-A10:0012:45 | 理1-A15:0017:45 | 理1-A9:0011:45 | |||||||
| 7.7 微小電子源 | 基盤3-ZM10:0013:00 | 基盤3-ZM15:0017:45 | ||||||||
| 7.8 ビーム応用一般・新技術 | 理1-B17:1518:00 | |||||||||
| 8. プラズマエレクトロニクス | 8月29日（月） | 8月30日（火） | 8月31日（水） | 9月1日（木） | 9月2日（金） | |||||
| 午前 | 午後 | 午前 | 午後 | 午前 | 午後 | 午前 | 午後 | 午前 | 午後 | |
| 分科内招待講演，プラズマエレクトロニクス賞受賞記念講演 | 基盤1-L15:0017:20 | |||||||||
| 8.1 プラズマ生成･制御 | 基盤3-ZN9:4512:30 | 理1-A9:0012:00 | ||||||||
| 8.2 プラズマ診断･計測 | 基盤3-ZJ9:0013:00 | |||||||||
| 8.3 プラズマ成膜･表面処理 | 基盤2-ZC10:3011:16 | |||||||||
| 基盤2-ZC11:1611:54 | ||||||||||
| 8.4 プラズマエッチング | 基盤1-M9:0013:00 | 基盤1-M9:0013:00 | 基盤1-M15:0018:30 | |||||||
| 8.5 プラズマナノテクノロジー | 基盤3-ZM9:0012:45 | |||||||||
| 8.6 プラズマ現象･新応用･融合分野 | 基盤2-ZD9:0012:45 | 基盤2-ZD9:0012:45 | 基盤2-ZD15:0017:30 | 基盤2-ZD10:0012:45 | ||||||
| 9. 応用物性 | 8月29日（月） | 8月30日（火） | 8月31日（水） | 9月1日（木） | 9月2日（金） | |||||
| 午前 | 午後 | 午前 | 午後 | 午前 | 午後 | 午前 | 午後 | 午前 | 午後 | |
| 9.1 誘電材料・誘電体 | 第1-P29:3011:30 | |||||||||
| 9.2 微粒子・粉体 | 地域3-F9:009:30 | |||||||||
| 9.3 ナノエレクトロニクス | 基盤3-ZQ15:3018:45 | 基盤3-ZQ9:4513:00 | 基盤3-ZQ15:2018:50 | |||||||
| 9.4 熱電変換 | 地域3-F9:3513:00 | 地域3-F15:0016:00 | ||||||||
| 9.5 新機能材料・新物性 | 基盤3-ZQ9:0011:45 | 基盤3-ZQ13:0014:30 | ||||||||
