13. 半導体A（シリコン）

2a-C - 1〜11

• 1PtSi 薄膜の電気特性におけるスパッタガス依存性東工大総理工 ^○吉村泰彦，大見俊一郎
• 2酸化膜被覆型SiナノワイヤおよびSi Fin構造におけるNiシリサイド成長機構の検討東工大フロンティア研¹，東工大総理工^{2 ○}松本一輝¹，小山将央¹，呉　　研¹，角嶋邦之²，Ahmet Parhat¹，筒井一生²，西山　彰²，杉井信之²，名取研二¹，服部健雄¹，岩井　洋¹
• 3液晶ディスプレイ向けCuMn合金配線におけるオゾン水酸化法の検討日立材料研 ^○浅沼春彦，鈴木孝明，楠　敏明
• 4LSI多層配線中に高耐圧インターフェイスを実現するInGaZnOを用いたBEOLトランジスタ技術ルネサスエレクトロニクス ^○金子貴昭，井上尚也，齋藤　忍，古武直也，林　喜宏
• 5BTS試験を用いた無電解めっきバリア膜のバリア性評価芝浦工大 ^○藤島翔太，三ツ森章祥，小山郁弥，上野和良
•  休憩　10:15〜10:30
• 6CVDプロセスによるULSI多層配線用CuMn合金薄膜形成の検討東大工 ^○（M1）嶋　紘平，百瀬　健，霜垣幸浩
• 7O₂添加高真空スパッタによるRu層付き微細溝へのCuの埋め込み東理大工 ^○伊藤勝利，斉藤　茂
• 8超臨界アニールによるめっき銅膜の粒成長(4) EBSDによる粒観察芝浦工大¹，KISCO²，日立ハイテク^{3 ○}青木和慶¹，蓬田　茂²，伊藤寛征³，中島里絵³，池野昌彦³，上野和良¹
• 9電流ストレスによるめっきCu薄膜の粒成長：添加剤濃度依存性芝浦工大 ^○リヤナ ラザク，山口貴雅，上野和良
• 10ナノカーボン/Co配線の作製と電気特性芝浦工大¹，超低電圧デバイス技術研究組合^{2 ○}涌井太一¹，高木政志¹，太田晴之¹，佐久間尚志²，梶田明広²，酒井忠司²
• 11プラズマ重合反応制御技術による分子細孔膜（MPS）の高速成膜ルネサス　エレクトロニクス先行研活¹，ルネサス　エレクトロニクスプロ技活^{2 ○}山本博規¹，川原　潤¹，井上尚也¹，植木　誠¹，大音光市²，宇佐美達矢²，林　喜宏¹
•  昼食　12:00〜13:00

2p-C - 1〜8

• 1光電子集積三次元LSIに用いるシリコン貫通光配線のFDTD解析東北大院工¹，東北大未来研²，東北大院医工^{3 ○}乗木暁博¹，李　康旭²，Jichoel Bea²，福島誉史²，田中　徹^1,3，小柳光正²
• 2チッププロセスによるTSV電極形成超先端電子技術開発機構 ^○朴澤一幸，花岡裕子，青木真由，武田健一
• 3ハイブリッド接合のための樹脂研磨レート制御ASET ^○青木真由，朴澤一幸，武田健一
• 43D-LSI実装向けTSVエッチングプロセスの開発アルバック半電研 ^○村山貴英，作石敏幸，森川泰宏，豊田　聡，鄒　弘綱
• 5超臨界CO₂を用いた高アスペクトマイクロ孔への均一Cu被覆山梨大　院医工 ^○竹内裕人，松原正弘，渡邉満洋，近藤英一
• 6TSV用Cuメッキシード層へのNi無電解メッキの適用評価フィルテック¹，東大^{2 ○}西原晋治¹，拝形英里¹，古村雄二¹，大場隆之²
• 7ポリイミド膜上への銅配線形成法における密着性の改善千葉工大院¹，千葉工大工^{2 ○}宮原佑介¹，杉浦　修²
• 8Ag(I)-Co(II)間におけるedta^4-移動を利用した無電解銀めっき千葉工大院¹，千葉工大工^{2 ○}草島　祥¹，杉浦　修²