10. スピントロニクス・マグネティクス

10.1 新物質創成(酸化物・ホイスラー・金属磁性体等)

8月30日 9:00〜17:45  会場:人文-ZS

30a-ZS - 1〜14

  • 1InP(001)基板上ZnSnAs2:Mnベース強磁性半導体3層構造の作製と評価長岡技科大 大前洸斗,豊田英之,神保良夫,内富直隆
  • 2希薄磁性半導体ZnSnAs2:Mn薄膜のアニール効果長岡技術科学大 山神圭太郎,大前洸斗,豊田英之,神保良夫,内富直隆
  • 3Ge(001)基板上にエピタキシャル成長したホイスラー合金Co2MnSiヘテロ構造の構造に関する特性及び磁気的特性北大院情報科学研究科 ○(DC)李 桂芳,平 智幸,松田健一,有田正志,植村哲也,山本眞史
  • 4自己組織化相分離Feナノピラーアレイの作製阪大産研 岡田浩一,坂本卓也,服部 梓,神吉輝夫,田中秀和
  • 5ZnO/Feスパッタ膜の構造と磁気特性法大1,産総研2,島根大3 木下量介1,中山 浩1坂本 勲1,安本正人2,小池正記2,本多茂男3
  • 6NdGaO3基板上のLa0.7Sr0.3MnO3薄膜に対するRu置換効果東大院理1,KAST2,東洋大バイオナノ研3 重松 圭1,近松 彰1,廣瀬 靖1,2,福村知昭1,和田恭雄3,長谷川哲也1,2
  • 7スパッタ法によるBiFeO3/CoFe二層膜の作製東北大院工 向山広記,永沼 博,Husne Begum,大兼幹彦,安藤康夫
  •  休憩 10:45〜11:00
  • 8「論文奨励賞受賞記念講演」(20分)
    Single-Crystalline Ferromagnetic Alloy Semiconductor Ge1-xMnx Grown on Ge(111)
    東大 矢田慎介
  • 9Fe3O4電極を用いたTMR多層膜の界面構造の改善東北大工 常木澄人,大兼幹彦,永沼 博,安藤康夫
  • 10Fe3O4エピタキシャル薄膜の格子歪みによる磁気異方性変化東工大応セラ研 ○(D)白幡泰浩,野崎泰一郎,伊藤 満,谷山智康
  • 11がん温熱療法用Fe3O4ナノ粒子の合成と特性評価中部大 與語勇輝,山城 舞,杉村俊英,堤内 要,小林 猛,高橋 誠
  • 12ラジカル酸窒化法を用いたCo2FeSi/SiOxNy/Siトンネル接合の形成東工大像情報1,科技機構CREST2 ○(D)高村陽太1,林 建吾1,周藤悠介1,2,菅原 聡1,2
  • 13ホイスラー合金/MgAl2O4積層膜のコヒーレントエピタキシー名大院工 藤田裕人,真利研一郎,稲垣圭真,深谷直人,宮脇哲也,植田研二,浅野秀文
  • 14RFスパッタリング法によるMgO単結晶基板上へのNi-Fe薄膜のエピタキシャル成長山形大1,中央大2,東京芸大3 西村崇善1,稲葉信幸1,大竹 充2,二本正昭2,桐野文良3
  •  昼食 12:50〜15:00

30p-ZS - 1〜10

  • 1Fe/MgO(001)界面における磁気異方性の第一原理計算東北大電気通信研1,東北大省エネルギー・スピントロニクス集積化システムセンター2 ○(M2)森 大樹1,辻川雅人2,三浦良雄1,2,阿部和多加1,2,白井正文1,2
  • 2Ni薄膜上に作製したNiO類似単原子層の強磁性/反強磁性結合への影響KEK物構研1,JST-CREST2 雨宮健太1,2,酒巻真粧子1
  • 3交互積層FeNi薄膜成長過程における磁気異方性観察KEK物構研 酒巻真粧子,雨宮健太
  • 4L10-FePd薄膜の構造および磁気特性の膜厚依存性東北大院工 Khan Mohammed,金 国天,井波暢人,永沼 博,大兼幹彦,安藤康夫
  • 5L10型FeNi薄膜の規則度と磁気特性東北大金研 水口将輝,小嶋隆幸,高梨弘毅
  •  休憩 16:15〜16:30
  • 6MnAl垂直磁化膜における磁気特性の組成依存性東北大院工1,東北大WPI2 細田真樹1,窪田崇秀2,大兼幹彦1,永沼 博1,安藤康夫1
  • 7Ta/Co20Fe60B20/MgO 接合における電界による垂直磁気異方性変調の膜厚及び熱処理温度依存性東北大通研1,東北大CSIS2 金井 駿1,遠藤将起1,池田正二1,2,松倉文礼1,2,大野英男1,2
  • 8MBE法により成長したエピタキシャル強磁性窒化物薄膜のXMCD測定筑波大数理物質1,原子力機構2,広島大理学3,産総研4 伊藤啓太1,原田一範1,竹田幸治2,齋藤祐児2,都甲 薫1,末益 崇1,木村昭夫3,秋永広幸4
  • 9Cr2O3結晶面と交換結合磁界および電気磁気効果東北大工 ○(M1)芦田拓也,下村直樹,Mohamed Belmoubarik,野崎友大,佐橋政司
  • 10Co1-xFex AlOx NOL-NCMR SVのバルク散乱スピン非対称係数依存性東北大院工1,東北学院大2,産総研ナノシステム3,物材料機構4 ○(D)塩川陽平1,大塚尚彦1,塩田芽実1,土井正晶2,谷口知大3,4,今村裕志3,佐橋政司1