13. 半導体A（シリコン）

1a-M - 1〜14

• 1水素アニールにおけるボロンラテラルオートドープ効果富士電機¹，横国大^{2 ○}矢嶋理子¹，松本悟史¹，栗林　均¹，今井朋弘¹，兒玉奈緒子¹，羽深　等²
• 2光CVDによるボロンデルタドーピング構造の形成と評価NTT MI研 ^○赤沢方省
• 3Si結晶中のBi&Er重畳δドーピング層のハイブリッドレーザアニール活性化物材機構¹，筑波大院数物²，東大院総合³，産総研^{4 ○（D）}村田晃一^1,2，安武裕輔³，日塔光一¹，坂本邦博⁴，深津　晋³，三木一司^1,2
• 4XPSによるSi中Bクラスターの同定：第一原理的研究慶大理工¹，鳥取大工^{2 ○}山内　淳¹，吉本芳英²
• 5共注入した炭素とホウ素原子間に働く相互作用を利用したシリコン中の接合深さ制御東北大金研¹，京大工²，MIRAI-Selete^{3 ○}清水康雄¹，高見澤悠¹，井上耕治^1,2，外山　健¹，永井康介¹，矢野史子³，西田彰男³，最上　徹³
• 6Non-meltレーザーアニーリングを用いた浅p⁺/n接合形成中のBoron拡散〜KrFとグリーンレーザーの比較〜慶大院¹，SEN²，住友重機械工業^{3 ○}ビンティアイド シティラハマ¹，松本　智¹，布施玄秀²，桜木　進³
• 7軟X線照射によるＢドーパントの新規低温活性化兵庫県立大院¹，兵庫県立大高度研²，琉球大^{3 ○}福岡琢人¹，部家　彰¹，松尾直人¹，神田一浩²，野口　隆³
•  休憩　10:45〜11:00
• 8高濃度ボロンドープ試料の角度分解X線光電子分光による濃度分布解析東工大総理工¹，東工大フロンティア研^{2 ○}角嶋邦之¹，金原　潤¹，筒井一生¹，服部健雄²，岩井　洋²
• 9軟X線光電子分光法を用いたFin構造中の不純物化学結合状態分析東工大¹，東京都市大²，高輝度科学研究センター^{3 ○}宮田陽平¹，金原　潤¹，難波　覚¹，三角元力¹，筒井一生¹，野平博司²，室隆桂之³，木下豊彦³，角嶋邦之¹，アヘメト パールハット¹，服部健雄¹，岩井　洋¹
• 10砒素イオン注入によるドーパント位置制御効果早大理工¹，早大高等研²，NTT基礎研³，東北大^{4 ○}小松原彰¹，堀　匡寛¹，熊谷国憲¹，小野行徳³，谷井孝至¹，遠藤哲郎⁴，大泊　巌¹，品田賢宏²
• 11SI中にドープされたAsの軟X線光電子分光による化学結合状態の検出とその深さ方向分布東工大総理工¹，東京都市大²，高輝度光科学研究センター³，東工大フロンティア研^{4 ○}金原　潤¹，宮田陽平¹，秋田洸平¹，筒井一生¹，野平博司²，室隆桂之³，木下豊彦³，アヘメト パールハット⁴，角嶋邦之⁴，服部健雄⁴，岩井　洋⁴
• 12低温ホトルミネセンス測定によるシリコン極浅接合の再結晶化過程の評価京都工芸繊維大¹，WaferMasters, Inc.^{2 ○}奥谷真士¹，七種宏樹¹，高島周平¹，吉本昌広¹，Woo Sik Yoo²
• 13S とP導入したNiGe/Ge におけるコンタクト抵抗制御MIRAI-東芝 ^○小池正浩，上牟田雄一，手塚　勉
• 14ＶＬＳ法によるナノワイヤ成長　キンク発生機構の探求キヤノン¹，関西大^{2 ○}古藤　誠¹，清水智弘²，新宮原正三²
•  昼食　12:45〜15:00

1p-M - 1〜15

• 1急速熱処理中の基板内熱応力解析琉球大 工¹，広大院 先端研^{2 ○}岡田竜弥¹，田中敬介²，酒池耕平²，野口　隆¹，東清一郎²
• 2FLAによるa-Si膜の結晶化における横方向結晶化速度北陸先端大¹，JSTさきがけ^{2 ○}大平圭介^1,2，澤田恵佑¹，松村英樹¹
• 3マイクロ熱プラズマジェット照射高速横方向結晶化におけるSiスリットマスクを用いた結晶成長位置制御広大院　先端研 ^○（M1）藤田悠二，東清一郎
• 4水素プラズマを用いた加熱技術の開発山梨大¹，SST^{2 ○}中村浩之¹，荒井哲司²，高松利行²，有元圭介¹，山中淳二¹，佐藤哲也¹，中川清和¹，川口裕樹¹
• 5a-Si膜の極薄化によるMILC結晶成長態様の変化の調査九大シ情 ^○仲前達也，永田　翔，中川　豪，浅野種正
• 6近赤外半導体レーザ光照射によるa-Si膜の結晶化と同時転写技術広大院　先端研 ^○酒池耕平，松原良平，小林義崇，東清一郎
• 7三次元デバイス応用に向けたグリーンレーザーアニールによる積層構造多結晶シリコン薄膜の同時結晶化技術奈良先端科学技術大学院大¹，戦略的創造推進事業^{2 ○}山崎浩司¹，町田絵美¹，堀田昌宏^1,2，石河泰明^1,2，浦岡行治^1,2
• 8水中レーザーアニールによるLTPS-TFT欠陥不活性化処理中に生成される気泡の挙動観察高知高専¹，奈良先端大²，JST-CREST^{3 ○}青木麻野¹，池上　浩¹，町田絵美²，堀田昌宏^2,3，石河泰明^2,3，浦岡行治^2,3
•  休憩　17:00〜17:15
• 9サーファクタント・クリスタライゼーション法によるアモルファスゲルマニウムの結晶化プロセスの効率化芝浦大工 ^○（M1）三浦寛之，弓野健太郎，武江敏範，廣瀬浩司
• 10Cuナノ粒子を用いたa-Ge薄膜の低温結晶化奈良先端大¹，阪大²，CREST^{3 ○}分銅衡介^1,3，上沼睦典^1,3，石河泰明^1,3，渡部平司^2,3，山下一郎^1,3，浦岡行治^1,3
• 11水素ラジカルによる選択加熱現象を利用した多結晶Si_1-xGe_x形成技術山梨大¹，SST²，東京都市大^{3 ○}川口裕樹¹，荒井哲司¹，中村浩之¹，有元圭介¹，山中淳二¹，佐藤哲也¹，高松利行²，中川清和¹，澤野憲太郎³，星　裕介³，白木靖寛³
• 12軟X線フォトン密度がa-Si, a-Ge, a-SiGe膜の低温結晶化に及ぼす効果兵庫県立大院¹，兵庫県立大高度研²，九大院^{3 ○（M2）}野々村勇希¹，木野翔太¹，部家　彰¹，松尾直人¹，天野　壮²，宮本修治²，神田一浩²，望月孝晏²，佐道泰造³，宮尾正信³，都甲　薫³
• 13高速結晶化したNi-MILCシリコン薄膜を用いたTFTの作製九大シ情 ^○（D）永田　翔，中川　豪，浅野種正
• 14ガラス上に形成された大粒径を有する低温 poly-Si_1-xGe_x TFT (2)東北学院大工¹，島根大総合理工^{2 ○}岡部泰典¹，近藤健二¹，鈴木順季²，北原邦紀²，原　明人¹
• 15High-k材料を用いた2層同時結晶化低温poly-Si TFTフラッシュメモリの特性評価神戸高専¹，奈良先端大^{2 ○}市川和典¹，松江将博¹，赤松　浩¹，山崎浩司²，堀田昌宏²，浦岡行治²

2a-M - 1〜11


• 1Si-on-SiC基板の貼り合わせ界面の電子顕微鏡観察京都工繊大電子システム工 ^○来見貴誠，荒木亮祐，木下博之，吉本昌広
• 2SOI 基板のSOI/BOX 界面近傍における欠陥の評価東洋大バイオナノ研 ^○宮澤　元，趙　　謙，中島義賢，花尻達郎，菅野卓雄
• 3単一半導体を用いた新ソースへテロ構造の検討（V）：緩和／歪みSiヘテロ構造の結晶性神奈川大理 ^○水野智久，武樋樹里亜，田辺　奨
• 4プラズマ処理によるSOG膜埋め込みSTIの応力低減明大¹，学振研究DC²，東京エレクトロン山梨³，東京エレクトロン^{4 ○}橋口裕樹¹，永田晃基^1,2，鮫島　崇¹，水上雄輝¹，小椋厚志¹，黒田　豪³，佐藤吉宏³，石塚修一³，廣田良浩⁴
• 5ClF₃クラスター・インジェクションによるSiエッチング（IV）岩谷産業¹，京大院工^{2 ○}吉野　裕¹，妹尾武彦¹，小池国彦¹，瀬木利夫²，青木学聡²，松尾二郎²
• 6プラズマ酸化プロセスで作製されたSiO2膜の評価明大¹，高輝度光科学研究センター²，東京エレクトロン山梨³，東京エレクトロン⁴，学振研究DC^{5 ○（M1）}山口拓也¹，永田晃基^1,5，小椋厚志¹，小金沢智之²，廣沢一郎²，壁　義郎³，佐藤吉宏³，石塚修一³，廣田良浩⁴
•  休憩　10:30〜10:45
• 7パワーデバイス損失特性とレーザー照射表面の関係性評価東芝¹，筑波大^{2 ○}柴田浩延¹，西城吉之助¹，江崎　朗¹，上殿明良²
• 8NiGe/Ge(110)コンタクトの結晶構造および電気的特性名古屋大院工 ^○横井　淳，中塚　理，財満鎭明
• 9Pt添加による低温NiSi₂ 形成の抑制ルネサスエレ先行研 ^○五十嵐信行，増崎幸治
• 10NiとSiの積層薄膜によって形成したシリサイドのシート抵抗に対する熱処理温度の影響東工大フロンティア研¹，東工大総合理工²，名大工^{3 ○}田村雄太¹，角嶋邦之²，中塚　理³，Ahmet Parhat¹，筒井一生²，西山　彰²，杉井信之²，名取研二¹，服部健雄¹，岩井　洋¹
• 11Ni/Si積層から形成されるNiシリサイドのショットキーダイオードの電流特性東工大フロンティア研¹，東工大総理工²，名工大^{3 ○}吉原　亮¹，角嶋邦之²，アヘメト パールハット¹，中塚　理³，筒井一生²，西山　彰²，杉井信之²，名取研二¹，服部健雄¹，岩井　洋¹
•  昼食　12:00〜13:00

2p-M - 1〜8

• 1多段バッチ式シリコンエピタキシャルリアクタの輸送現象解析横国大院工 津地雅希，^○羽深　等
• 2圧電性結晶振動子を用いた炭化珪素薄膜形成その場観察横国大工 小手健一，^○田中佑里恵，羽深　等
• 3シーケンシャルIon Beam Assist法を用いたa-Si太陽電池の高効率化手法熊本大院 ^○（M1）渡口公康，松川誠也，宮本康生，久保田弘
• 4拡散抑制層が導電膜上のAl誘起結晶化Siの配向面に与える影響筑波大院　電子・物理工学専攻¹，東北大 金研²，JST-CREST^{3 ○（M2）}岡田淳史¹，都甲　薫¹，宇佐美徳隆^2,3，原　康祐²，末益　崇^1,3
• 5Si粒子を含有するSi機能膜の形成II三菱電機 ^○田屋昌樹，出尾晋一，村上隆昭，大路　浩
• 6コンプライアントバンプを用いたかしめ接合によるPENフィルム上へのLSIチップの常温実装九大 ^○（M2）首藤高徳，渡辺直也，池田晃裕，浅野種正
• 7MAT-FPD；多数の微細Siチップが画素制御する超大型フレキシブルディスプレイ(6)北陸先端大 ^○八木貴寛，陸井秀晃，Thanh Kieu Nguyen Thi，大平圭介，松村英樹
• 8MAT-FPD；多数の微細Siチップが画素制御する超大型フレキシブルディスプレイ(7) -多数の集積回路間を高速で自己配線する手法-北陸先端大 ^○Kieu Nguyen，八木貴寛，大平圭介，松村英樹