シンポジウム

29a-ZE - 1〜4

• 1はじめに：ナノカーボン材料の最新動向（３）（10分）阪大産研 ^○松本和彦
• 2SiC上グラフェンの成長と構造選択性（30分）名大エコ研¹，名大院工²，JFCC^{3 ○}楠美智子^1,3，乗松　航^2,3
• 3グラフェンナノ構造における電子物性の理論解析（30分）物質・材料研究機構 ^○若林克法
• 4グラフェンの低温プラズマ成長と透明電極応用（30分）産総研 ^○長谷川雅考，金　載浩，石原正統，山田貴壽，古賀義紀，津川和夫，飯島澄男
•  昼食　12:00〜13:30

29p-ZE - 1〜6

• 1テラヘルツ波によるグラフェン物性評価と素子応用（30分）東工大 ^○河野行雄
• 2グラフェンナノデバイスの為のゲート電界変調（30分）物材機構 ^○塚越一仁
• 3カーボンナノチューブの特性と用途展開へ（30分）昭和電工 ^○西村嘉介
•  休憩　15:00〜15:30
• 4カーボンナノチューブのナノ空間と物質相（30分）東理大理30¹，東大院工^{2 ○}本間芳和¹，千足昇平²
• 5ナノカーボン材料を用いた様々なデバイス応用 （30分）阪大産研 ^○松本和彦
• 6おわりに（10分）慶應大 ^○粟野裕二