シンポジウム

29p-ZM - 1〜8


• 1イントロダクトリートーク：Extended CMOSのためのDeterministicドーピングと単一ドーパントデバイス（10分）早大高等研 ^○品田賢宏
• 2STRJ ERD Extended CMOSコンセプト（25分）東工大院理工 ^○内田　建
• 3ITRS Emerging Research Materials [ERM] 概要と確定的ドーピング（35分）ＳＲＣ ^○ダニエル ハー
• 4単一ドーパントデバイス：多様性と高温動作に向けて（25分）静大電子研 ^○田部道晴，ダニエル モラル，水野武志
• 5単一イオン注入プロセス：1nm精度への挑戦（25分）早大高等研¹，早大理工²，NTT物性基礎研³，静大電子研^{4 ○}品田賢宏¹，堀　匡寛²，小野行徳³，田部道晴⁴
• 6単一ドーパントキャラクタリゼーション -電界効果による荷電状態制御とその物理-（25分）NTT ^○小野行徳，登坂仁一郎，ガブリエル ランスバーゲン，藤原　聡
• 7単一ドーパントシミュレーション - ナノ構造内ドーパント原子の状態と電子輸送 -（25分）静大電研¹，サザンプトン大²，北陸先端大^{3 ○}ダニエル モラル¹，葛屋陽平¹，水野武志¹，田部道晴¹，水田　博^2,3
• 8クロージングトーク（10分）UJTラボ ^○水野文二