5. 光エレクトロニクス

31a-ZN - 1〜12

• 1蛍光体を用いた反射型自己組織化光波網 (R-SOLNET) の提案とFDTD法によるシミュレーション東京工科大 ^○関　将利，吉村徹三
• 2自己形成導波路の複数本同時形成静岡大工¹，豊田中研^{2 ○}寺田悠真¹，冨木政宏¹，坂田　肇¹，山下達弥²，河崎朱里²，各務　学²
• 3自己形成導波路に形成した波長フィルタの安定性向上静岡大工¹，豊田中研^{2 ○}渡邊裕樹¹，冨木政宏¹，坂田　肇¹，山下達弥²，河崎朱里²，各務　学²
• 4光ファイバ接続用GaInAsP/InP導波路第2コア型スポットサイズ変換器東工大 ^○（M1）蘇武洋平，濱田裕史，水本哲弥
• 5非相反移相効果を用いたシリコン導波路型光アイソレータに用いるTEモード遮断多モード干渉結合器東工大 ^○（M1）白土雄也，武井亮平，水本哲弥
• 6有機EL素子の表面プラズモン増強発光の偏光特性(II)立命館大¹，物質・材料研究機構^{2 ○}山崎　晃¹，齋藤　昂¹，笠原健一¹，池田直樹²，落合雅幸²，杉本喜正²
•  休憩　11:15〜11:30
• 7移相信号を用いた２値光単側波帯変調信号の残留側波帯低減山形大工 ^○高野勝美，根本彩由里，及川幸一
• 8結合モードDBRレーザを用いた緩和振動低減全光フリップ・フロップ動作東大先端研 ^○（D）財津　優，肥後昭男，種村拓夫，中野義昭
• 9DPSK符号対応位相演算型光シリアル・パラレル変換器の位相変調量の影響に関する検討東工大，精研 ^○根岸孝太郎，植之原裕行
• 10半導体集積位相演算型光シリアル・パラレル変換器のための遅延干渉計の信号処理特性東工大精密工学研 毛　　爽，^○植之原裕行
• 11強制変調を用いた全光ゲート型パルス発生器の短パルス化およびスペクトル歪改善電通大先進理工¹，アンリツ²，FPTソフトウェア^{3 ○}新井隆博¹，平井恭兵¹，杉浦賢太²，Nguyen Tuan Anh³，上野芳康¹
• 12超高速光論理ゲート素子のための多重積層量子ドットSOAの数値解析による構造最適化の検討早大理工¹，情報通信研究機構^{2 ○}松下明日香¹，松本　敦¹，桑田圭一郎¹，赤羽浩一²，宇高勝之¹
•  昼食　13:00〜15:00

31p-ZN - 1〜14

• 1「第8回光・電子集積技術業績賞（林厳雄賞）受賞記念講演」（35分）
  高性能コンピューターを実現する光インターコネクト技術日本アイ・ビー・エム ^○中川　茂
• 2スロット型MTフェルールを用いた48/108チャンネル導波路コネクタIBM東京基礎研 ^○沼田英俊，山田文明，平　洋一，中川　茂
• 3BCB貼付を用いたSi基板上低損失GaInAsP細線導波路の実現東工大電気電子工¹，量子ナノエレクトロニクス研究センター^{2 ○}李　智恩¹，前田泰奈¹，渥美裕樹¹，瀧野祐太¹，西山伸彦¹，荒井滋久^1,2
• 4カルコゲナイドガラス装荷スロット導波路における非線形効果横国大・院工¹，JST-CREST^{2 ○}茂呂将典^1,2，鈴木恵治郎^1,2，馬場俊彦^1,2
• 5Si導波路幅の制御によるGaInAsP/SiハイブリッドSOA多機能集積のための設計東工大電気電子工学専攻¹，東工大量子ナノ^{2 ○}福田渓太¹，渥美裕樹¹，長部　亮¹，西山伸彦¹，荒井滋久^1,2
• 6GaAs/Si直接融着によるSi基板上1.3um InAs/GaAs量子ドットレーザ東大ナノ量子機構¹，東大生研^{2 ○}田辺克明¹，渡邉克之¹，ステファン フォーレ¹，荒川泰彦^1,2
• 7機械的応力印加によるGe/Si上GaAs梁構造の発光スペクトル変化東大院工 ^○堀江　優，石川靖彦，和田一実
•  休憩　17:05〜17:15
• 8マイクロリング共振器による位相変化増大を利用したマッハツェンダー干渉計型InGaAs多重量子井戸光変調器の解析横国大院工¹，横国大院工学研究院^{2 ○（M1）}金重明宜¹，上山雄太¹，山田　斉¹，荒川太郎²，國分泰雄²
• 9両アームにマイクロリング共振器を有するInGaAs多重量子井戸マッハツェンダー光変調器の作製と特性評価横国大院工¹，横国大院工学研究院^{2 ○}山田　斉¹，上山雄太¹，荒川太郎²，國分泰雄²
• 10電界効果GaInAs/InP MQW波長スイッチの2ポート間スイッチング特性上智大 ^○柳　智史，谷村　昂，青柳孝典，下村和彦
• 11ヒーター長変化によるGaInAs/InP MQW 波長光スイッチのスイッチング特性上智大 ^○山崎勇輝，村上洋介，下村和彦
• 12i層残留不純物による特性劣化を抑制したInGaAs／InAlAs 多重五層非対称結合量子井戸の作製と特性評価横国大院工¹，横国大院工学研究院^{2 ○}安間淑通¹，荒川太郎²
• 13Si系マッハツェンダー型光変調器用Ge/SiGe五層非対称結合量子井戸の提案横国大院工¹，横国大院工学研究院²，金沢工大院工^{3 ○}郷田洋一郎¹，井芹有志¹，荒川太郎²，多田邦雄³，羽路伸夫²
• 14半導体装荷型メタマテリアルにおけるキャリア濃度に依存した共振周波数変化東工大工¹，量子ナノ²，理研^{3 ○（M1）}明賀聖慈¹，雨宮智宏²，石川　篤³，西山伸彦¹，田中拓男³，荒井滋久^1,2

1a-ZN - 1〜12

• 1色素導入による導電率向上クラッドを用いた電気光学ポリマー導波路九大先導研¹，九大院総理工²，情報通信研究機構³，日産化学工業^{4 ○}山本和広^1,2，森　裕一²，於　　豊²，横山士吉^1,2，青木　勲³，大友　明³，安井　圭⁴，小澤雅昭⁴
• 2シリコン・有機EOポリマー融合型スロットフォトニック結晶電気光学変調デバイスの数値解析と作製（II）情報通信研究機構¹，神戸大・院工^{2 ○}井上振一郎^1,2，小山佳祐^2,1，小石雅之¹，大友　明¹
• 3光変調器応用に向けた高Ge組成SiGe-on-Insulator導波路の製作東大¹，JSTさきがけ^{2 ○}金　栄現¹，横山正史¹，田岡紀之^1,2，竹中　充¹，高木信一¹
• 4高速・低電圧Siリング光変調素子の特性改善広大ナノデバイス ^○雨宮嘉照，古谷竜一，福山正隆，横山　新
• 5縦列p/n接合型Siマッハツェンダー低電圧・高速光変調素子広島大ナノデバイス・バイオ研 ^○古谷竜一，雨宮嘉照，福山正隆，横山　新
• 6高速光変調器用PN接合型シリコン位相シフタNTT ＭＩ研¹，NTT フォトニクス研^{2 ○}高　　磊¹，山田浩治¹，土澤　泰¹，都築　健²，西　英隆¹，渡辺俊文¹，篠島弘幸¹，板橋聖一¹，美野真司²，井藤幹隆²，武藤伸一郎¹
•  休憩　11:15〜11:30
• 7アンテナ結合を用いた対称構造導波路プラズモニック電気光学デバイスの解析阪大院基礎工¹，阪大院工^{2 ○}尾崎常祐¹，村田博司¹，高原淳一²，岡村康行¹
• 8Si プラットフォーム上に集積したエアーギャップ構造LiNbO₃ 光変調器東大院工¹，東大先端研²，NICT^{3 ○}多喜川良¹，日暮栄治²，須賀唯知¹，川西哲也³
• 9プレーナ導波路化による10GHz級光周波数シフタの低駆動電力化阪大院基礎工 ^○久武信太郎，服部健二，永妻忠夫
• 10スペックル制御のための可視光高能率電気光学変調器阪大院基礎工 ^○古庄恵太，村田博司，岡村康行
• 11Electro-Optic Modulators Using Patch Antennas with Orthogonal Gaps for Microwave Polarization Discrimination阪大院基礎工 ^○Yusuf Nur Wijayanto，村田博司，岡村康行
• 12ファイバー分散補償のためのプリイコライジング高速電気光学変調器阪大院基礎工¹，阪大院工^{2 ○}村田博司¹，出水達也¹，小関泰之²，岡村康行¹
•  昼食　13:00〜15:00

1p-ZN - 1〜14

• 1チャネル型ZnO 第二次高調波発生光導波路の検討東北大院工 ^○平　裕太，北　智洋，エドガル芳男 モラレス寺岡，山田博仁
• 2常温接合を用いた新規ウォークオフ補償構造BBO波長変換素子の作製中央大理工 ^○原健二郎，高柳幸之介，松本真之介，庄司一郎
• 3バルク単結晶GaNにおける電場誘起第2高調波発生東大工¹，中央大理工²，京大工^{3 ○（D）}阿部　真¹，庄司一郎²，須田　淳³，近藤高志¹
• 4(113)B GaAs/AlAs多層膜結合共振器構造におけるテラヘルツ帯差周波信号の励起偏光方向依存性徳島大院フロンティア ^○加藤　翔，滝本隼主，森田　健，北田貴弘，井須俊郎
• 5Analysis of the microwave/millimeter-wave signals in the rectangular waveguide embedded with the nonlinear optical LiTaO₃ crystal阪大院基礎工 ^○（DC）Quang Hong Ngo，村田博司，岡村康行
•  休憩　16:15〜16:30
• 6「光エレクトロニクス分科内招待講演」（30分）
  非線形デバイスを用いた広帯域テラヘルツ発生の進展名大¹，理研^{2 ○}川瀬晃道^1,2
• 7Mg-CLN基板を用いた針バランス式分極反転静大電子研¹，東北大学際センター^{2 ○}粟野春之¹，皆方　誠¹，谷内哲夫²
• 8Mg添加LiNbO₃への面傾斜型周期分極反転構造の形成分子研 ^○石月秀貴，平等拓範
• 9ピロ燐酸マイクロプロトン交換増速エッチングによるLiNbO₃リッジ光導波路作製阪大院工 ^○多田聡一郎，藤村昌寿，栖原敏明
• 10紫外照射下電圧印加分極反転MgO:LiNbO_３導波路擬似位相整合 第2高調波発生デバイスの作製と評価阪大院工 ^○北戸英理，藤村昌寿，井上敏之，栖原敏明
• 11高効率PPLNリッジ導波路を用いた位相感応増幅特性ＮＴＴフォトニクス研究所 ^○梅木毅伺，忠永　修，遊部雅生
• 12PPLN導波路を用いた標準量子限界以下の低雑音位相感応光増幅NTTフォトニクス研 ^○遊部雅生，梅木毅伺，忠永　修
• 13PPLN結晶における光パラメトリック赤外・可視波長変換/増幅特性東北大学際センター¹，静大電子研^{2 ○}谷内哲夫¹，粟野春之²，皆方　誠²
• 144.6μm帯差周波光源を用いた温室効果ガスN₂O検出の高感度化ＮＴＴフォトニクス研究所 ^○登倉明雄，忠永　修，遊部雅生

2a-ZN - 1〜10

• 1多くのスロットを有するSi細線光導波路の解析摂南大理工¹，北里大医療衛生²，クオンタムフェーズラボラトリー^{3 ○}大家重明¹，梅田徳男²，張　吉夫³
• 2i線ステッパを用いた低損失水素化アモルファスシリコン細線導波路産総研¹，PECST^{2 ○}武井亮平^1,2，糸賀恵美子^1,2，中西功一¹，鈴木政雄^1,2，岡野　誠^1,2，古屋克己^1,2，亀井利浩^1,2，森　雅彦^1,2，榊原陽一^1,2
• 3i線ステッパを用いたSiリング共振器の作製と評価広島大ナノデバイス・バイオ研 ^○大西悠斗，福山正隆，雨宮嘉照，横山　新
• 4Si導波路形状におよぼす高温水素アニール温度と圧力の影響広大ナノデバス研 ^○（P）福山正隆，雨宮嘉照，横山　新
• 5Si細線光導波路とシリカ系光導波路による交差構造の検討東北大院工 ^○若山陽之介，北　智洋，山田博仁
•  休憩　10:15〜10:30
• 6「光エレクトロニクス分科内招待講演」（30分）
  有限インパルス応答フィルタを用いた伝達関数の任意制御東大 ^○五十嵐浩司
• 7多層コア構造の導入によるSiOx-AWGの偏波依存性低減NTT MI研 ^○西　英隆，土澤　泰，篠島弘幸，渡辺俊文，高　　磊，山田浩治，板橋聖一
• 8超高ΔSiON 導波路における紫外光誘起屈折率変化（２）-Δn感度の熱処理時間依存性-NTTフォトニクス研 ^○阿部　淳，伊東雅之，小湊俊海，井藤幹隆
• 9幅広ギャップ構造を有する温度無依存BCB埋め込みSiスロット型リング共振器東工大 理工¹，東工大 量子エレクトロニクス研究センター^{2 ○}渥美裕樹¹，小田　学¹，ジュンヒョン カン¹，西山伸彦¹，荒井滋久^1,2
• 10a-Si:Hを用いた縦方向積層リング共振器型光バッファの遅延特性についての検討早大理工学術院 ^○上林和樹，上田悠太，野尻悠平，宇高勝之
•  昼食　12:00〜13:00

2p-ZN - 1〜8

• 1Si導波路集積MSM型Geフォトダイオードの検討PECST¹，PETRA²，産業技術総合研究所³，東大^{4 ○}野口将高^1,2，藤方潤一^1,2，三浦　真^1,2，岡本大典^1,2，堀川　剛^1,3，荒川泰彦^1,4
• 2パターン化したSi上Ge層の光吸収特性の理論検討東大工 ^○畔柳　亮，石川靖彦，和田一実
• 3シンボルレート可変シリコンフォトニクスDQPSKレシーバの製作横国大・院工¹，JST-CREST^{2 ○}鈴木恵治郎^1,2，Hong Nguyen^1,2，斎藤悠二^1,2，酒井裕也^1,2，信夫史弘¹，馬場俊彦^1,2
• 4オンチップGe光アッテネータ横国大・院工¹，JSY-CREST^{2 ○}鈴木恵治郎^1,2，Hong Nguyen^1,2，馬場俊彦^1,2
• 52×2クロスポイント光スイッチ用シリコン細線導波路方向性結合器の偏光無依存化への検討早大理工 ^○牛尾　徹，塚本健太郎，宇高勝之
• 6Si導波層を有する非相反偏波コンバータの設計芝浦工大院工 ^○森　大輔，横井秀樹
• 7Si導波層を有する非相反放射モード変換型光アイソレータの設計芝浦工大院工 ^○（M2）内海祐樹，五十嵐隼，高木宏治，横井秀樹
• 8Si導波層を有する磁気光学導波路実現のためのSiと磁性ガーネットのウェハボンディング芝浦工大 ^○谷　和也，横井秀樹，市島紀彦