14. 半導体B（探索的材料・物性・デバイス）

30a-H - 1〜15

• 1第一原理計算によるCuInSe₂および関連化合物へのCdドーピングの研究龍谷大理工 ^○（PC）前田　毅，和田隆博
• 2有機セレンを用いたセレン化法によるCIGS薄膜の構造(II)愛媛大工 ^○打越将来，弓達新治，宮田　晃，白方　祥
• 3スプレー熱分解法を用いたCu(In,Ga)(S,Se)₂薄膜の作製阪大太陽エネ化学研セ ^○野々垣翠，原田隆史，池田　茂，松村道雄
• 4蒸着法におけるSe源と(In,Ga)₂Se₃およびCIGS薄膜の構造変化産総研 ^○石塚尚吾，山田昭政，小牧弘典，古江重紀，柴田　肇，仁木　栄
• 5多段階法で作製した高いGa組成を有するCu(In,Ga)Se₂太陽電池バンドプロファイル東工大院理工¹，東工大PVREC^{2 ○（M2）}平井義晃¹，黒川康良^1,2，山田　明^1,2
• 6RFスパッタ法によるNa添加CIGS膜の作製宮崎大¹，三菱マテリアル^{2 ○}関　光秀¹，徳田剛大¹，永岡　章¹，吉野賢二¹，三関賢一郎²，森　理恵²，張　守斌²，銅直成雄²
• 7MEE法によるGaAs基板上CuGaSe₂薄膜の界面特性早大理工¹，CREST^{2 ○}佐藤友博^1,2，藤田実樹^1,2，北田　剛^1,2，堀越佳冶^1,2
• 8化学溶液析出法によるZn(O,S)薄膜の構造とCu(In,Ga)Se₂太陽電池の特性豊橋技術科学大¹，産総研太陽光発電研究センター^{2 ○}杉山真也¹，小牧弘典²，笹野順司¹，仁木　栄²，伊崎昌伸¹
•  休憩　11:00〜11:15
• 9真空蒸着装置を用いた2段階加熱法によるCu(In,Al)S₂薄膜の作製立命館大 ^○小田雄介，濱崎亮介，深水昇平，山元昭人，峯元高志，高倉秀行
• 10連続成膜法による高いGa/III比を持つCu(In,Ga)Se₂薄膜へのS添加和歌山高専¹，和歌山県工技センター^{2 ○}山口利幸¹，辻田和真¹，新山茂利²，今西敏人²
• 11有機硫黄原料を用いたCuInS2薄膜の成長過程解析東理大　総研/理工¹，上海交通大²，東北大^{3 ○}庄司竜輝¹，柳　效輝^1,2，藤原千佳¹，竇　暁鳴²，杉山　睦¹，秩父重英³
• 12真空蒸着法を用いたAs添加Cu-In-S薄膜における熱処理の影響都城高専¹，津山高専²，宮崎大工^{3 ○}山角師之¹，赤木洋二¹，中村重之²，吉野賢二³
• 13メカノケミカル法を用いたCuInS₂結晶の合成条件の検討 (II)都城高専 ^○徳留勇樹，中村美和，森茂龍一，赤木洋二
• 14CuInS₂太陽電池の高効率化にむけた電積In前駆体薄膜の均一堆積阪大太陽エネ化学研セ ^○大塚康成，サンミン リ，原田隆史，池田　茂，松村道雄
• 15スプレー塗布型CuInS₂薄膜の作製兵庫県大院 ^○漁　俊宏，伊藤省吾
•  昼食　13:00〜15:00

30p-H - 1〜12

• 1CIGS薄膜太陽電池用の多元系硫化物バッファ層の検討愛媛大工 ^○堤啓太朗，新　晶子，弓達新治，宮田　晃，白方　祥
• 2DEZ原料を用いたスプレー法によるZnO薄膜の大気作製メカニズム宮崎大工¹，東ソーファインケム^{2 ○}吉野賢二¹，神谷なお美¹，新宮政人¹，小嶋　稔¹，竹元裕仁²，豊田浩司²，稲葉孝一郎²，羽賀健一²，徳留功一²
• 3MOCVD法による無添加ZnO薄膜の作製とCIGS太陽電池プロセスの評価愛媛大工 ^○高木達矢，束村　将，太田寛之，弓達新治，宮田　晃，白方　祥
• 4MOCVD法で作製したCIGS太陽電池用ZnO:Ga薄膜の評価愛媛大院理工¹，愛媛大工^{2 ○（M2）}束村　将¹，高木達矢¹，森岡泰紀²，宮田　晃²，白方　祥¹
• 5光MOCVD法によるZnO:B透明導電膜の作製とCIGS太陽電池への応用青山学院大 ^○小林大造，山内浩太郎，三瀬貴寛，中田時夫
• 6CIGS太陽電池の窓層に向けたIZO薄膜のバンドアライメント及び耐性の検討東理大 総研/理工¹，出光興産^{2 ○}松本靖弘¹，藁澤　萌¹，山崎千鶴¹，海上　暁²，杉山　睦¹
•  休憩　16:30〜16:45
• 7HAADF-STEMを用いた Ag(In,Ga)Se₂の断面評価及びAg(In,Ga)Se₂薄膜太陽電池の高温成長とその評価東工大院理工¹，東工大PVREC^{2 ○}小林　剛¹，張　険峰¹，黒川康良^1,2，山田　明^1,2
• 8陽子線照射によるCIGS 太陽電池への影響東理大 総研/理工¹，熊本高専^{2 ○}廣瀬維子¹，藁澤　萌¹，角田　功²，高倉健一郎²，木村真一¹，大山英典²，杉山　睦¹
• 9CIGS太陽電池における光起電力減衰時定数測定東大生研¹，東大ナノ量子機構²，立命館大理工学部^{3 ○（M2）}中島　悠¹，峯元高志³，高橋琢二^1,2
• 10二波長励起フォトキャパシタンス法によるCu(In,Ga)Se2薄膜太陽電池の評価筑波大¹，産業技術総合研究所^{2 ○（M1）}アミット グプタ¹，平岡則務¹，櫻井岳暁¹，山田昭政²，石塚尚吾²，仁木　栄²，松原浩司²，秋本克弘¹
• 11インピーダンス法によるCIGS太陽電池のpn界面の評価東理大 総研/理工 ^○諸星拓也，山崎千鶴，廣瀬維子，板垣昌幸，杉山　睦
• 12エレクトロリフレクタンス法によるCIGS 薄膜の評価(II)愛媛大工¹，香川高専^{2 ○}汐崎裕太¹，岩藤直貴¹，打越将来¹，弓達新治¹，宮田　晃¹，白方　祥¹，矢木正和²

31a-H - 1〜15


• 1PLマッピング法によるCIGS薄膜太陽電池プロセスの評価（II）愛媛大 ^○岩藤直貴，本田隼士，石原広一，太田寛之，前西隆一郎，弓達新治，宮田　晃，白方　祥
• 2CIGS薄膜作製における光学的その場観察の検討(II)愛媛大工 ^○高橋敏洋，弓達新治，宮田　晃，白方　祥
• 3PL法によるCIGS太陽電池プロセスの評価愛媛大工 ^○石原広一，本田隼士，岩藤直貴，太田寛之，弓達新治，宮田　晃，白方　祥
• 4ラマン散乱分光法によるCu(In,Ga)Se₂薄膜太陽電池の評価筑波大数理¹，産総研^{2 ○（M1）}高林悠太郎¹，清水泰介¹，櫻井岳暁¹，山田昭政²，石塚尚吾²，松原浩司²，仁木　栄²，秋本克洋¹
• 5CdS/Cu₂ZnSnS₄ヘテロ接合界面のバンドオフセットの第一原理計算名工大 ^○（D）包　烏吉
• 6電着法によるCu₂ZnSnS_4-xSe_x薄膜の作製阪大太陽エネ化学研セ ^○（M2）家倉峰雄，原田隆史，池田　茂，松村道雄
• 7金属積層プリカーサの低気圧硫化法によるCu₂ZnSnS₄薄膜の作製信州大工¹，アスリートFA^{2 ○（M1）}石橋加津彦¹，タン　テイ ミョー¹，石上翔太¹，中村義博^1,2，櫻井一輝¹，岩野翔太¹，橋本佳男¹，伊東謙太郎¹
• 8シングルステップ電着法を用いたCu₂ZnSnS₄薄膜の作製関西大¹，NICT^{2 ○}田中良典¹，筑紫功多郎¹，ミンソン ジョン¹，照井通文²，清水智弘¹，新宮原正三¹
•  休憩　11:00〜11:15
• 9スプレー法により作製したCZTS薄膜におけるCH₄N₂S添加量の効果防衛大機能材料 ^○吉武功一郎，宮崎　尚，守本　純
• 10非真空作製法によるCu₂ZnSnS₄バルク結晶の成長宮崎大工¹，プロマティック^{2 ○（M2）}田代龍一¹，吉野賢二¹，前田幸治¹，福島和宏²
• 11Cu₂ZnSnS₄を用いた3D構造太陽電池の作製長岡技大 ^○黒川真登，田中久仁彦，打木久雄
• 12Cu₂O/ZnO系ダイオードの電気的特性に及ぼすCdS層導入効果豊橋技術科学大¹，大阪市立工業研究所^{2 ○}太田貴之¹，Mohamad Fariza¹，笹野順司¹，渡瀬星児²，渡辺　充²，伊崎昌伸¹
• 13電気化学堆積Cu₂O/ZnOヘテロ接合太陽電池の堆積電流密度変調による改善名工大 ^○（D）宋　　瑛
• 14次世代太陽電池に向けた(Ag,Cu)₂O 薄膜の成長東理大理工 ^○加山慶樹，石田　淳，工藤　遥，杉山　睦
• 15RFスパッタ法によるNiO系可視光透過型太陽電池の試作東理大総研/理工¹，東北大多元研^{2 ○}石田　淳¹，村田芳綱¹，秩父重英²，杉山　睦¹
•  昼食　13:00〜15:00

31p-H - 1〜12

• 1硫化アンチモン光増感太陽電池のブロッキング層効果兵庫県大院工¹，大阪ガス^{2 ○（M2）}辻本一喜¹，伊藤省吾¹，松好弘明²，西野　仁²
• 2簡便なその場観察によるSnS薄膜の硫化成長過程の解明東理大 総研/理工 ^○平野卓三，吉田桂人，清水　翼，杉山　睦
• 3SnS薄膜の電子親和力の見積りとバンドアライメントの検討東理大 総研/理工¹，スリ・ヴェーンカテーシュワラ大^{2 ○}清水　翼¹，平野卓三¹，吉田桂人¹，Reddy K. T. R.²，杉山　睦¹
• 4CdTe多結晶薄膜太陽電池におけるSb添加効果木更津高専¹，JX日鉱日石金属^{2 ○}池田成亨¹，永塚さつき¹，林　亮二¹，神　学志¹，Chia Sik Low¹，吉野　薫¹，岡本　保¹，野田　朗²，平野立一²
• 5ナローギャップCuIn₃Te₅薄膜太陽電池の進展青学大理工 ^○三瀬貴寛，中村新一，中田時夫
• 6スプレー熱分解法によるCu₂Zn₂S₃太陽電池の作製兵庫県立大¹，大阪ガス^{2 ○}北川憲幸¹，伊藤省吾¹，松好弘明²，西野　仁²
•  休憩　16:30〜16:45
• 7面内超高密度InAs量子ドットの太陽電池への応用（２）電通大　先進理工 ^○江口陽亮，藤田浩輝，山口浩一
• 8GaAsナノワイヤアレイ太陽電池の作製とInGaP層によるパッシベーション効果北大情報科学研究科及び量子集積センター¹，JST-さきがけ^{2 ○}中井栄治¹，吉村正利¹，冨岡克広^1,2，福井孝志¹
• 9InPナノワイヤアレイ太陽電池の特性評価北大院情報科学¹，北大量集センター²，JSTさきがけ^{3 ○}吉村正利^1,2，中井栄治^1,2，冨岡克広^1,2,3，福井孝志^1,2
• 10低エネルギー電子線によるInGaP太陽電池の劣化特性の検討宇宙機構¹，原子力機構²，大阪府大^{3 ○}今泉　充¹，森岡千晴¹，住田泰史¹，大島　武²，奥田修一³
• 11励起子吸収を利用したAlGaAs/GaAs超格子太陽電池早大高等研¹，早大理工²，JST CREST³，NTT BRL^{4 ○}西永慈郎^1,3，河原塚篤^1,3，小野満恒二⁴，クラウス プローク^2,3，堀越佳治^2,3
• 12AlGaAs/GaAs超格子太陽電池の吸収効率の評価早大高等研¹，早大理工²，早大材研³，JST-CREST^{4 ○}河原塚篤^1,2,3,4，西永慈郎^1,2,3,4，堀越佳治^2,3,4

1a-H - 1〜15


• 1超低コスト半導体膜大気圧連続ＣＶＤ法の開発フィルテック¹，東大^{2 ○}西原晋治¹，古村雄二¹，村　直美¹，清水紀嘉¹，大場隆之²
• 2高効率GaAs/CIGSe系メカニカル多接合太陽電池の検討-II産総研¹，東理大理工^{2 ○}牧田紀久夫¹，征矢隼人²，小牧弘典¹，齋　　均¹，反保衆志¹，菅谷武芳¹，古江重紀¹，石塚尚吾¹，山田昭政¹，古川昭雄²，柴田　肇¹，松原浩司¹，仁木　栄¹
• 3集光錐と光キャビティによる集光型太陽電池用2 次光学素子の検討東大先端研¹，東大院工^{2 ○}渡辺健太郎¹，渡邊良祐¹，杉山正和²，宮野健次郎¹，中野義昭¹
• 4CPC arrayによる太陽電池の光閉じ込め効果の検討東大先端研¹，JST-CREST^{2 ○（PC）}渡邊良祐^1,2，渡辺健太郎¹，宮野健次郎^1,2
• 5多準位中間バンド太陽電池の理論解析〜集光比依存性と最適バンドギャップ〜シャープ¹，東大ナノ量子機構^{2 ○}野澤朋宏^1,2，荒川泰彦¹
• 6InGaAs/GaAsP歪み補償超格子セルによるキャリア輸送の効率化東大先端研¹，東大院工²，宮崎大工^{3 ○}王　云鵬¹，文　　瑜¹，相原健人³，福山敦彦³，碇　哲雄³，杉山正和²，中野義昭¹
• 7階段ポテンシャル量子井戸セルの空乏層拡張による性能向上東大先端研¹，東大院工^{2 ○}文　　瑜¹，王　云鵬¹，杉山正和²，中野義昭¹
• 8InGaAs/GaAsP歪補償量子井戸太陽電池吸収層でのキャリア再結合損失評価宮崎大工¹，東京大工^{2 ○}相原健人¹，福山敦彦¹，王　云鵬²，杉山正和²，中野義昭²，碇　哲雄¹
•  休憩　11:00〜11:15
• 9MOVPE成長InGaAs/GaAsP多重量子井戸におけるZnコンタミの影響東大先端研¹，東大院工^{2 ○}ハッサネット ソダーバンル¹，馬　少駿²，渡辺健太郎¹，杉山正和²，中野義昭^1,2
• 10GaAs/AlGaAs多重量子井戸太陽電池のCV特性物材機構¹，豊田工大^{2 ○}野田武司¹，間野高明¹，定　昌史¹，川津拓也¹，丁　　毅¹，韓　礼元¹，榊　裕之^1,2
• 11InGaN/GaN MQW太陽電池特性のバリア厚依存性NTT PH研¹，福井大院工^{2 ○}渡邉則之¹，横山春喜¹，重川直輝¹，杉田憲一²，山本あき勇²
• 12共鳴トンネル構造を用いたエネルギー選択層における熱励起電流のホットキャリア型太陽電池特性への影響埼玉大院理工¹，東大先端研^{2 ○}八木修平¹，土方泰斗¹，岡田至崇²，矢口裕之¹
• 13中間バンド型量子ドット太陽電池のデバイスシミュレーション(IV)東大院工¹，東大先端研²，筑波大^{3 ○}吉田勝尚^1,2，岡田至崇^1,2，佐野伸行³
• 14超多積層InGaAs 量子ドットの成長と太陽電池産総研¹，東京都市大^{2 ○}菅谷武芳¹，沼上　理^1,2，古江重紀¹，小牧弘典¹，天野　建¹，松原浩司¹，仁木　栄¹，岡野好伸²
• 15歪積層量子ドット構造の電子状態解析神戸大院工 ^○森垣亮祐，黒目晶人，相馬聡文，小川真人