14. 半導体B（探索的材料・物性・デバイス）

1p-W - 1〜12

• 1薄膜SOI基板へのFeイオン超低エネルギーイオン注入シミュレーション九工大¹，イオンテクノセンター^{2 ○}救　佑輔¹，中尾　基¹，長町信治²
• 2鉄シリサイド薄膜作製における種々のイオンビームによる基板洗浄効果原子力機構¹，茨大理^{2 ○}山口憲司¹，濱本　悟²，北條喜一¹
• 3AIC法を用いたβ-FeSi2の作製及びその構造的、電気的特性評価明大理工 ^○中島　俊，勝俣　裕，植草新一郎
• 4Si上大粒径β-FeSi₂膜マイクロチャネルエピタキシーのための成長条件検討筑波大院電物¹，神奈川産技センター^{2 ○}鈴野光史¹，舟瀬芳人¹，秋山賢輔²，都甲　薫¹，末益　崇¹
• 5半絶縁性4H-SiC基板上β-FeSi₂薄膜の電気伝導特性神奈川県産技セ¹，東工大総理工^{2 ○}秋山賢輔¹，金子　智¹，小沢　武¹，舟窪　浩²，平林康男¹
• 6低残留キャリア濃度β-FeSi₂エピタキシャル膜における電気特性の温度依存性阪大院工 ^○三浦直行，寺井慶和，米田圭佑，野田慶一，藤原康文
•  休憩　16:30〜16:45
• 7β-FeSi₂エピタキシャル膜における直接遷移エネルギーの成長条件依存性阪大院工¹，茨城大工^{2 ○}野田慶一¹，寺井慶和¹，三浦直行¹，鵜殿治彦²，藤原康文¹
• 8IBS β-FeSi₂における1.5 μm発光の寿命評価阪大院工¹，京大エネ科^{2 ○}寺井慶和¹，野田慶一¹，三浦直行¹，前田佳均²，藤原康文¹
• 9C₆₀イオン注入したβ-FeSi₂ナノ結晶の発光増強京大エネルギー科学¹，原子力機構^{2 ○}西村健太郎¹，中島孝仁¹，松倉武偉¹，鳴海一雅²，前田佳均¹
• 10ふく射制御のためのFeSi₂コラム周期配列のボトムアップ形成京大院工 ^○兼子泰幸，鈴木基史，中嶋　薫，木村健二
• 11Ar⁺ミリングを用いたFe₃Si/CaF₂/Fe₃Si トンネル磁気抵抗素子の作製筑波大院電・物¹，産総研^{2 ○（M2）}原田一範¹，眞壁健司¹，末益　崇¹，関場大一郎¹，秋永広幸²
• 12Fe₃Si/CaF₂ヘテロ構造による微小強磁性共鳴トンネルダイオードの作製筑波大院 電子･物理工学専攻(物理工学系¹，産総研^{2 ○}眞壁健司¹，鈴野光史¹，原田一範¹，末益　崇¹，秋永広幸²

2a-W - 1〜11


• 1BaSi₂膜のSi(100)基板上へのMBE成長筑波大院数理¹，JST CREST²，東北大金研^{3 ○}藤　克昭¹，岡田淳史¹，馬場正和¹，中村航太郎¹，都甲　薫¹，末益　崇^1,2，原　康祐³，宇佐美徳隆^2,3
• 2EBIC法によるBaSi₂薄膜の少数キャリア拡散長評価筑波大院¹，物材機構²，JST-CREST^{3 ○}馬場正和¹，Weijie Du¹，Khan M.ajmal¹，藤　克昭¹，岡田淳史¹，中村航太郎¹，末益　崇^1,3，Karolin Jiptner²，関口隆史²
• 3MBE法によりエピタキシャル成長したBaSi₂膜中のAlの拡散係数評価筑波大院　電子・物理工学専攻¹，JST-CREST^{2 ○}中村航太郎¹，藤　克昭¹，Khan M.ajmal¹，Weijie Du¹，岡田淳史¹，馬場正和¹，都甲　薫¹，末益　崇^1,2
• 4BF₂イオン照射したBaSi₂エピタキシャル薄膜の高温アニール東北大金研¹，東京都市大²，筑波大院³，JST-CREST^{4 ○（P）}原　康祐^1,4，宇佐美徳隆^1,4，星　裕介²，白木靖寛²，鈴野光史³，都甲　薫^3,4，末益　崇^3,4
• 5Al誘起層交換成長によるアモルファスSiの結晶化における界面異種元素の影響東北大金研¹，JST-CREST²，筑波大院³ 鄭　美娜¹，^○宇佐美徳隆^1,2，末益　崇^2,3
• 6１４族四面体を持つ化合物のエネルギーギャップ物材機構¹，東北大多元研^{2 ○}今井基晴¹，山田高広²，山根久典²
•  休憩　10:30〜10:45
• 7単相マンガンシリサイド結晶への不純物添加効果茨城大工 ^○石田大輔，鵜殿治彦
• 8マグネシウムシリサイドpn接合ダイオードの作製条件の検討茨城大 ^○山中雄介，鵜殿治彦，関野和幸，高橋良幸
• 9均一組成Si_1-xGe_x及びMg ₂Si_1-xGe_xバルク結晶の熱電特性静岡大電子研¹，静岡大工²，バーハ原子研究センター³，アンナ大⁴，宇宙航空研究開発機構^{5 ○}Arivanandhan Mukannan¹，齋藤洋祐¹，小山忠信¹，百瀬与志美¹，田中　昭¹，池田浩也¹，立岡浩一²，石田明広²，Shovit Bhattacharya³，Aswal Dineshkumar³，Sridharan Moorthy Babu⁴，稲富裕光⁵，早川泰弘¹
• 10SiKr混合薄膜の合成とクラスレート化II岐阜高専¹，岐阜大工^{2 ○}羽渕仁恵¹，生田智隆¹，奥村竜二¹，飯田民夫¹，大橋史隆²，伴　隆幸²，野々村修一²
• 11アモルファス窒化炭素薄膜におけるフォトルミネッセンスの温度依存性津山高専¹，岡山理科大²，龍谷大^{3 ○}澤畠淳二¹，前島悠佑¹，中村重之¹，伊藤國雄¹，亀友健太²，財部健一²，山本伸一³
•  昼食　12:00〜13:00

2p-W - 1〜8

• 1Ceを微量添加した酸化アルミニウム(Al₂O₃)結晶の光学特性千歳科学技術大 ^○古川翔子，大門智範，堀内大嗣，山中明生
• 2Tiをドープした酸化アルミニウム(Al₂O₃)単結晶の青色発光III千歳科学技術大 ^○大門智範，成瀬寛峰，渡邉弘幸，小田久哉，山中明生
• 3Snを添加したβ-Ga₂O₃のXRDによる結晶性評価熊本高専¹，中央電子工業^{2 ○}工藤　淳¹，高倉健一郎¹，船崎　優¹，高原　基¹，角田　功¹，大山英典¹，中島敏之²
• 4固体電解質抵抗変化素子のひずみイメージング関西大院理工¹，広島大院^{2 ○}田村良太¹，高田啓二¹，笠間敏博²，福山正隆²，横山　新²
• 5カーボンナノチューブを分散させたMgO薄膜の作製龍谷大理工¹，兵庫県立工業技術センター^{2 ○}中川拓哉¹，吉岡秀樹²，山本伸一¹
• 6垂直配向フラーレンチューブ結晶の作製と断面観察横市大¹，物材機構^{2 ○}栗山遼太¹，橘　　勝¹，宮澤薫一²
• 7Mg-C系薄膜の電気的特性東海大開発工¹，東海大院素材工²，東海大工³，東海大産業工⁴ 遠藤大輔¹，舞薗三紀彦²，^○千葉雅史¹，久慈俊郎³，清田英夫⁴
• 8ナフタレンジイミド吸着による単層グラフェンナノリボンの電気特性変化阪大院理 ^○（M2）有馬　良，田中啓文，田中大輔，小川琢治