15. 結晶工学

15.7 エピタキシーの基礎

9月2日 13:00〜14:30  会場:基盤2-ZA

2p-ZA - 1〜6

  • 1α-Al2O3(1-102)表面における窒化に関する量子論的アプローチ三重大院工 ○(M2)斉藤康高,秋山 亨,中村浩次,伊藤智徳
  • 2α-Al2O3表面での窒素取り込みにおける反応種依存性の理論検討三重大院工 秋山 亨,斉藤康高,中村浩次,伊藤智徳
  • 3活性窒素種を照射したGaAs(001)表面構造物材機構 大竹晃浩
  • 4GaAsナノワイヤ成長条件下におけるGaAs(111)B表面再構成の理論的検討三重大院工 村瀬 功,秋山 亨,中村浩次,伊藤智徳
  • 5GaAs(001)基板上InAs表面におけるIn原子のマイグレーションに対するモンテカルロシミュレーション三重大 杉谷龍彦,小笠原孝介,秋山 亨,中村浩次,伊藤智徳
  • 6GaAs(001)上InAsぬれ層形成過程に関する一考察三重大院工 伊藤智徳,秋山 亨,中村浩次