9. 応用物性

31p-ZQ - 2〜13

• 2ナノギャップ電極と金ナノ粒子を用いた単電子トランジスタ東工大応セラ¹，CREST-JST²，筑波大院数^{3 ○}岡林則夫^1,2，前田幸祐^1,2，村木太郎^1,2，Victor Serdio^1,2，田中大介^2,3，寺西利治^2,3，真島　豊^1,2
• 3金ナノ粒子を用いた単電子トランジスタの温度依存性東工大応セラ¹，CREST-JST²，筑波大院数理^{3 ○}加納伸也^1,2，前田幸祐^1,2，岡林則夫^1,2，Victor Serdio^1,2，村木太郎^1,2，田中大介^2,3，寺西利治^2,3，真島　豊^1,2
• 4金属架橋構造を有するトップゲート型ナノ粒子単電子トランジスタ東工大応セラ¹，CREST-JST²，筑波大院数理³，ケンブリッジ大^{4 ○}東　康男^1,2，鈴木聖一^1,2，前田幸祐^1,2，岡林則夫^1,2，田中大介^2,3，寺西利治^2,3，Buitelaar Mark⁴，Smith Charles⁴，真島　豊^1,2
• 5２つのサイドゲート電極を有する金ナノ粒子単電子トランジスタのNOR回路動作東工大応セラ¹，CREST-JST²，筑波大院数理^{3 ○}前田幸祐^1,2，岡林則夫^1,2，Victor Serdio^1,2，村木太郎^1,2，田中大介^2,3，寺西利治^2,3，真島　豊^1,2
• 6AFM陽極酸化を用いた単一InAs量子ドットへの強磁性体ナノギャップ電極作製と単電子トランジスタへの応用東大生研¹，東大ナノ量子機構²，CREST-JST³，東大先端研^{4 ○}池永恵梨子¹，守谷　頼¹，柴田憲治¹，平川一彦^1,2,3，石田悟己⁴，荒川泰彦^1,2，町田友樹^1,2,3
• 7Niナノギャップ電極を用いた単一C60分子トランジスタの伝導特性東大生研・ナノ量子機構¹，CREST-JST^{2 ○（DC）}吉田健治¹，梅野顕憲¹，坂田修一¹，平川一彦^1,2
•  休憩　17:00〜17:15
• 8オクタンチオールで修飾された金ナノ粒子の単一電子トンネルＮＴＴ物性科学基礎研究所 ^○林　稔晶，村木康二
• 9In-Plane Gate論理回路の電気特性と集積化早大理工¹，NTT BRL^{2 ○}小松崎優治¹，佐波謙一¹，小野満恒二²，山口浩司²，堀越佳治¹
• 10光照射局所コンダクタンス変調法を用いたＧａＡｓナノワイヤ３分岐接合デバイスの評価北大 ^○佐藤将来，三浦健輔，村松　徹，葛西誠也
• 11ラップゲート制御GaAsナノワイヤCCDの電荷転送動作の検討北大 ^○中野雄紀，田中貴之，葛西誠也
• 12巨大分子ネットワークを用いた確率増幅デバイス阪大産研¹，北大工^{2 ○}松本卓也¹，平野義明¹，浅井哲也²，川合知二¹
• 13単一電子ショット・ノイズを利用した確率共鳴NTT物性研 ^○西口克彦，藤原　聡

1a-ZQ - 1〜12


• 1分子定規無電解金メッキ(MoREP)法によるナノギャップ電極のギャップ長制御東工大応セラ¹，CREST-JST²，筑波大理工^{3 ○}真島　豊^1,2，村木太郎^1,2，Victor M. Serdio V.^1,2，岡林則夫^1,2，田中大介^2,3，寺西利治^2,3
• 2エレクトロマイグレーション法による単接合型抵抗スイッチング素子の作製京大院工¹，京大SACI²，産総研^{3 ○}石田大貴¹，小林　圭²，松重和美¹，清水哲夫³，内藤泰久³，山田啓文¹
• 3低電流エレクトロマイグレーションによるナノギャップ電極の作製産総研ナノシステム¹，茨城大工²，産総研集積マイクロ^{3 ○}内藤泰久¹，大畑達彦²，堀川昌代¹，前田龍太郎³，王　東方^{2, 3}
• 4単結晶ナノ電極の作製と評価産総研¹，船井電機新応用技研²，筑波大³，物材機構　^{4 ○（P）}菅　洋志¹，角谷　透²，古田成生²，植木竜一³，宮澤陽介³，西嶋拓哉³，藤田淳一³，塚越一仁⁴，清水哲夫¹，内藤泰久¹
• 5電流制御を用いたナノギャップ電極スイッチング現象の観察船井電機新応用技術研究所¹，産総研^{2 ○}増田雄一郎¹，クマラグルバラン ソム¹，古田成生¹，高橋　剛¹，菅　洋志²，清水哲夫²，内藤泰久²，小野雅敏¹
• 6透過型電子顕微鏡によるエレクトロマイグレーションのその場観察北大院情報科学 ^○村上暢介，有田正志，浜田弘一，高橋庸夫
•  休憩　11:15〜11:30
• 7エレクトロマイグレーションを利用した交互通電手法によるナノギャップ構造形成の検討東京農工大院工 ^○八木麻実子，須田隆太郎，白樫淳一
• 8エレクトロマイグレーションを用いたナノギャップ狭窄過程におけるコンダクタンスの量子化東京農工大院工 ^○須田隆太郎，八木麻実子，白樫淳一
• 9通電による原子移動制御手法の直列型ナノギャップへの適用東京農工大院工 ^○伊藤光樹，秋元俊介，白樫淳一
• 10ナノギャップからナノワイヤへの構造変換制御東京農工大院工 ^○平田晃大，伊藤光樹，秋元俊介，白樫淳一
• 11ナノギャップを用いた単電子トランジスタ作製技術の検討東京農工大院工 ^○秋元俊介，伊藤光樹，白樫淳一
• 12プレナー型チャネルにおけるエレクトロマイグレーションを用いた構造制御の検討東京農工大院工 ^○北川　潤，厚母息吹，白樫淳一
•  昼食　13:00〜15:20

1p-ZQ - 2〜14

• 2ユニバーサルな電気機械論理ゲートと論理回路ＮＴＴ物性基礎研 Imran Mahboob，Emmanuel Flurin，西口克彦，藤原　聡，^○山口浩司
• 3ナノ制限空間を利用した不揮発性抵抗変化メモリ現象の動作メカニズム解析阪大産研¹，JSTさきがけ²，建国大（韓国）^{3 ○}岡　敬祐¹，柳田　剛^1,2，長島一樹¹，金井真樹¹，川合知二^1,3，Jin-soo Kim³，Bae-ho Park³
• 4Pt/TiO2/Pt極微メモリスタ素子特性の基底状態依存性阪大産研¹，ＪＳＴさきがけ²，建国大^{3 ○}長島一樹¹，柳田　剛^1,2，岡　敬祐¹，金井真樹¹，Annop Klamchuen¹，Jin-soo Kim³，Bae Ho Park³，川合知二^1,3
• 53次元ナノパターン基板を用いた酸化物エピタキシャルナノ構造作製阪大産研 ^○藤原康司，服部　梓，田中秀和
• 6強相関酸化物(Fe, Zn)₃O₄ナノ構造の作製と磁気物性の評価阪大産研 ^○服部　梓，尾野篤志，藤原康司，櫛崎貴吉，田中秀和
• 7白金/窒化ホウ素ナノチューブバイメタル型構造体の作製および変形観察阪大院工 ^○元井啓順，平原佳織，中山喜萬
•  休憩　16:50〜17:05
• 8カーボンナノチューブ複合紙の色素増感型太陽電池への応用横国大院 ^○杉山誠一，大矢剛嗣
• 9ゲート容量の異なるトリプルドット単電子デバイスの動作解析２立命館大院 ^○森口慎一，森安瑠維，今井　茂
• 10熱エネルギーを考慮した単電子デバイスのターンスタイル動作解析立命館大理工 ^○森安瑠維，森口慎一，今井　茂
• 11ノイズを伴うスパイキングニューロンモデルを実現するナノディスクアレイ構造九工大生命体¹，東北大流体研^{2 ○}梁　海超¹，森江　隆¹，孫　意来¹，五十嵐誠²，寒川誠二²
• 12シュミットトリガ動作をする単一電子デバイスの提案とパラメータ設計電通大情報理工 ^○（D）滝口将志，守屋雅隆，島田　宏，水柿義直
• 13単電子ポンプ冷却デバイス特性の動作温度依存性静大電研¹，学振特別研究員DC^{2 ○}池田浩也¹，Salleh Faiz^1,2，三輪一聡¹
• 14パラメータ最適化による熱雑音駆動単電子多数決論理回路の動作限界温度向上横国大院工 ^○（M2）伊藤武範，大矢剛嗣