6. 薄膜・表面

30a-ZK - 1〜15

• 1放射光によるITOフィルム引張過程の応力解析と破断機構日東電工 ^○待永広宣，佐々木恵梨，水池敦子，武田雄希，下北啓輔，宮崎　司
• 2放射光電子分光によるV _{1 - x}W _xO ₂ 薄膜の電子状態解析東大院工¹，JST-CREST²，理研　CMRG&CERG³，JST-さきがけ⁴，東大放射光機構⁵，東北大WPI材料機構⁶，ERATO-MF^{7 ○（PC）}坂井延寿^1,2，吉松公平¹，渋谷圭介³，組頭広志^1,4,5，川崎雅司^1,2,3,6，十倉好紀^1,3,7，尾嶋正治^1,2,5
• 3高効率AZO/ZnO/Cu₂Oヘテロ接合太陽電池の作製金沢工大 OEDS R&D センター ^○西　祐希，野口雄介，宮田俊弘，南　内嗣
• 4スパッタ法により堆積したCu₂O膜の評価九工大 ^○河野太一，中尾　基，アジマン ボアティン，大平恭右
• 5セルフテンプレート法を用いたスピネル薄膜の配向制御東大物性研 ^○三隅　光，高橋竜太，ミック リップマー
• 6LaTiO₃ナノドットが分布したSrTiO₃表面の伝導性東大新領域¹，東大物性研^{2 ○（M2）}笹村　謙¹，高橋竜太²，Mikk Lippmaa^1,2
• 7SrRuO₃エピタキシャル薄膜の構造相転移:薄膜ナノ構造におけるストレイン効果京大化研 ^○菅　大介，島川祐一
• 8強相関酸化物LaNiO₃超薄膜における金属絶縁体転移東大院工¹，JST-CREST²，JSTさきがけ³，東大放射光機構^{4 ○}玉光雅智¹，坂井延寿^1,2，吉松公平¹，組頭広志^1,3,4，尾嶋正治^1,2,4
•  休憩　11:00〜11:15
• 9固体電解質ReRAMのフィラメント形成観察とその組成分析北大院情報¹，半導体理工学研究センター^{2 ○（D）}藤井孝史¹，有田正志¹，浜田弘一¹，高橋庸夫¹，藤原一郎²
• 10平面型の抵抗変化型素子における二段階フォーミング芝浦工院工 ^○（M2）五十嵐勲英，鈴木和典，弓野健太郎
• 11BiFeO₃薄膜の強誘電分極とショットキー的界面を用いた抵抗変化メモリ産総研 ^○（PC）鶴巻　厚，山田浩之，澤　彰仁
• 12金属酸化物ReRAM におけるフィラメント分布と動作ばらつきの相関関係鳥取大工¹，TEDREC^{2 ○（M2）}田中隼人¹，木下健太郎^1,2，吉原幹貴¹，岸田　悟^1,2
• 13メモリ特性ばらつき評価に基づくNiO-ReRAM抵抗変化機構の考察鳥取大工¹，鳥取大工ディスプレイセンター^{2 ○}木下健太郎^1,2，田中隼人¹，吉原幹貴¹，岸田　悟^1,2
• 14Pr_0.5Sr_0.5MnO₃薄膜における電気二重層を用いた電界誘起相転移制御理研CERG¹，電中研²，東大工³，富士電機⁴，東大先端研⁵，JST-CREST^{6 ○}畑野敬史¹，中野匡規¹，小野新平^1,2，岩佐義宏^1,3，荻本泰史^4,5,6，小川直毅^5,6，宮野健次郎^5,6，十倉好紀^1,3
• 15電気二重層ゲートによる(Nd,Sm)NiO₃薄膜の室温での電子相制御産総研¹，JST-CREST²，東大院総合³，JSTさきがけ⁴，東大院工⁵，理研CERG^{6 ○}浅沼周太郎^1,2，向　平華^1,2，山田浩之¹，佐藤　弘¹，井上　公^1,2，赤穗博司^1,2，澤　彰仁^1,2，上野和紀^3,4，川崎雅司^5,6，岩佐義宏^5,6
•  昼食　13:00〜15:00

30p-ZK - 1〜12

• 1SrTiO₃のバンド端発光と光キャリアの非ポーラロン性京大化研 ^○山田泰裕，金光義彦
• 2スパッタリング法によるLi₄Ti₅O₁₂エピタキシャル薄膜の作製と評価東北大 WPI-AIMR¹，東大院新領域²，TOYOTA^{3 ○}高木由貴¹，鈴木　竜¹，熊谷明哉¹，大澤健男¹，白木　将¹，大木栄幹^2,3，一杉太郎¹
• 3エピタキシャル成長用SrTiO₃(001)-(√13×√13)基板表面の構造解析東北大WPI-AIMR¹，JSTさきがけ^{2 ○}清水亮太¹，濱田幾太郎¹，赤木和人¹，岩谷克也¹，大澤健男¹，白木　將¹，塚田　捷¹，一杉太郎^1,2
• 4SrO 層堆積により誘起されるSrTiO₃(001) 基板表面の酸素欠損東北大WPI-AIMR¹，JSTさきがけ^{2 ○}大澤健男¹，岩谷克也¹，清水亮太¹，一杉太郎^1,2
• 5Au/NiO(111)/Nb:SrTiO3(111) 接合の電流電圧特性東工大応セラ研¹，東工大フロンティア²，JSTさきがけ^{3 ○}蜂谷宣人¹，松崎功佑¹，細野秀雄^1,2，須崎友文^1,3
• 6LaAlO₃/SrTiO₃(100)界面による仕事関数制御東工大応セラ研¹，JSTさきがけ²，東工大フロンティア^{3 ○}須崎友文^1,2，牧島　旭¹，細野秀雄^1,3
•  休憩　16:30〜16:45
• 7SrTiO₃ 電場誘起超伝導のキャリア蓄積層厚さ東大院総合¹，PRESTO-JST²，東北大金研³，京大院理⁴，東大院工⁵，東北大WPI⁶，CREST-JST^{7 ○}上野和紀^1,2，野島　勉³，米澤進吾⁴，川崎雅司^5,6,7，前野悦輝⁴，岩佐義宏^5,7
• 8SrTiO₃(210)基板表面の擬一次元ナノ構造富士電機¹，東大先端研²，JST-CREST^{3 ○}荻本泰史^1,2,3，小川直毅^2,3，宮野健次郎^2,3
• 9RhドープSrTiO₃薄膜の水分解光電極への応用東大物性研¹，東京理科大^{2 ○}川崎聖治¹，岩品克哉²，高橋竜太¹，中辻　寛¹，小森文夫¹，吉信　淳¹，工藤昭彦²，ミック リップマー¹
• 10PLD法によりAu蒸着したNb:TiO₂電極の電気化学評価東工大応セラ研 ^○高田真太郎，松本祐司
• 11超臨界流体を用いた酸化チタン微粒子のカーボン材料への担持名大院工¹，名城大理工^{2 ○}堀部剛良¹，三ツ口真司²，平松美根男²，近藤博基¹，関根　誠¹，堀　　勝¹
• 12ルチル型TiO2単結晶電極面上のクラスレート型銀酸化物Ag7O8NO3の光電気化学エピタキシー東工大応セラ研¹，東大物性研^{2 ○}田中亮平¹，高田真太郎¹，高橋竜太²，松本祐司¹

31a-ZK - 1〜12


• 1ヘリコン波励起プラズマスパッタ法によるNb添加TiO₂薄膜の堆積(4)東北大多元研¹，住友金属鉱山² 羽豆耕治¹，^○南風盛将光¹，中山徳行²，田中明和²，秩父重英¹
• 2ヘリコン波励起プラズマスパッタエピタキシーによるc 面GaN 上へのルチル/アナターゼTiO₂:Nb 薄膜の結晶相選択成長(2)東北大多元研¹，住友金属鉱山^{2 ○}羽豆耕治¹，中山徳行²，田中明和²，秩父重英¹
• 3窒素アニールによるNbドープTiO₂透明導電膜の作製KAST¹，東大院理²，東北大^{3 ○}岡崎壮平¹，大久保純平¹，中尾祥一郎¹，廣瀬　靖^1,2，福村知昭²，一杉太郎^1,3，長谷川哲也^1,2
• 42スパッタ源反応性スパッタ法によるTiO₂薄膜の低温結晶化促進法の検討II東京工芸大院（工） ^○（DC）安田洋司，上栗賢人，飛坂真幸，星　陽一
• 5Rutile型TiO₂薄膜のCaH₂による還元京大化研 ^○市川能也，島川祐一
• 6RFマグネトロンスパッタによる高伝導性酸化チタン薄膜の伝導特性静岡大電研¹，愛科大²，岐阜大^{3 ○}深澤正樹¹，坂口鋼一²，原　和彦¹，嶋川晃一³，畑中義式²
•  休憩　11:15〜11:30
• 7NbまたはTaを添加した二酸化チタンの電子状態物材機構-ＧＲＥＥＮ ^○山本武範，大野隆央
• 8アナターゼ型二酸化チタン表面における光触媒反応の理論検討東芝研開センタ ^○平岡佳子，相賀史彦
• 9二酸化チタンにおける不純物効果と熱力学的性質東工大院理工 ^○青木祐太，斎藤　晋
• 10TiO₂ナノチューブチャネルFETのガスセンサ特性阪府大¹，長岡技科大^{2 ○}石井将之¹，寺内雅裕²，吉村　武¹，中山忠親²，藤村紀文¹
• 11単一TiO2ナノチューブの誘電配向制御と電気特性評価京大院工¹，京大SACI^{2 ○}服部真史¹，野田　啓¹，小林　圭²，山田啓文¹，松重和美¹
• 12短期記憶と長期記憶を形成する無機シナプス物材機構¹，UCLA^{2 ○}大野武雄¹，長谷川剛¹，鶴岡　徹¹，寺部一弥¹，James Gimzewski^1,2，青野正和¹
•  昼食　13:00〜15:00

31p-ZK - 1〜15

• 1硫黄膜を用いた抵抗変化型スイッチ・メモリ現象東海大工 ^○今村祥典，片平裕己，広瀬洋一
• 2点接触型メモリデバイスの製作とメカニズムの検討東海大工 ^○片平裕己，五十嵐智行，広瀬洋一
• 3AlO_x-ReRAM素子開発の現状物質・材料研究所 ^○北澤英明，児子精祐，原田義之，加藤誠一，中野嘉博，大吉啓司，柳町　治，井上純一，木戸義勇
• 4Al:Al₂O₃-ReRAMデバイスの作製物材機構 ^○（PC）原田善之，児子精祐，加藤誠一，中野嘉博，北澤英明，木戸義勇
• 5酸化アルミニウム系ReRAMデバイスの作製２物材機構 ^○（PC）原田善之，大井暁彦，児子精祐，加藤誠一，中野嘉博，北澤英明，生田目俊秀，木戸義勇
• 6MIS構造のAlOx-ReRAM物質・材料研究機構 ^○児子精祐，原田善之，加藤誠一，柳町　治，中野嘉博，北澤英明，木戸義勇
• 7陽電子消滅法によるアルミ陽極酸化膜のナノ空孔測定物材研 加藤誠一，^○児子精祐，原田善之，北澤英明，木戸義勇
• 8RFスパッタにより形成したSiO_x薄膜の抵抗変化特性評価広大院先端研¹，名大院工^{2 ○}大田晃生¹，後藤優太¹，西垣慎吾¹，村上秀樹¹，東清一郎¹，宮崎誠一²
•  休憩　17:00〜17:15
• 9バイポーラ型NiO抵抗変化メモリの特性評価奈良先端大¹，CREST^{2 ○}上沼睦典^1,2，鄭　　彬^1,2，石河泰明^1,2，山下一郎^1,2，浦岡行治^1,2
• 10Co 酸化物を用いたモノポーラ動作ReRAM における多値動作の可能性北大院情報 ^○（M2）川西敬仁，高見澤圭佑，藤井孝史，浜田弘一，有田正志，高橋庸夫
• 11Mo酸化物薄膜の抵抗スイッチ特性北大情報¹，現：ミツミ電機^{2 ○}有田正志¹，梶　宏道^1,2，高見澤圭佑¹，藤井孝史¹，川西敬仁¹，浜田弘一¹，高橋庸夫¹
• 12スパッタ法により積層されたTa₂O₅/TaO_x-ReRAM素子の電気特性アルバック半電研 ^○福田夏樹，堀田和正，西岡　浩，鄒　弘綱
• 13原子間力顕微鏡(AFM)と走査型電子顕微鏡(SEM)を組み合わせたReRAMフィラメントの物性解析鳥取大工¹，TEDREC^{2 ○}依田貴稔¹，木下健太郎^1,2，福原貴博¹，岸田　悟^1,2
• 14ペロブスカイト酸化物系ReRAMにおける抵抗変化の発現機構鳥取大工¹，TEDREC^{2 ○（D）}花田明紘¹，木下健太郎^1,2，松原勝彦¹，岸田　悟^1,2
• 15垂直接合カーボンナノチューブを電極とした低電流動作ReRAM産総研　連携研究体GNC ^○中野美尚，高橋　慎，村上　智，川端章夫，佐藤元伸，二瓶瑞久，横山直樹

1a-ZK - 1〜12


• 1ICP支援スパッタ法によるM2相VO2薄膜の成長と相転移特性東海大¹，トゥール大^{2 ○}渡部　智¹，シュルズミア モハメッド¹，沖村邦雄¹，坂井　穣²
• 2VO₂薄膜における金属-絶縁体ドメインの電界制御阪大産研 ^○川谷健一，高見英史，神吉輝夫，田中秀和
• 3サファイアc面基板上にスパッタ成膜したV₂O₃薄膜の相転移特性と膜中ストレスの影響東海大院・工 ^○鈴木康史，沖村邦雄
• 4単結晶酸化バナジウム細線中における単一ドメインの制御東大生研 ^○守谷　頼，町田友樹
• 5アセチルアセトナート錯体を用いた酸化バナジウム・ナノワイヤの成長阪大院基礎工 石部貴史，^○吉川　純，中村芳明，酒井　朗
• 6VO₂薄膜の混合電子相におけるM₂価電子帯スペクトルの分離阪大産研¹，NIMS/SPring-8²，奈良先端大物質創成^{3 ○}神吉輝夫¹，高見英史¹，上田茂典²，服部　梓¹，服部　賢³，大門　寛³，小林啓介²，田中秀和¹
• 7ナノインプリント法によるVO₂ナノ構造体の作製阪大産研 ^○高見英史，川谷健一，神吉輝夫，田中秀和
•  休憩　11:30〜11:45
• 8p型酸化物半導体LaRhO₃における太陽電池特性理研CMRG¹，東大院工^{2 ○（P）}中村優男¹，藤岡　淳²，瀬川勇三郎¹，川崎雅司^1,2，十倉好紀^1,2
• 9透過型太陽電池に向けたNiO薄膜の作製と評価東理大理¹，東洋大理工^{2 ○}小畑　努¹，原子　進¹，小室修二²，趙　新為¹
• 10UV酸化による半導体ニッケル酸化物の作製電気通信大¹，マデュライカマラジ大^{2 ○（M2）}張　東元¹，小泉　淳¹，小野　洋¹，内田和男¹，Ramakrishan Veerabahu²，野崎眞次¹
• 11LSAT基板上に堆積させたSrLaVMoO₆薄膜の輸送・磁気特性東大院理¹，KAST² 大瀧未帆¹，^○近松　彰¹，重松　圭¹，中尾祥一郎²，廣瀬　靖^1,2，福村知昭¹，長谷川哲也^1,2
• 12量子常誘電体EuTiO₃薄膜に対する電場効果東大院理¹，ＫＡＳＴ^{2 ○}島本憲太¹，廣瀬　靖^1,2，畑林邦忠¹，中尾祥一郎^1,2，福村知昭¹，長谷川哲也^1,2
•  昼食　13:00〜15:00

1p-ZK - 1〜15

• 1パルスレーザ堆積法によるLiNbO₃のホモエピタキシャル成長東工大院工¹，JST-ALCA^{2 ○}横山耕祐¹，大島孝仁¹，大友　明^1,2
• 2強相関物質を用いた電気二重層トランジスタ理研-CERG¹，理研-CMRG²，電中研³，東大工⁴，JST-ERATO^{5 ○（P）}中野匡規¹，渋谷圭介²，畑野敬史¹，小野新平^1,3，川崎雅司^1,2,4，岩佐義宏^1,4，十倉好紀^1,2,4,5
• 3パルスレーザー堆積法を用いたSrMnO_3-δ薄膜の酸素欠損制御東大新領域¹，東大生研²，東大総研³，名大工^{4 ○}小林俊介¹，溝口照康²，柴田直哉³，佐藤幸生³，幾原雄一³，山本剛久^1,4
• 4Strain-Mediated Phase Control in Electron-Doped ManganitesAIST¹，JST-CREST^{2 ○}Ping-Hua Xiang^1,2，Hiroyuki Yamada¹，Hiroshi Akoh^1,2，Akihito Sawa¹
• 5Bサイトオーダー型ペロブスカイトLa₂NiMnO₆薄膜のエピタキシャル成長における基板の影響東大院工¹，東工大応セラ研²，東大新領域³，JST-CREST⁴，東大放射光機構^{5 ○}桜井康成¹，大久保勇男¹，松本祐司²，鯉沼秀臣³，尾嶋正治^1,4,5
• 6テラヘルツ時間領域分光法によるSrRuO3薄膜の光学伝導度計測阪大レーザー研 ^○金城隆平，許　偉銘，川山　巌，村上博成，斗内政吉
• 7ラマン分光法によるスパッタSrRuO3薄膜の構造評価とスパッタダメージが特性に及ぼす影響防衛大¹，東工大^{2 ○}田井丈嗣¹，宮崎　亘¹，大住　剛¹，金　鎭雄¹，西出正道¹，加茂嵩史²，舟窪　浩²，島　宏美¹，西田　謙¹，山本　孝¹
•  休憩　16:45〜17:00
• 8Sr_1-xSm_xFeO₂薄膜の構造と輸送特性東大¹，KAST^{2 ○}片山　司¹，近松　彰¹，廣瀬　靖^1,2，福村知昭¹，長谷川哲也^1,2
• 9Sr_1-xLa_xFeO_2.5エピタキシャル薄膜の作製京大化研 ^○（M2）平井　慧，市川能也，松本和也，菅　大介，島川祐一
• 10Sr_2-xLa_xIrO₄薄膜の合成と電子ドープ効果理研 CMRG¹，東大工²，理研 CERG³，ERATO-MF^{4 ○}高橋　圭¹，李　鍾碩²，川崎雅司^1,2,3，十倉好紀^1,2,3,4
• 11オレイン酸修飾Fe_3-xMn_xO₄ ( x = 0 & 0.5 )ナノ粒子トランジスタの磁気抵抗効果九工大院工¹，阪大産研²，物材機構³，福大理^{4 ○}木下智貴¹，岡田浩一²，井山浩一郎¹，下岡弘和¹，三留正則³，香野　淳⁴，田中秀和²，古曵重美¹
• 12サイドウォール蒸着を用いた(Fe,Mn)₃O₄ナノワイヤーの作製阪大産研 ^○櫛崎貴吉，服部　梓，藤原宏平，神吉輝夫，田中秀和
• 13PLD法によるNb添加α-Fe₂O₃薄膜の作製と光電特性金沢大院自然¹，金沢大理工^{2 ○}久々湊聡¹，川江　健²，森本章治²
• 14ナノギャップ電極を用いたマグネタイト（Fe3O4）薄膜の磁気抵抗測定甲南大理工¹，大阪大理研²，産総研ナノテク研^{3 ○}大棚優貴¹，高田直也¹，福留にあと¹，小堀裕己¹，山崎篤志¹，杉村　陽¹，谷口年史²，堀江智之³，内藤泰久³，清水哲夫³
• 15急速熱処理還元法で作製したマグネタイト（Fe₃O₄）薄膜の磁気抵抗効果甲南大理工¹，大阪大理研²，産総研ナノテク研^{3 ○（M1）}高田直也¹，小堀裕己¹，山崎篤志¹，杉村　陽¹，谷口年史²，堀江智之³，内藤泰久³，清水哲夫³

2a-ZK - 1〜15


• 1XAFSによる酸化物半導体の電子状態解析広島大院¹，グエラテクノロジー^{2 ○}大友　惇¹，宮本真太郎¹，田中　大¹，中澤　明²，井上修平¹，梶山博司¹
• 2熱ルミネッセンス法による酸化物半導体の電子トラップ状態計測広島大院¹，グエラテクノロジー^{2 ○}宮本真太郎¹，大友　惇¹，田中　大¹，中澤　明²，井上修平¹，梶山博司¹
• 3MgO微粒子を用いたMgO薄膜の特性評価龍谷大理工¹，兵庫工技セ²，タテホ^{3 ○}大橋義信¹，吉岡秀樹²，清川敏夫³，山本伸一¹
• 4酸化Al下地膜を用いたSrAl₂O₄: Eu, Dy薄膜の特性の検討新潟大 ^○小林和晃，齋藤　稔，清水英彦，岩野春男，福嶋康夫，川上貴浩
• 5バイオセンシングを目指したGa₂O₃ナノワイヤの作製東大工 ^○（D）山原弘靖，王　　震，関　宗俊，田畑　仁
• 6酸化物ナノアイランドを用いた光電変換素子の材料評価(II)香川高専 ^○結城広登，岡野　寛，桟敷　剛
• 7酸化物ナノアイランドを用いた光電変換素子の最適構造の検討香川高専 ^○桟敷　剛，岡野　寛
•  休憩　10:45〜11:00
• 8低電圧スパッタ法により室温にて作製したAZO薄膜の特性新潟大 ^○名越克仁，樫出　淳，清水英彦，岩野春男，川上貴浩，福嶋康夫，永田向太郎，坪井　望，野本隆宏
• 9常圧ALDによる酸化亜鉛の作製阪大太陽エネ化学研セ ^○金田拓也，石倉卓郎，池田　茂，松村道雄
• 10ZnO-Pt界面結合の実験と予測式との比較物質・材料研究機構¹，カレル大^{2 ○}吉武道子¹，Petr Blumentrit^1,2，知京豊裕¹
• 11酸化物-金属界面結合を予測する定量式物質・材料研究機構 ^○吉武道子，知京豊裕
• 12水熱合成法によるPDMS膜上へのZnOナノロッドの作製名古屋工大院 ^○伊藤広顕，壁谷裕樹，早矢仕佳史，島田　賢，市川　洋
• 13ZnOナノロッドへのNafionフィルムのレーザー溶着名古屋工大院 ^○島田　賢，伊藤太志，伊藤広顕，市川　洋
• 14RFマグネトロンスパッタ法により成長したZnO:Co/quartzの評価長岡技科大 ^○小野大祐，豊田英之，神保良夫，内富直隆
• 15UHV RF Magnetron Sputter 法で作製したZnO薄膜のCu-doping 効果早大理工¹，早大各務材研² 吉川正晃^1,2，ブンプラサット タナワット^1,2，^○竹内登志男²，堀越佳治^1,2