16. 非晶質・微結晶

2a-ZG - 1〜11

• 1赤リンと触媒分解により発生させたＨ原子からのＰＨ₃生成機構静岡大工¹，ＪＳＴ，　ＣＲＥＳＴ^{2 ○}梅本宏信^1,2，西原裕心^1,2，石川卓末^1,2
• 2Cat-CVD耐酸化金属触媒体のTMA分解活性化エネルギーの測定神奈川工科大電気電子 ^○齋藤直之，荻田陽一郎
• 3触媒反応により生成した高エネルギーH2Oビームを用いたAl₂O₃薄膜の成長長岡技科大 永田一樹，小柳貴寛，三浦仁嗣，^○加藤孝弘，安井寛治
• 4Cat-CVD SiON系バリア膜のGIG型磁気センサへの応用大同特殊鋼¹，北陸先端大^{2 ○}浅野正克¹，蟹江三次¹，大平圭介²，長田誠一¹，松村英樹²
• 5Cat-CVDガスバリア膜のバリア性への基板凹凸の影響北陸先端大 ^○渡部五常，大平圭介，松村英樹
•  休憩　10:15〜10:30
• 6赤外線イメージセンサ用Si/Ge積層膜の電気特性評価東理大理工 ^○木下潤一，古川昭雄
• 7ポテンシャル障壁構造を用いた赤外線イメージセンサ用Si/Ge薄膜東京理科大 ^○高柴亨介
• 8原子状水素供給スパッタリング法によるシリコン薄膜の高性能化(III)日大生産工 ^○浅野英輝，清水耕作
• 9アモルファスシリコン水素拡散層による多結晶ゲルマニウムの欠陥処理（II）東海大院¹，東海大^{2 ○}村野　光¹，磯村雅夫²
• 10電子ビーム蒸着法により単結晶シリコン基板上に形成した結晶ゲルマニウム薄膜(II)東海大院¹，東海大^{2 ○}山口智明¹，磯村雅夫²
• 11多元同時RFスパッタ法によるIn_XGa_1-XN薄膜の作製とその評価IV岐阜大工 日比野峻，加藤好徳，片山竜一，西脇啓介，大橋史隆，^○伊藤貴司，野々村修一
•  昼食　12:00〜13:00

2p-ZG - 1〜5

• 1酸化物半導体InGaZnO₄/CuAlO₂接合の作製と評価(II)日大生産工 ^○小野瀬匡彦，佐藤敏幸，北野幸樹，新妻清純，日秋俊彦，清水耕作
• 2レーザアニーリングによるシリコンナノ結晶薄膜の電気特性への影響東工大量子ナノ研セ¹，東工大院理工²，デルフト工大 DIMES^{3 ○}中峯嘉文^{1, 2}，Mohammad Mofrad³，Michiel Van Der Zwan³，Johan Van Der Cingel³，小寺哲夫¹，内田　建²，石原良一³，小田俊理¹
• 3Na内包Siクラスレートの合成における前処理効果岐大工¹，岐阜高専^{2 ○}服部真嗣¹，小倉拓也¹，大橋史隆¹，久米徹二¹，伴　隆幸¹，羽渕仁恵²，飯田民夫²，夏原大宗¹，野々村修一¹
• 4II型ゲルマニウムクラスレートの作製条件の検討岐阜大院工¹，岐阜高専^{2 ○}大橋良崇¹，小倉拓也¹，大橋史隆¹，伴　隆幸¹，久米徹二¹，羽渕仁恵²，飯田民夫²，夏原大宗¹，野々村修一¹
• 5金属基板上への窒化炭素膜の液相堆積 [II]東海大開発工¹，東海大産業工²，東海大情報理工^{3 ○}東　幹晃¹，清田英夫²，黒須楯生³，千葉雅史¹