13. 半導体A（シリコン）

30a-W - 1〜11

• 1N-フルオロピリジニウム塩を用いたシリコンの銅触媒エッチング阪大院工¹，ダイキン工業^{2 ○}塚本健太郎¹，打越純一¹，大谷真輝¹，永井隆文²，足達健二²，川合健太郎¹，有馬健太¹，森田瑞穂¹
• 2微細電極表面でのシリコンの酸化溶解反応を利用した微細加工法阪大太陽エネルギー化学研セ ^○杉田智彦，池田　茂，松村道雄
• 3金属微粒子が純水中でのGe表面マイクロラフネスに与える影響の解明阪大院工 ^○有馬健太，川瀬達也，西谷恵介，村　敦史，川合健太郎，打越純一，森田瑞穂
• 4シリコン基板上SiO₂膜の熱分解によるボイド形成弘前大理工 ^○遠田義晴，小川可乃，永井孝幸
• 5金属汚染除去プロセスにおける金属及び下地膜種の影響(3)ソニーセミコンダクタ九州¹，ソニー^{2 ○}齋藤　卓¹，萩本賢哉²，岩元勇人²
• 6枚葉式シリコンウエハ湿式洗浄機における水流の数値解析(2)横国大院工¹，プレテック^{2 ○}大橋新太郎¹，土持鷹彬¹，羽深　等¹，木下哲男²
•  休憩　11:30〜11:45
• 7枚葉IPA乾燥プロセスにおける雰囲気中アンモニア成分の影響（2）東京エレクトロン九州¹，ソニー^{2 ○}川渕洋介¹，南　輝臣¹，萩本賢哉²，岩元勇人²
• 8実ラインでの電解硫酸装置(グリーンサルファシードKD)レジスト剥離の実証栗田工業¹，IBM^{2 ○}大津　徹¹，永井達夫¹，David Hilscher²，Charles Taft²
• 9レジスト剥離工程における枚葉向け電解硫酸処理の最適化検討栗田工業 ^○山川晴義，内田　稔，永井達夫
• 10尿素高度除去方法の新機構栗田工業 ^○床嶋裕人
• 11ZrO₂ナノ粒子、TiO₂ナノ粒子を用いたフィルター除粒子性能評価の検討日本ポール ^○水野豪仁，都築修一，坂本厚志，沼口　徹
•  昼食　13:00〜15:00

30p-W - 1〜9

• 1Si(110)2×16表面構造の局所電子構造１：ステップ構造物材機構¹，チャールス大²，ロンドン大^{3 ○}三木一司¹，M. SetvíN^1,2，V. BráZdová³，D.R. Bowler³
• 2ナノインデンテーション法を用いたSi(111)表面の原子ステップ制御筑波大 ^○工藤　駿，蓮沼　隆，山部紀久夫
• 3水素終端Si高指数面の純水リンスによる構造変化横国大院工¹，産総研^{2 ○}兼村瑠威¹，西澤正泰²，大野真也¹，田中正俊¹，安田哲二²
• 4Si(100)表面近傍におけるVacancyの第一原理解析岡山県立大 ^○神山栄治，末岡浩治
• 5Effect of Si surface roughness on electrical characteristics of HfON gate insulator東工大 ^○Dae-Hee Han，大見俊一郎
•  休憩　16:15〜16:30
• 6太陽電池電極用アルミニウムのシリコン基板との反応性(2)シリコン基板へのAl拡散阪大産研 ^○高橋昌男，井川麻衣，小林　光
• 7相対湿度制御雰囲気下でのXPS測定を用いたSiO₂表面上の吸着水の観測阪大院工¹，バークレー国立研^{2 ○}有馬健太¹，Hendrik Bluhm²，Miquel Salmeron²
• 8シリコン表面における酢酸の吸着脱離挙動(2)横国大院工 内藤龍仁，^○桜井あゆみ，羽深　等
• 9シリコン表面三成分系有機物吸着脱離挙動横国大院工 内藤龍仁，^○中井雄帆，羽深　等