13. 半導体A（シリコン）

1p-J - 1〜12

• 1レーザー補助３次元アトムプローブによる¹⁸O-enriched SiO₂薄膜の組成分析 (2)東芝研究開発センター¹，物質材料研究機構²，CREST-JST^{3 ○}金野晃之^1,3，富田充裕¹，大久保忠勝^2,3，竹野史郎¹，宝野和博^2,3
• 2シリコンにプラズマドープしたホウ素の深さ分布の測定：アトムプローブと高分解能RBS法の比較京大院工¹，IMEC^{2 ○}藤田　頌¹，中嶋　薫¹，鈴木基史¹，木村健二¹，Sebastian Koelling²，Wilfriedrst Vandervorst²
• 3シリコンの価電子帯分散構造の2 軸引っぱり歪みによる変化奈良先端大物質創成¹，琉球大理²，阪大院工³，東京都市大⁴，半導体理工学研究センター^{5 ○}武田さくら¹，田畑裕貴¹，坂田智裕¹，アヨブ ヌル　イダユ¹，前島尚行¹，松岡弘憲¹，稲岡　毅²，有馬健太³，澤野憲太郎⁴，手塚　勉⁵，片山俊治⁵，吉丸正樹⁵，今村　健⁵，大門　寛¹
• 4第一原理計算によるドーパント表面偏析挙動の検討（２）都市大 ^○飯島郁弥，澤野憲太郎，丸泉琢也
• 5電場に対する電子状態の局所線形応答に関する研究京都大工 ^○（D）池田裕治，吉野文弥，瀬波大土，立花明知
•  休憩　16:15〜16:30
• 6Si酸化過程における界面脱離SiOのSiO₂ネットワークへの組み込み障壁富士通研 ^○高橋憲彦，山崎隆浩，金田千穂子
• 7Siナノワイヤ中のSiナノ結晶に対する水素パッシベーション効果筑波大院工¹，物材機構^{2 ○}鈴木慶太郎¹，横野茂輝¹，滝口　亮¹，深田直樹^2,1，菱田俊一²，関口隆史²，村上浩一¹
• 8Ag₂O/HF混合液を用いたSiナノワイヤの作製とその光学及び湿潤特性群馬大院工 ^○加藤優希，安達定雄
• 9KFMによる微結晶ゲルマニウム薄膜の局所帯電評価名大院工¹，広島国際学院大²，広大院先端研^{3 ○}牧原克典¹，出木秀典²，池田弥央³，宮崎誠一¹
• 10低温における結晶Siフィン構造の電流注入発光特性東大ナノ量子機構¹，日立中研²，PETRA^{3 ○}加古　敏¹，斎藤慎一^2,3，岩本　敏¹，荒川泰彦¹
• 11High-kゲートスタック構造における熱伝導に関する研究東工大院理工　電子物理工学 ^○（M2）クンロ チン，高橋綱己，別府伸耕，内田　建
• 12TaN 薄膜の電気抵抗値に及ぼすフラッシュランプ熱処理の影響明大 ^○田島裕章，勝俣　裕，平田雄也，植草新一郎

2a-J - 1〜11


• 1Distribution of stress from Forbidden Phonon in Strained Silicon NanowireRIKEN¹，Max Planck^{2 ○（P）}アルバラード タルン¹，早澤紀彦¹，河田　聡¹，オウッサマ マウタナビル²
• 2導電性AFMによる柱状Siナノ構造における電気伝導特性評価名大院工¹，広大院先端研²，日新電機^{3 ○（M1）}高　　金¹，牧原克典¹，大田晃生²，池田弥央³，宮崎誠一¹，可貴裕和³，林　　司³
• 3一次元連結・高密度Si系量子ドットにおけるEL発光名大院工¹，広島国際学院大²，広大院先端研^{3 ○（M1）}高見弘貴¹，牧原克典¹，出木秀典²，池田弥央³，宮崎誠一¹
• 4SiナノワイヤへのホットインプランテーションによるPドーピング筑波大電子・物理工¹，物材機構²，JSTさきがけ^{3 ○}滝口　亮¹，石田慎哉¹，横野茂輝¹，鈴木慶太朗¹，深田直樹^2,3,1，菱田俊一²，陣　　君²，関口隆史²，村上浩一¹
• 5低温オゾン酸化によるSiNWs中のB偏析抑制効果筑波大電子・物理工¹，物材機構²，JSTさきがけ^{3 ○}滝口　亮¹，鈴木慶太朗¹，深田直樹^2,3,1，菱田俊一²，陣　　君²，関口隆史²，村上浩一¹
•  休憩　10:15〜10:30
• 6素子分離されたSSOIメサ構造のStress-retainer技術によるひずみ緩和抑制MIRAI-東芝 ^○臼田宏治，守山佳彦，手塚　勉
• 7異方的SSOI層の軸分解ラマン測定明治大理工¹，産総研 連携研究体グリーン・ナノエレクトロニクスセンター^{2 ○}小瀬村大亮¹，富田基裕¹，臼田宏治²，小椋厚志¹
• 8液浸技術および超解像技術を用いたラマン分光法の高空間分解能化明大理工 ^○（M2）富田基裕，橋口裕樹，山口拓也，武井宗久，小瀬村大亮，小椋厚志
• 9ラマン分光法によるストライプ加工したひずみSi層の非等方的応力緩和の観測MIRAI-産総研¹，MIRTAI-東芝^{2 ○}多田哲也¹，ウラジミール ポボロッチ¹，臼田宏治²，金山敏彦¹
• 10SiN膜堆積によるSi基板への局所歪み導入九大・総理工¹，九大・産学セ^{2 ○}原田健司¹，山本圭介¹，王　　冬²，中島　寛²
• 11低温・強磁場環境を利用した極薄膜SOI中の変形ポテンシャルの評価東工大院理工電子物理¹，東工大　量子ナノ研セ^{2 ○}大橋輝之¹，高橋綱己¹，小寺哲夫²，小田俊理²，内田　建¹
•  昼食　12:00〜13:00

2p-J - 1〜6

• 1SiGe S/D p-MOSFETsに及ぼす電子線照射の影響（１）：Ge濃度依存性熊本高専¹，中央電子工業²，imec³，E.E. Dept^{4 ○}長岡裕一¹，出本竜也¹，中島敏行²，米田将士¹，角田　功¹，高倉健一郎¹，大山英典¹，Gonzalez M.b^3,4，Simoen E³，Claeys C³
• 2SiGe S/D p-MOSFETに及ぼす電子線照射の影響(2):ゲート長依存性熊本高専¹，中央電子工業²，宮崎大³，imec⁴，E.E. Dept^{5 ○}金子貴博¹，中島敏之²，出本竜也¹，角田　功¹，高倉健一郎¹，米岡将士¹，大山英典¹，吉野賢二³，M Gonzalez^4,5，E Simoen⁴，C. Claeys^4,5
• 3Geを微量ドープしたSiダイオードに及ぼす電子線照射の影響熊本高専¹，中央電子工業²，Department of Solid State Sciences³，Centro Nacional de Microe^{4 ○}平山純也¹，東　孝洋¹，米岡将士¹，高倉健一郎¹，角田　功¹，大山英典¹，中島敏之²，Jan Vanhellemont³，Joan Marc Rafi⁴
• 4水素イオン注入シリコンp⁺n ダイオードのバイアス熱処理の影響愛工大¹，住重試験検査^{2 ○}中井雅文¹，徳田　豊¹，伊藤成志²，坂根　仁²
• 5SOIデバイスの重イオン照射誘起電流の抑制に関する検討日大理工¹，原研^{2 ○（M2）}岡崎勇志¹，小倉俊太¹，高橋芳浩¹，平尾敏雄²，小野田忍²，牧野高紘²，大島　武²
• 6MOSダイオードのC-V特性への光照射効果豊田工大 ^○（M2）西浦啓祥，秋山芳広，榊　裕之