合同セッション

合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

8月31日 9:00〜18:00  会場:基盤1-N

31a-N - 1〜15

  • 1Investigations on structural and optical properties of Sb-Al co-doped ZnO nanowires九大シス情 Palani I.A.,岡崎功太,中村大輔,東畠三洋,岡田龍雄
  • 2MgB2粉末とH2Oを原料に用いた大気圧CVD法によるMgOナノ構造の成長(II)愛媛大院理工1,愛媛大工2 ○(M2)藤原哲郎1,寺迫智昭1,宮田 晃2,白方 祥1
  • 3無アルカリガラス及び(MgZn)Oシード層上へのZnOナノロッドの溶液成長愛媛大院理工1,愛媛大工2,香川高専3 竹川晃平1,寺迫智昭1,大前 謙2,倉重利規2,谷崎晃史2,藤本翔平2,村上聡宏2,宮田 晃2,矢木正和3,白方 祥1
  • 4水溶液法を用いたGaドープZnO薄膜の作製名工大 三浦正旭,松本和也,安部功二
  • 5大気圧非平衡プラズマを用いたZnO薄膜の低温成長阪府大1,積水化学工業2 ○(M1)野瀬幸則1,中村 立1,上原 剛2,藤村紀文1
  • 6スパッタエピタキシー法によるZnO 単結晶層の成長(III)東京電機大 吉田圭佑,落久保隆,重野宏豊,田沼秀隆,篠田宏之,六倉信喜
  • 7スパッタエピタキシー法によるZnO単結晶層の成長(IV)電機大工 落久保隆,吉田圭佑,重野宏豊,田沼秀隆,篠田宏之,六倉信喜
  • 8スパッタエピタキシー法によるZnO単結晶層の成長(V)電機大工 田沼秀隆,落久保隆,吉田圭佑,重野宏豊,篠田宏之,六倉信喜
  •  休憩 11:00〜11:15
  • 9H2-O2触媒反応生成高エネルギーH2Oを用いて成長したZnOエピタキシャル薄膜の電気的性質の温度特性長岡技科大 里本宗一,田原将巳,三浦仁嗣,加藤孝弘,安井寛治
  • 10H2-O2触媒反応生成高エネルギーH2Oを用いてガラス基板上に堆積したZnO薄膜の光学特性長岡技科大工 里本宗一,田原将巳,永富瑛智,加藤孝弘,安井寛治
  • 11MgxZn1-xO薄膜の伝導性に寄与するNとCuの役割静大電子研 ○(P)サンジャイ モハンタ,中村篤志,天明二郎
  • 12化合物原料MBE法を用いたZnO薄膜の結晶成長とその評価工学院大工1,東京高専2 杉浦洋平1,小田拓人1,小畑 聡1,芳原義大1,尾沼猛儀2,山口智広1,本田 徹1
  • 13RS-MBE 法を用いたホモエピタキシャル成長N ドープZnO 薄膜のp 型伝導制御〜ポストアニール効果によるN の活性化〜鳥取大院工 夏目 龍,加藤晃司,高崎正欣,松尾拓朗,秋山章雅,前島隆之,政本卓也,原田宣明,阿部友紀,笠田洋文,安東孝止
  • 14ZnOホモエピタキシャル成長薄膜中のNアクセプタの構造不安定性〜局所格子歪とp型伝導制御の影響〜鳥取大院工 前島隆之,加藤晃司,高崎正欣,夏目 龍,政本卓也,松尾拓朗,秋山章雅,原田宜明,阿部友紀,笠田洋文,安東孝止
  • 15Zn(C5H7O2)2・xH2OファイバーとO3を用いたMO-CVD法によるZnO薄膜の作製仙台高専1,東北大 金研2 羽賀浩一1,阿部 修1,瀧澤義浩1,湯葢邦夫2,宍戸統悦2
  •  昼食 13:00〜15:00

31p-N - 1〜11

  • 1酸素ラジカルを用いて作製したTiO2薄膜の酸素欠陥及び膜厚の影響東理大理 ○(B)中山 創,奥村哲平,大和久智宏,樋口 透
  • 2Anatase型TiO2薄膜から表面吸着分子への電荷移動(2)上智大院 土田翔大,坂間 弘,江馬一弘,欅田英之
  • 3Sn粉末とH2Oを原料とする大気圧CVD法によるSnO2ナノ構造の成長愛媛大院理工1,愛媛大工2 寺迫智昭1,大前 謙2,倉重利規2,谷崎晃史2,藤本翔平2,村上聡宏2,宮田 晃2,白方 祥1
  • 4電着法によりHOPG基板上に作製したCu2O/ZnO異種接合の光起電力効果和歌山大システム工 真壁晴空,高松謙一,宇野和行,田中一郎
  • 5ZnO-LiGaO2系混晶の構造変化と光学的性質阪大1,富山高専2 小俣孝久1,喜多正雄2,橘 康介1,松尾伸也1
  •  休憩 16:15〜16:30
  • 6beta-Ga2O3におけるシリコン不純物の局所電子状態東北大WPI-AIMR1,並木精密宝石2,JSTさきがけ3 岩谷克也1,清水亮太1,会田英雄2,一杉太郎1,3
  • 7遷移金属をドープしたβ-Ga2O3の時間分解分光II千歳科技大 ○(M2)安川 大,若井宏文,小田久哉,山中明生
  • 8新規強磁性半導体alpha-(GaFe)2O3薄膜の磁気特性評価及び断面TEM観察京大院工 金子健太郎,藤田静雄
  • 9超音波噴霧ミストCVD法によるα-(AlGa)2O3薄膜の作製京大院工 伊藤大師,金子健太郎,藤田静雄
  • 10ErドープしたSi過剰SiO2膜のカソードルミネッセンス評価物質・材料研究機構1,カーン大2 ○(P)渡辺健太郎1,SéBastien Cueff2,Benjamin Dierre1,Christophe Labbé2,Filippo Fabbri1,Xavier Portier2,Richard Rizk2,関口隆史1
  • 11SiCの2段階酸化における酸化膜成長速度の測定埼玉大院理工1,産総研ADPERC2 篠田 龍1,土方泰斗1,矢口裕之1,八木修平1,吉田貞史2

合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

9月1日 9:00〜18:00  会場:基盤1-N

1a-N - 1〜15

  • 1多結晶SnOチャネルを用いた両極性トランジスタ東工大/フロンティア研1,東工大/応セラ研2 野村研二1,神谷利夫2,細野秀雄1,2
  • 2プラズマALD法によるZnO薄膜の形成および薄膜トランジスタへの応用奈良先端大1,CREST2 谷 真衣1,川村悠実1,堀田昌宏1,2,石河泰明1,2,浦岡行治1,2
  • 3酸化物バッファを用いたフレキシブルプラスチック基板上ZnO薄膜トランジスタの伝達特性大阪工大ナノ材研 ○(M2)日垣友宏,木村祐太,前元利彦,佐々誠彦,井上正崇
  • 4バイアス電圧印加PLD法によるp型ZnMgO:Sb薄膜の作製秋田県立大 瀬野祐樹,櫻井貴之,小宮山崇夫,長南安紀,山口博之,青山 隆
  • 5バイアス電圧印加PLD法により作製した酸化亜鉛SIS構造のI-V特性秋田県立大 今野大輔,藤島正英,小宮山崇夫,長南安紀,山口博之,青山 隆
  • 6a-InGaZnO4TFTチャネル層のXPS分析山形県工技セ1,NEC液晶テクノロジー2 岩松新之輔1,矢作 徹1,渡部善幸1,小林誠也1,竹知和重2,田邉 浩2
  • 7デュアルゲートa-InGaZnO4 TFTを用いた信頼性解析NEC液晶テクノロジー 竹知和重,田邉 浩,金子節夫
  • 8酸化物半導体TFTにおけるポリマーゲート絶縁膜のダメージ分析NHK技研 中田 充,佐藤弘人,中嶋宜樹,辻 博史,藤崎好英,武井達哉,山本敏裕,藤掛英夫
  •  休憩 11:00〜11:15
  • 9酸化物半導体薄膜へのエキシマレーザアニール効果奈良先端大1,Tech. Univ. of Delft2,出光興産3,CREST4 藤井茉美1,石原良一2,Tao Chen2,Johan Van Der Cingel2,Mohammad R. T. Mofrad2,笠見雅司3,矢野公規3,石河泰明1,4,浦岡行治1,4
  • 10アモルファス酸化物半導体 a-In-Ga-Zn-O 中の過剰酸素関連欠陥とTFT特性東工大応セラ研1,東工大フロンティア研2,龍谷大電子情報3 井出啓介1,菊地優友1神谷利夫1,野村研二2,木村 睦3,細野秀雄2
  • 11アモルファス酸化物半導体In-Ga-Zn-O中の過剰水素の役割東工大/フロンティア研1,東工大/応セラ研2 野村研二1,神谷利夫2,細野秀雄1,2
  • 12酸化亜鉛の表面状態に対する研磨の影響物質・材料研究機構1,法政大2 宮崎宏基1,2,坂口 勲1,安達 裕1,和田芳樹1,石垣隆正2大橋直樹1
  • 13Pt/MgxZn1-xO/ZnOショットキーフォトダイオードの分光感度特性の改善岩手県工技センタ1,岩手大2,産総研3 遠藤治之1,千葉鉄也2,目黒和幸1,高橋 強1,藤澤 充1,反保衆志3,柴田 肇3,松原浩司3,仁木 栄3,柏葉安兵衛2
  • 14PARE法により作製したZnO/MgxZn1-xOヘテロ接合の諸特性岩手大1,岩手県工業技術センター2,仙台高専3 阿部貴美1中川 玲1,遠藤治之2,千葉鉄也1,中川美智子1,千葉茂樹1,高橋修三1,柏葉安宏3,青田克己1,大坊真洋1,新倉郁生1,柏葉安兵衛1,藤原民也1,長田 洋1
  • 15PLD法で作製したZnO薄膜の平面型p-n接合による発光産総研中部センター 楠森 毅,中尾節男,吉村和記
  •  昼食 13:00〜15:00

1p-N - 1〜11

  • 1大気圧CVD法によって成長したr面サファイア基板上ZnO薄膜の電気的及び光学的特性(II)愛媛大院理工1,長岡技大院工2,香川高専3,愛媛大工4 小倉佳典1,寺迫智昭1,平良啓介1,谷口浩太2,中田裕華里3,宮田 晃4,矢木正和3,白方 祥1
  • 2AZO/ZnO:N/ZnOサンドイッチ構造における短時間熱処理効果埼玉大理工1,東洋大バイオナノ研2 渡邊郁弥1,森田 彩1,柿沼貴之1,白井 肇1,花尻達郎2,藤井泰彦2
  • 3薄膜Si太陽電池のための透明導電膜の短時間熱処理効果埼玉大理工1,ヘンミ計算尺2 佐藤俊輔1,越野秀人1,Zeguo Tang1,白井 肇1,加藤雄二2
  • 4単結晶ZnO 薄膜に対する8MeVプロトンビームの照射効果大阪工大ナノ材研センタ1,阪大産業科学研究所2,若狭湾エネ研センタ3 ○(M2)青木隆裕1,藤本龍吾1,小池一歩1,佐々誠彦1,矢野満明1,權田俊一2,石神龍哉3,久米 恭3
  • 5Si基板上に作製したn-ZnO薄膜の光触媒効果2東理大理(ADL)1,東洋大理工2 笠原 玲1,原子 進1,小室修二2,趙 新為1
  •  休憩 16:15〜16:30
  • 6ウルツ鉱型結晶の自発分極と電子状態物質・材料研究機構 大橋直樹,Jesse Williams,吉川秀樹,上田茂典,山下良之,小林啓介
  • 7第一原理計算による二酸化スズ系透明導電膜の電子的構造宮崎大 小嶋 稔,吉野賢二
  • 8偏光反射スペクトル解析によるZnOの物性値の同定東北大多元研1,早大理工学術院2 羽豆耕治1,吉海江憲2,吉岡宗一郎2,高木絢子2,鳥井康介2,宗田孝之2,秩父重英1
  • 9ウルツ鉱型MgxZn1-xO混晶の弾性テンソル要素C13C33に関する考察東北大多元研 張 成燻,羽豆耕治,秩父重英
  • 10ZnO/ZnMgO量子井戸の励起子シュタルク効果の検証鳥取大工 佐藤耕輔,藤沼 諒,安田圭佑,山口拓也,阿部友紀,笠田洋文,安東孝止
  • 11ZnO結晶による紫外Anti-Stokesフォトルミネッセンス東大先端研1,東北大学際2 藤井克司1,2,後藤武生2,八百隆文2

合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

9月2日 9:00〜15:00  会場:基盤1-N

2a-N - 1〜11

  • 1RFスパッタリング法によるGa:ZnO透明導電薄膜の面内分布島大総理工 門脇一葉,多々納優人,舩木修平,山田容士,北川裕之,久保衆伍
  • 2無加熱ガラス基板上のGZO膜に対するナノシートシード層の効果高知工科大総研1,物材機構2 牧野久雄1,柴田竜雄2,山本直樹1,佐々木高義2,山本哲也1
  • 3ZnO:Al薄膜の抵抗率の面内均一性に対する固相結晶化シード層の効果九大シス情1,九大高推セ2 板垣奈穂1,桑原和成1,山下大輔1,鎌滝晋礼2,内田儀一郎1,古閑一憲1,白谷正治1
  • 4GaドープZnO薄膜のラマン散乱山梨大医工1,中家製作所2,山梨工技センター3,山梨富士工技センター4 佐野志保1,堀井貴大1,村中 司1,鍋谷暢一1,松本 俊1,平木 哲2,宮沢節也2,深沢明広2,阪本慎吾2,河野 裕3,木島一広3,安部 治4
  • 5ラマン分光法およびRBS/NRA法によるa-IGZO膜の評価東レリサーチセンター1,青山学院大理工2 織田志保1,井上敬子1,竹田正明1,遠藤 亮1,岡 伸人2,重里有三2
  • 6スパッタ成膜されたZnO系透明導電膜の各種特性に及ぼす不純物添加量の影響金沢工大 OEDS R&Dセンター 野本淳一,平野友康,宮田俊弘,南 内嗣
  •  休憩 10:30〜10:45
  • 7ジエチル亜鉛を原料に用いたスプレー法によるGa添加酸化亜鉛薄膜の大気作製宮崎大工1,東ソーファインケム2 神谷なお美1,新宮政人1,小嶋 稔1,吉野賢二1,竹元裕仁2,豊田浩司2,稲葉孝一郎2,羽賀健一2,徳留功一2
  • 8スピンコート法によるジエチル亜鉛(DEZ)原料を用いた酸化亜鉛薄膜の大気作製宮崎大1,東ソーファインケム2 新宮政人1,神谷なお美1,小嶋 稔1,吉野賢二1,竹元裕仁2,豊田浩司2,稲葉孝一郎2,羽賀健一2,徳留功一2
  • 9亜鉛、酸素を含有する新規な原料を用いたZnO薄膜の低温作製東ソー・ファインケム1,宮崎大2 稲葉孝一郎1,竹元裕仁1,豊田浩司1,羽賀健一1,徳留功一1,新宮政人2,神谷なおみ2,小嶋 稔2,吉野賢二2
  • 10異なる不純物を添加したZnO系透明導電膜の薄膜太陽電池用透明電極への適合性の検討金沢工大 OEDS R&Dセンター 野口雄介,野本淳一,宮田俊弘,南 内嗣
  • 11スパッタ成膜したZnO系透明導電膜のエッチングによる表面凹凸構造形成金沢工大 OEDS R&D センター 平野友康,野本淳一,宮田俊弘,南 内詞
  •  昼食 12:00〜13:00

2p-N - 1〜8

  • 1ウエットエッチング法による2μm幅ZnO透明電極の形成高知工科大総研 山本直樹,森澤桐彦,牧野久雄,山本哲也
  • 2SiO2をドープした酸化亜鉛系透明導電膜のレーザーアニーリングによる特性改善大阪産大工 伊島匡亮,豊川慶晋,青木孝憲,鈴木晶雄
  • 3CuAlO2及びGa2O3ドープした酸化亜鉛系透明導電膜大阪産大工 中 崇人,大橋俊介,青木孝憲,鈴木晶雄
  • 4磁場印加PLD法を用いて作製したTZO透明導電膜大阪産大工 松延光章,近藤剛成,青木孝憲,鈴木晶雄
  • 5ワイドギャップ酸化物半導体表面上における表面プラズモン光波:バイオセンシング応用への展開東大工1,食総研2,京都工繊大3 Wasanthamala Badalawa1松井裕章1,池羽田昌文2,蓮池紀幸3,播磨 弘3,田畑 仁1
  • 6Nb添加TiO2 / Ga添加ZnO積層膜の電気特性島大総理工 一柳成治,大西庸介,佐藤弘一,門脇一葉,舩木修平,山田容士,久保衆伍
  • 7ルチル(Ti,Nb)O2固溶体シード層を用いた高移動度W:SnO2透明導電膜(2)KAST1,東大院理2,中部大3 中尾祥一郎1,2,山田直臣3,廣瀬 靖1,2,長谷川哲也1,2
  • 8Nb12O29 薄膜の構造評価と透明電気伝導特性東北大WPI-AIMR1,東大院工2,JST-CREST3,JSTさきがけ4,東大放射光機構5 大澤健男1,大久保純平1,鈴木 竜1,組頭広志2,4,5,尾嶋正治2,3,5,一杉太郎1,4