15. 結晶工学

30a-ZE - 1〜13


• 1「第1回化合物半導体エレクトロニクス業績賞（赤崎勇賞）受賞記念講演」（35分）
  化合物半導体フロンティアへの挑戦 - 鍵を握る結晶成長技術立命館大 ^○名西やすし
• 2In極性、N極性p型InNにおけるキャリア再結合過程解析千葉大院工¹，北京大学^{2 ○}今井大地¹，石谷善博¹，藤原昌幸¹，王　新強²，草部一秀¹，吉川明彦¹
• 3InN量子ドットのドロップレットエピタキシ成長と評価阪大産研 ^○キルシナムルティ ダイワシガマニ，長谷川繁彦，江村修一，朝日　一
• 4プラズマダメージ低減ECR-MBE法で作製したSi基板上InN薄膜の成長条件が及ぼす長波長域PL発光特性への影響大阪工大 ^○淀　徳男，吉田福蔵，原田義之
• 5In極性InN上への再成長による貫通転位密度低減立命館大・理工¹，立命館大・R-GIRO²，工学院大³，ソウル国立大・WCUプログラム^{4 ○}荒木　努¹，坂本　務¹，三木　彰¹，上松　尚¹，高松祐基¹，山口智広³，名西やすし^2,4
•  休憩　10:35〜10:50
• 6YSZ(001)微傾斜基板上立方晶InN への六方晶相の混入比率の偏り東大新領域 ^○石田　崇，角田雅弘，窪谷茂幸，尾鍋研太郎
• 7室温近赤外発光規則配列InGaNナノコラムLED上智理工¹，上智ナノテク^{2 ○（P）}神村淳平¹，岸野克巳^1,2，鈴木匠人¹，神山幸一¹，菊池昭彦^1,2
• 8RF-MBE法によるInN(10-13)及びInGaN(10-13)のGaAs(110)基板上への成長埼玉大院理工 ^○折原　操，八木修平，土方泰斗，矢口裕之
• 9RF-MBE法による立方晶GaN上への立方晶InNドットの成長（II）埼玉大院理工 ^○鈴木潤一郎，折原　操，八木修平，土方泰斗，矢口裕之
• 10加圧型MOVPE成長InNの転位密度と相純度の成長圧力依存性東北大金研¹，JST-CREST^{2 ○}岩渕拓也¹，平田雅貴¹，木村健司^1,2，劉　玉懐^1,2，張　源涛^1,2，キャッティウット プラスラットスック¹，片山竜二^1,2，松岡隆志^1,2
• 11電界効果MOCVDによるInNの結晶成長 (II)東海大　総合理工 ^○太田優一，犬島　喬
• 12InN/sapphire(0001)MBEテンプレート上へのInN HVPEにおける成長速度の影響東京農工大院工¹，立命館大理工²，工学院大工³，ソウル国立大^{4 ○}山本　翔¹，東川義弘¹，富樫理恵¹，村上　尚¹，熊谷義直¹，山口智広^2,3，荒木　努²，名西やすし^2,4，纐纈明伯¹
• 13極性が制御されたAl₂O₃/InNヘテロ構造の作製東大生研¹，東大院工²，JST-CREST^{3 ○}大久保佳奈¹，小林　篤¹，太田実雄¹，尾嶋正治^2,3，藤岡　洋^1,3
•  昼食　12:50〜15:00

30p-ZE - 1〜11

• 1RF-MBE法によるグラフェン上InN成長初期仮定福井大工¹，九州大工^{2 ○}兒玉賢治¹，山本あき勇¹，田中　悟²，橋本明弘¹
• 2RF-MBE法による(111)Si基板上InGaNナノワイヤ成長II名大院工¹，赤崎記念研究センター^{2 ○（M1）}田畑拓也^1,2，白　知鉉^1,2，本田善央^1,2，山口雅史^1,2，天野　浩^1,2
• 3石英基板上InGaN ナノワイヤの成長名大院工¹，赤崎記念研究センター^{2 ○}山口雅史¹，田畑拓也¹，白　知鉉¹，本田善央¹，天野　浩^1,2
• 4N極性InGaN/GaNナノ結晶の成長及び光学特性上智大理工¹，上智ナノテク^{2 ○（M1）}柏木直人¹，岸野克巳^1,2，光野徹也¹，秦　裕史¹，菊池昭彦^1,2
• 5GaNマイクロディスクからの波長390nm近傍-光励起発振上智大理工¹，上智ナノテク²，山梨大院医工^{3 ○（PC）}光野徹也¹，岸野克巳^1,2，酒井　優³
• 6MBE成長GaN成長条件が空孔型欠陥形成に与える影響原子力機構¹，阪大産研^{2 ○（P）}薮内　敦¹，前川雅樹¹，河裾厚男¹，長谷川繁彦²，周　逸凱²，朝日　一²
•  休憩　16:30〜16:45
• 7RF-MBE 法による(GaN/AlN)交互供給緩衝層上GaN 薄膜成長工学院大工 ^○林　才人，井垣辰浩，杉浦洋平，後藤大雅，山口智広，本田　徹
• 8NH3-MBE法によるEu添加GaNへのMgドーピング効果豊橋技科大¹，浜松ホトニクス²，EIIRIS^{3 ○}関口寛人¹，高木康文²，岡田　浩^1,3，若原昭浩¹
• 9高濃度Gd添加GaGdNにおける自然超格子の形成 (2)阪大産研 ^○東晃太朗，満野陽介，佐野壮太，長谷川繁彦，朝日　一
• 10Si(111)上のGaGdN nanorodsの成長と評価 - 面内配向性 -阪大産研 植中麻衣，木村真理子，長谷川繁彦，^○朝日　一
• 11立方晶GaNバッファー層を用いた立方晶AlNのRF-MBE成長(2)東大新領域 ^○角田雅弘，牧野兼三，石田　崇，窪谷茂幸，尾鍋研太郎

30a-ZF - 1〜15


• 1酸化ガリウム原料を用いて成長したGaN結晶の転位密度評価阪大院工¹，伊藤忠プラスチックス^{2 ○}滝野淳一¹，隅　智亮¹，卜　　渊¹，北本　啓¹，今出　完¹，吉村政志¹，北岡康夫¹，佐々木孝友¹，伊勢村雅士²，森　勇介¹
• 2酸化ガリウムを原料とした無極性面GaN結晶成長阪大¹，伊藤忠プラスチックス^{2 ○}隅　智亮¹，卜　　渊¹，北本　啓¹，今出　完¹，吉村政志¹，北岡康夫¹，佐々木孝友¹，伊勢村雅士²，森　勇介¹
• 3The role of intermediate temperature buffer layer on the crystallinity of HVPE GaN films韓国海大工¹，東北金研²，NIMS³，Dowa Elect. Mat.⁴，NNFC^{5 ○}Youngji Cho¹，Joonseok Ha²，Hyun-Jae Lee²，Takafumii Yao²，Woong Lee³，Takashi Sekiguchi³，Ryuichi Toba⁴，Jun-Mo Yang⁵，Jungho Yoo⁵，Jiho Chang¹
• 4Li添加系Naフラックス法を用いたGaN結晶の高温成長阪大院工 ^○本城正智，升本恵子，今林弘毅，北本　啓，高澤秀生，轟　夕摩，松尾大輔，村上航介，丸山美帆子，今出　完，吉村政志，北岡康夫，佐々木孝友，森　勇介
• 5Ca-Li添加Naフラックス法による透明GaN単結晶の育成と評価阪大院工 ^○小西悠介，村上航介，今林弘毅，高澤秀生，轟　夕摩，松尾大輔，北本　啓，丸山美帆子，今出　完，吉村政志，北岡康夫，佐々木孝友，森　勇介
• 6Naフラックス法を用いたa-GaN成長における種基板の表面状態依存性阪大院工 ^○升本恵子，村上航介，今林弘毅，高澤秀生，轟　夕摩，松尾大輔，北本　啓，丸山美帆子，今出　完，吉村政志，北岡康夫，佐々木孝友，森　勇介
• 7Naフラックス法を用いたバルク状GaN単結晶育成における溶液攪拌効果阪大院工 ^○村上航介，今林弘毅，轟　夕摩，北本　啓，松尾大輔，高澤秀生，丸山美帆子，今出　完，吉村政志，北岡康夫，佐々木孝友，森　勇介
•  休憩　10:45〜11:00
• 8GaN溶液成長におけるN原子の拡散挙動の数値解析三重大工¹，九大応力研^{2 ○}河村貴宏¹，寒川義裕²，柿本浩一²，小竹茂夫¹，鈴木泰之¹
• 9VUV エリプソメトリーを用いたAlN の光学定数福井大工¹，福井大遠赤²，東北工大工³，三重大工⁴ 尾崎恭介¹，^○福井一俊¹，岩井浩紀¹，山本晃司²，斉藤輝文³，三宅秀人⁴，平松和政⁴
• 10c面及びm面ZnO単結晶基板上のGaN初期成長膜界面のラザフォード後方散乱法による評価法大理工¹，福井大²，沖電気工業^{3 ○}伊田孝寛¹，尾賀孝宏¹，井澤祐介¹，栗山一男¹，橋本明弘²，小竹弘倫²，上条　健³
• 11ナノインデンテーションによる窒化ガリウム単結晶の機械的特性及び電気的特性評価パナソニック¹，ノルウェー科学技術大²，アールト大学^{3 ○}藤金正樹¹，横川俊哉¹，長尾至成²，Nowak Roman³
• 12GaNと格子整合するY_xAl_yGa_1-x-yNの自発分極とバンドギャップボーイングの第一原理計算関東学院大工¹，東北大多元研²，住友化学³，早大理工学術院^{4 ○}島田和宏¹，羽豆耕治²，秩父重英²，秦　雅彦³，高田朋幸³，佐沢洋幸³，宗田孝之⁴
• 13Ｘ線回折法によるGaN表面近傍のひずみ評価（計算）名大院工¹，豊田高専^{2 ○}鈴木良和¹，持木健吾¹，秋本晃一¹，榎本貴志²
• 14Ｘ線トポグラフ法によるＧａＮ結晶の結晶面の傾きと面間隔の伸縮の分離名大院工¹，三菱化学^{2 ○}持木健吾¹，鈴木良和¹，秋本晃一¹，浪田秀郎²，長尾　哲²
• 15赤外分光によるGaNのフォノン・電子物性深さ分解評価における重要点千葉大院工 ^○石谷善博，増田祥太郎，草部一秀，吉川明彦
•  昼食　13:00〜15:00

30p-ZF - 1〜11

• 1n面サファイア加工基板上{10-11}GaNのハイドライド気相成長山口大院理工¹，トクヤマ^{2 ○}山根啓輔¹，高見成希¹，古家大士^2,1，岡田成仁¹，只友一行¹
• 2非極性自立基板を用いたGaNホモエピタキシャル成長三重大工 ^○神野大樹，Bei Ma，三宅秀人，平松和政
• 3高温熱処理によるサファイア表面分解・AlN形成における面方位依存性東京農工大院工¹，トクヤマ^{2 ○}猪木孝洋¹，国崎　敦¹，富樫理恵¹，村上　尚¹，熊谷義直¹，柳　裕之²，纐纈明伯¹
• 4水素・窒素混合雰囲気下熱処理におけるc面サファイア基板表面分解・AlN形成の挙動及びその熱力学解析東京農工大院工¹，トクヤマ^{2 ○}国崎　敦¹，猪木孝洋¹，富樫理恵¹，村上　尚¹，熊谷義直¹，柳　裕之²，纐纈明伯¹
• 5AlN/sapphire(0001)テンプレート上へのAlN HVPE高速成長における成長速度の影響東京農工大院工¹，トクヤマ^{2 ○}添田邦光¹，酒井美希¹，関口修平¹，久保田有紀²，永島　徹^1,2，富樫理恵¹，村上　尚¹，木下　亨²，熊谷義直¹，柳　裕之²，纐纈明伯¹
• 6減圧HVPE法を用いたAlN成長における転位密度の低減三重大工¹，理研^{2 ○}野村拓也¹，藤田浩平¹，三宅秀人¹，平松和政¹，乗松　潤²，平山秀樹²
•  休憩　16:30〜16:45
• 7減圧HVPE法による周期溝加工AlN/a面Sapphire上への厚膜AlN成長三重大工 ^○高木雄太，宮川鈴衣奈，三宅秀人，平松和政
• 8AlNのMOVPE成長におけるキャリアガスの影響三重大院工 ^○宮川鈴衣奈，楊　士波，三宅秀人，平松和政
• 9Ga-Al液相成長AlNの転位解析および極性判定東北大多元研¹，住友金属鉱山^{2 ○（P）}安達正芳¹，田中明和²，森川大輔¹，津田健治¹，小畠秀和¹，大塚　誠¹，福山博之¹
• 10半極性面AlN/ZnO界面における極性反転東大生研¹，東大院工²，JST-CREST³，パスカル^{4 ○}小林　篤¹，上野耕平²，太田実雄¹，尾嶋正治^2,3，藤岡　洋^1,3，中西繁光⁴，東堤秀明⁴
• 11PVTを用いた連成圧縮性流れ解法によるAlN結晶成長の数値解析と最適化九大応力研 ^○高　　冰，中野　智，柿本浩一

31a-ZE - 1〜15


• 1AlNエピタキシャル薄膜の発光寿命と点欠陥他の関係について東北大多元研¹，筑波大電物工^{2 ○}秩父重英¹，羽豆耕治¹，尾沼猛儀¹，上殿明良²
• 2溝加工AlN上でのMOVPE法におけるAlN成長速度の異方性三重大工 ^○楊　士波，宮川鈴衣奈，三宅秀人，平松和政
• 3サファイア(0001)基板のステップバンチングによるAlN薄膜の周期的ツイストの除去京大院・工 ^○林　佑樹，松田和久，Banal Ryan，船戸　充，川上養一
• 4反応性スパッタ法により823 Kで作製されたAlN膜の結晶品質に及ぼす窒素流量比の影響東北大多元研 ^○熊田智行，大塚　誠，福山博之
• 5極性を制御した窒化サファイア基板上への窒化物半導体発光素子の試作東大院工¹，東大生研²，JST-CREST³，東北大多元研^{4 ○（P）}上野耕平¹，岸川英司¹，井上　茂²，太田実雄²，藤岡　洋^2,3，尾嶋正治^1,3，福山博之⁴
• 6化学気相法によるAlN単結晶粒子形成に反応条件が与える影響静岡大電子研 ^○森　達宏，深澤正樹，小南裕子，中西洋一郎，原　和彦
•  休憩　10:30〜10:45
• 7成長レート増加によるAlN成長中のウェハそり低減立命館大R-GIRO ^○黒内正仁，武内道一，青柳克信
• 8MOVPE法によるInGaN/AlN多重量子井戸の結晶成長および評価東大院工¹，東大先端研^{2 ○}穴澤風彦¹，ソダーバンル ハッサネット²，藤井克司²，中野義昭²，杉山正和¹
• 9AlN/GaN多層膜反射鏡の高反射率化名城大理工¹，名古屋大院工²，赤崎記念研究センター^{3 ○}矢木康太¹，加賀　充¹，山下浩司¹，竹田健一郎¹，谷川智之²，岩谷素顕¹，竹内哲也¹，上山　智¹，赤崎　勇^1,3，天野　浩^2,3
• 10Emission Wavelength Dependence of Internal Quantum Efficiency in AlGaN/AlN Quantum Wells京大工 ^○（P）ライアン バナル，船戸　充，川上養一
• 11Si-doped AlGaN 多重量子井戸の作製と発光特性三重大¹，浜松ホトニクス^{2 ○（M1）}落合俊介¹，島原佑樹¹，三宅秀人¹，平松和政¹，福世文嗣²，岡田知幸²，高岡秀嗣²，吉田治正²
• 12AlNテンプレートとELO-AlN上AlGaNの微細構造観察名城大理工¹，名大²，名大赤崎記念研究センター^{3 ○}井手公康¹，山本準一¹，野中健太朗¹，榊原辰幸¹，杉山　徹¹，岩谷素顕¹，竹内哲也¹，上山　智¹，赤崎　勇^1,3，天野　浩^2,3
• 13サファイア加工基板上{20-21} GaNの評価山口大理工 ^○岡田成仁，大下弘康，只友一行
• 14r面サファイア加工基板上へ成長した半極性面 {11-22} GaN上への緑色発光ダイオードの作製山口大院理工 ^○内田健充，三好清太，岡田成仁，只友一行
• 15n面サファイア加工基板上へ成長した半極性 {10-11} GaN上におけるMQWs及びLEDの評価山口大院理工 ^○高見成希，内田聡充，岡田成仁，只友一行
•  昼食　13:00〜15:00

31p-ZE - 1〜16

• 1共焦点走査型レーザー顕微鏡(CSLM)によるPSS上GaN薄膜の評価日本工大 ^○小野塚祐，小林達矢，鈴木敏正
• 2UHVスパッタエピタキシーによるAlN単結晶層の成長(II)電機大工 ^○寒河江宏介，小山田友樹，飯島成規，羽鳥貴善，二階堂真也，篠田宏之，六倉信喜
• 3UHVスパッタエピタキシーによるInGaN単結晶層の成長 (II)電機大工 ^○小山田友樹，寒河江宏介，飯島成規，二階堂真也，羽鳥貴善，篠田宏之，六倉信喜
• 4UHVスパッタエピタキシーによるInGaN単結晶層の成長 (III)電機大工 ^○飯島成規，二階堂真也，羽鳥貴善，小山田友樹，篠田宏之，六倉信喜
• 5パルス励起堆積法によるZnO基板上への非極性面InAlN薄膜の成長東大院工¹，東大生研²，JST-CREST³ 梶間智文¹，^○小林　篤²，上野耕平¹，太田実雄²，尾嶋正治^1,3，藤岡　洋^2,3
• 6マイカを出発材料とする大面積窒化物エレクトロニクスの可能性東大生研¹，JST-CREST^{2 ○}野村周平¹，太田実雄¹，井上　茂¹，藤岡　洋^1,2
• 7窒化物半導体トンネル接合に向けた高濃度ドーピング名城大・理工¹，名古屋大・院工²，赤崎記念研究センター^{3 ○}加賀　充¹，山下浩司¹，矢木康太¹，岩谷素顕¹，竹内哲也¹，上山　智¹，赤崎　勇^1,3，天野　浩^2,3
• 8GaN極性反転結晶成長におけるMg表面偏析効果の解明静大院工¹，静大工²，静大電研³，物質・材料研究機構^{4 ○}舘　　毅¹，岩瀬賢俊²，野木　努¹，青木　徹³，中野貴之²，角谷正友⁴，福家俊朗²
•  休憩　17:00〜17:15
• 9熱化学流体計算によるInGaN-MOVPEの成長速度とIn組成東理大理 ^○荒井　悠，一戸文貴，平子　晃，出浦桃子，大川和宏
• 10ジメチルヒドラジンのMOVPE反応管内熱分解の質量分析東大新領域 ^○クァントゥ ティユ，王　彦哲，窪谷茂幸，尾鍋研太郎
• 11X線その場観察を用いたMOVPE法による窒化物半導体の結晶成長名城大¹，赤崎記念研究センター^{2 ○}田中大樹¹，飯田大輔¹，岩谷素顕¹，上山　智¹，竹内哲也¹，赤崎　勇^1,2
• 12(1122)半極性面GaN基板上InGaNにおけるIn組成のオフ角依存性東京理科大理¹，三菱化学科技研^{2 ○}新間理夏¹，渡邊知雅¹，平子　晃¹，田原岳史²，寺田　秀²，出浦桃子¹，大川和宏¹
• 13(1-101)GaN/Si 上InGaN 厚膜のMOVPE 成長名大院工¹，赤崎記念研究センター^{2 ○（D）}谷川智之^1,2，本田善央^1,2，山口雅史^1,2，天野　浩^1,2
• 14MOVPE成長InGaN/m-GaNにおけるチルトドメインとIn濃度東北大金研¹，JST-CREST^{2 ○}正直花奈子¹，花田　貴¹，島田貴章¹，劉　玉懐^1,2，片山竜二^1,2，松岡隆志^1,2
• 15MOVPE選択成長によるGaNステップフリー面上へのInN核生成NTT物性基礎研 ^○赤坂哲也，小林康之
• 16NH₃分解用Pt触媒援用MOVPE法InN成長におけるPt触媒温度(RT〜1000℃)の効果福井大院工 ^○廣長大造，堀田　徹，三原章宏，杉田憲一，A.G. Bhuiyan，橋本明弘，山本あき勇

1a-ZE - 1〜15


• 1MOVPE選択成長法による窒化物ナノコラム結晶成長名城大・理工¹，エルシード²，赤崎記念研究センター^{3 ○}加藤嵩裕¹，大田一成¹，北野　司²，近藤俊行²，飯田大輔¹，井手公康¹，上山　智¹，岩谷素顕¹，竹内哲也¹，赤崎　勇^1,3
• 2低温AlNテンプレートを用いたGaN/AlNナノワイヤ内単一GaN量子ドットのMOCVD選択成長東大生研¹，東大ナノ量子機構^{2 ○（D）}ギヒョン チェ¹，有田宗貴²，荒川泰彦^1,2
• 3GaNナノワイヤ内InGaN量子ドットのMOCVD成長東大ナノ量子機構¹，東大生産研^{2 ○}有田宗貴¹，ギヒョン チェ²，荒川泰彦^1,2
• 4m面InGaN/GaN量子ドットの結晶成長とその光学特性東大ナノ量子機構¹，東大生産研^{2 ○}楊　学林¹，有田宗貴¹，加古　敏¹，荒川泰彦^1,2
• 5青色発光InGaN量子井戸構造のサブミクロン空間分解能PLイメージング東北大未来研¹，JST CREST^{2 ○}佐藤綾耶^1,2，石橋孝介¹，横山弘之^1,2
• 6近接場顕微分光測定によるInGaN量子井戸中のキャリア拡散が効率ドループ現象へ与える影響京大院・工 ^○金田昭男，橋谷　亨，船戸　充，川上養一
• 7InGaN系量子井戸構造における非輻射再結合確率の励起強度依存性山口大院・理工¹，三菱化学・オプト技開センター^{2 ○}廣野貴一¹，山内雅貴¹，倉井　聡¹，山田陽一¹，工藤広光²，岡川広明²
•  休憩　10:45〜11:00
• 8ZnO基板上半極性面InGaN薄膜の偏光特性東大生研¹，東大院工²，JST-CREST^{3 ○}玉木啓晶¹，小林　篤¹，太田実雄¹，尾嶋正治^{2, 3}，藤岡　洋^{1, 3}
• 9半極性・無極性面上に成長されたInGaN量子井戸構造の近接場光学顕微分光山口大院・理工 ^○弘中英夫，下村拓也，倉井　聡，岡田成仁，只友一行，山田陽一
• 10加工Si基板上(1-101)InGaN/GaN MQWストライプの偏光特性名大院¹，赤崎記念研究センター^{2 ○}久志本真希^1,2，谷川智之^1,2，本田善男^1,2，山口雅史^1,2，天野　浩^1,2
• 11実験データ解析に基づく非極性InGaN量子井戸の偏光特性の予測金沢工大¹，京大院・工^{2 ○}山口敦史¹，小島一信²
• 12極性および非極性GaN表面における表面再結合過程工学院大院工¹，東京高専²，金沢工大^{3 ○}坂井直之¹，井垣辰浩¹，尾沼猛儀^1,2，山口敦史³，山口智広¹，本田　徹¹
• 13六方晶GaNとZnOにおける表面再結合の比較東京高専¹，工学院大²，金沢工大^{3 ○}尾沼猛儀^1,2，坂井直之²，井垣辰浩²，山口智広²，山口敦史³，本田　徹²
• 14規則配列InGaN/GaN MQWナノコラムの光励起誘導放出の単一パルス測定上智大理工¹，上智ナノテク^{2 ○（PC）}石沢峻介¹，岸野克巳^1,2，荒木隆一¹，菊池昭彦^1,2
• 15N極性GaNナノリング共振器による光励起発振特性上智理工¹，上智ナノテク^{2 ○}竹内愛規¹，岸野克巳^1,2，光野徹也¹，秦　裕史¹
•  昼食　13:00〜15:00

1p-ZE - 1〜11

• 1時空間同時分解カソードルミネッセンス法によるIII族窒化物半導体評価(1) - HVPE成長GaN基板東北大多元研¹，菱化学科技術研セ²，三菱化学オプトエレ事業部^{3 ○}石川陽一¹，羽豆耕治¹，松本　創²，藤戸健史³，下山謙司³，秩父重英¹
• 2AlGaN系量子井戸構造の内部量子効率に対するSi添加効果(2)山口大院・理工¹，三重大院・工^{2 ○}赤瀬大貴¹，室谷英彰¹，穴井恒二¹，倉井　聡¹，山田陽一¹，三宅秀人²，平松和政²
• 3AlGaN混晶薄膜における励起子分子結合エネルギーのAl組成比依存性山口大院・理工¹，三重大院・工^{2 ○}橘高　亮¹，武藤弘貴¹，倉井　聡¹，山田陽一¹，三宅秀人²，平松和政²
• 4一軸性応力下におけるAlN薄膜のPLスペクトル京大院・工 ^○石井良太，金田昭男，Banal Ryan，船戸　充，川上養一
• 5アモノサーマルGaN基板上に形成したAlGaN/GaNの時間分解フォトルミネッセンス評価東北大多元研¹，東北大WPI^{2 ○}秩父重英¹，羽豆耕治¹，鏡谷勇二¹，尾沼猛儀¹，Dirs Ehrentraut²，福田承生²，石黒　徹¹
• 6GaDyN/AlGaN多重量子井戸構造の作製と評価（2）阪大産研 中谷裕紀，^○周　逸凱，佐野雅昭，江村修一，長谷川繁彦，朝日　一
• 7低温成長GaDyNの諸特性阪大産研 菊池潤一，^○周　逸凱，江村修一，長谷川繁彦，朝日　一
• 8III 族窒化物一次元フォトニック結晶ナノビーム共振器の作製とその光学特性NanoQuine, 東大¹，IIS,東大^{2 ○}Sylvain Sergent¹，有田宗貴¹，加古　聡¹，岩本　聡^1,2，荒川康彦^1,2
• 9中性粒子ビームを用いたGaNエッチングの特性東大生研¹，東北大流体研²，ＪＳＴ-ＣＲＥＳＴ^{3 ○}太田実雄¹，田村洋典^2,3，黄　啓賢^2,3，王　宣又^2,3，久保田智広^2,3，藤岡　洋^1,3，寒川誠二^2,3
• 10PSD法により作製したAlGaN/GaNヘテロ構造の電気特性東大生研¹，JST-CREST^{2 ○}丹所昂平¹，田村和也¹，井上　茂¹，太田実雄¹，藤岡　洋^1,2
• 11高抵抗バッファ層を用いたAlGaN/GaN HFETにおけるチャネル層膜厚の効果新日本無線 ^○深井雅之，柿澤秀介，伏見　浩

2a-ZE - 1〜11


• 1GaN光触媒における水素発生量に対するNiO助触媒の表面被覆率依存性東理大理 ^○林　智恵，佐野双美，平子　晃，出浦桃子，大川和宏
• 2NiO助触媒担持GaN光触媒の長時間耐久性東理大理 ^○林　智恵，出浦桃子，大川和宏
• 3GaN光電極を用いた二酸化炭素還元パナソニック¹，東京理科大^{2 ○}四橋聡史¹，出口正洋¹，銭谷勇磁¹，日野上麗子¹，羽柴　寛¹，山田由佳¹，大川和宏²
• 4MOVPE法による中間組成域n-InAlN/p-InGaNヘテロ接合の作製福井大工 ^○堀田　徹，廣長大造，三原章宏，杉田憲一，Bhuiyan A. B.，橋本明弘，山本あき勇
• 5窒化物太陽電池の電極構造検討名城大理工¹，名古屋大院工²，赤崎記念研究センター^{3 ○}山本翔太¹，森田義己¹，桑原洋介¹，藤井崇裕¹，杉山　徹¹，岩谷素顕¹，上山　智¹，竹内哲也¹，赤崎　勇^1,3，天野　浩^2,3
• 6窒化物半導体太陽電池の集光特性名城大・理工¹，名古屋大・院工²，赤崎記念研究センター^{3 ○}森美貴子¹，山本翔太¹，桑原洋介¹，藤井崇裕¹，岩谷素顕¹，竹内哲也¹，上山　智¹，赤崎　勇^1,3，天野　浩^2,3
•  休憩　10:30〜10:45
• 7非極性面GaN上に作製した窒化物太陽電池II名城大・理工¹，名大・院工²，名大・赤崎記念研究センター^{3 ○}中尾達郎¹，桑原洋介¹，藤山泰治¹，藤井崇裕¹，山本翔太¹，飯田大輔¹，岩谷素顕¹，竹内哲也¹，上山　智¹，天野　浩^2,3，赤崎　勇
• 8SMART窒化物半導体タンデム太陽電池 (6) - (InN)_m/(GaN)_n短周期超格子バンドエンジニアリング -千葉大院工¹，千葉大VBL²，千葉大G-COE³，千葉大JST-ALCA：太陽電池PJ^{4 ○}草部一秀^1,2,3,4，石谷善博^1,2,4，吉川明彦^1,2,3,4
• 9SMART窒化物半導体タンデム太陽電池 (7) - (InN)₁/(GaN)_n短周期超格子のGaN超薄膜化 -千葉大院工¹，千葉大VBL²，千葉大G-COE³，千葉大JST-ALCA: 太陽電池PJ^{4 ○}名倉晶則¹，草部一秀^1,2,3,4，橋本直樹^1,4，石谷善博^1,2,4，吉川明彦^1,2,3,4
• 10SMART窒化物半導体タンデム太陽電池(8) -(InN)₁/(GaN)_n短周期超格子の格子歪み評価-千葉大院工¹，千葉大VBL²，千葉大G-COE³，千葉大JST-ALCA: 太陽電池PJ^{4 ○}奥田貴洋¹，草部一秀^1,2,3,4，橋本直樹^1,4，石谷善博^1,2,4，吉川明彦^1,2,3,4
• 11SMART窒化物半導体タンデム太陽電池 (9) - 1分子層In吸着・脱離過程のMOVPE“その場”観察 -千葉大院工¹，千葉大VBL²，千葉大G-COE³，千葉大JST-ALCA：太陽電池PJ^{4 ○}竜崎達也¹，山本弥史¹，草部一秀^1,2,3,4，石谷善博^1,2,4，吉川明彦^1,2,3,4
•  昼食　12:00〜13:00

2p-ZE - 1〜8

• 1LEDのpn接合部温度の計測とその時間変化東京理大理¹，平山製作所^{2 ○}林　秀樹¹，土屋隆明¹，露木　肇¹，長沢敏勝²，五十嵐敬²，出浦桃子¹，大川和宏¹
• 2グラファイトシート上GaN薄膜の極性制御と可視LEDの作製東大生研¹，JST-CREST^{2 ○}金子俊郎¹，太田実雄¹，井上　茂¹，藤岡　洋^1,2
• 3InGaN/GaNナノコラム結晶の熱処理効果上智理工¹，上智ナノテク^{2 ○}池田恭一¹，岸野克巳^1,2，山野晃司¹，菊池昭彦^1,2，尾崎泰一朗¹
• 4発光色の異なるInGaN/GaNナノコラムLEDの一体集積化上智大・理工¹，上智ナノテクノロジー研究センター^{2 ○}山野晃司¹，岸野克巳^1,2，後藤明輝¹，池田恭一¹，菊池昭彦^1,2，長島和哉¹
• 5サファイア基板上モスアイ構造による青色LEDの光取り出し効率向上名城大¹，エルシード^{2 ○}近藤俊行^1,2，山口修司¹，前田　悟¹，難波江宏一²，竹内哲也¹，岩谷素顕¹，北野　司²，上山　智^1,2，赤崎　勇¹
• 6市販MOCVD装置によるAlGaN系深紫外LEDとその素子応用立命館大 ^○武内道一，黒内正仁，青柳克信
• 7紫外発光素子用高反射電極の構造検討名城大・理工¹，名大・院工²，名大・赤崎記念研究センター^{3 ○}竹原孝祐¹，竹田健一郎¹，青島宏樹¹，岩谷素顕¹，竹内哲也¹，上山　智¹，赤崎　勇^1,3，天野　浩^2,3
• 8殺菌制菌用の高効率長寿命DUV-LEDの要素技術開発創光科学¹，名城大理工²，名大工^{3 ○}古沢優太¹，稲津哲彦¹，深堀真也¹，シリル ペルノ¹，金　明姫¹，藤田武彦¹，長澤陽祐¹，平野　光¹，本田善央³，岩谷素顕²，一本松正道¹，山口雅史³，天野　浩³，竹内哲也²，上山　智²，赤崎　勇²