17. ナノカーボン

17.4 デバイス応用

8月30日 9:00〜18:00  会場:基盤3-ZJ

30a-ZJ - 1〜15

  • 1ALD被膜DWCNT-FETの両極性ゲート特性評価理研1,東京理科大2 久野晃弘1,2,森本崇宏1,土屋好司2,矢島博文2,石橋幸治1
  • 2長さ制御したCNT薄膜トランジスタのオン状態とオフ状態における伝導機構産総研1,NEC2,TASC3 浅田有紀1,二瓶史行2,3,大森滋和1,斎藤 毅1,3
  • 3カーボンナノチューブ薄膜トランジスタの特性評価:移動度とオン/オフ比名大1,アアルト大2 ○(P)孫 東明1,Marina Y. Timmermans2,Ying Tian2,Albert G. Nasibulin2,岸本 茂1,水谷 孝1,Esko I. Kauppinen2,大野雄高1
  • 4CNTFETsにおけるトンネル・リーク電流の抑制に関する研究東工大院理工1,東工大量子ナノエレ研セ2 ○(D)ベッリン アルグル1,小寺哲夫2,小田俊理2,内田 建1
  • 5ノイズスペクトロスコピーによる1/fノイズの雰囲気依存性評価中部大超伝導1,阪大産研2,NTT CS研3,弘前大新エネ4 河原敏男1,山口作太郎1,大野泰秀2,前橋謙三2,松本和彦2,水谷 伸3,伊高健治4
  • 6同一CNT上に作製したサイドコンタクト構造およびエンドコンタクト構造CNT-FETの伝導特性評価北大院情報科学科1,旭川高専2 ○(M1)加藤大貴1,Agus Subagyo1,中村基訓2,末岡和久1
  •  休憩 10:30〜10:45
  • 7半導体型CNTトランジスタの低σ化のための単層カーボンナノチューブの短尺化産総研1,TASC2,日本電気3 ○(PC)大森滋和1,斎藤 毅1,2,井原和紀2,3,浅田有紀2,3,二瓶史行2,湯村守雄1,飯島澄男1
  • 8極短半円筒ゲート構造単層カーボンナノチューブFET を用いた室温動作単電荷メモリ素子作製と評価大阪大 産研1,産総研2,CREST-JST3 上村崇史1,2,3,松本和彦1,2,3
  • 9変形可能なオールカーボンナノチューブ両極性トランジスタ東大工1,東理大工2,東大グローバルCOE3 相川慎也1,2,エリック エイナルソン1,3,千足昇平1,西川英一2,丸山茂夫1
  • 10拡散プラズマCVDにより合成した窒素ドーピング単層カーボンナノチューブを用いた薄膜トランジスタの電気特性東北大院工 安久津誠,加藤俊顕,黒田峻介,金子俊郎,畠山力三
  • 11Au電極CNTFETの真空中におけるn型伝導の観測名大1,名大VBL2 今枝英樹1,石井 聡1,2,岸本 茂1,2,大野雄高1,水谷 孝1
  • 12カーボンナノチューブFETの界面特性改善阪大産研 藤井雄介,岡本翔伍,大野恭秀,前橋兼三,井上恒一,松本和彦
  • 13CNFETのゲート絶縁膜界面における界面電荷分布名大工1,名大VBL2 鈴木耕佑1,大野雄高1,岸本 茂1,2,水谷 孝1
  • 14PZT-CNT-FETにおける金属的CNTの役割大阪府大院工 ○(M2)片岡翔吾,有江隆之,秋田成司
  • 15AFMの電流マッピングを用いた開端カーボンナノチューブの接触抵抗の評価早大理工 稲葉優文,大原一慶,落合拓海,平岩 篤,川原田洋
  •  昼食 13:00〜15:00

30p-ZJ - 1〜10

  • 1「優秀論文賞受賞記念講演」(30分)
    Low-Temperature Synthesis of Graphene and Fabrication of Top-Gated Field Effect Transistors without Using Transfer Processes
    富士通研1,富士通2,JST3 近藤大雄1,2,3,佐藤信太郎1,2,3,八木克典1,2,3,原田直樹1,2,3,佐藤元伸1,2,3,二瓶瑞久1,2,3,横山直樹1
  • 2Carbon nanotube integrated charge sensor理化学研究所 Xin Zhou,Koji Ishibashi
  • 3水平配向カーボンナノチューブFETによる特定タンパク質の検出阪大産研 奥田聡志,大野恭秀,前橋兼三,井上恒一,松本和彦
  • 4金属性単層カーボンナノチューブを利用した酵素センサ 第2報芝浦工大工 星野達也,六車仁志
  • 5フラグメント抗体を修飾したグラフェンFETのバイオセンサ応用阪大産研 岡本翔伍,大野恭秀,前橋兼三,井上恒一,松本和彦
  •  休憩 16:30〜16:45
  • 6垂直配向CNT電極を用いた酸化LDL分子検出の試み北大院・情報科学研究科1,北大院・保健科学研究院2 五十木寛1,武田晴治2,Agus Subagyo1,末岡和久1,千葉仁志2
  • 7イオノフォア修飾グラフェントランジスタを用いた選択的なイオンの検出阪大産研 祖父江靖之,大野恭秀,前橋兼三,井上恒一,松本和彦
  • 8ホウ素含有グラファイトターゲットへのCO2レーザアブレーションから作製した多層カーボンナノチューブの構造と電界電子放出特性NEC1,NECライティング2 弓削亮太1,當山清彦1,青木 康2,眞子隆志1
  • 9半導体特性単層カーボンナノチューブ薄膜を用いた太陽電池の作製および特性評価法大院工1,法大生命科学2 庄司真雄1,関根亮典2,伊藤寿之2,緒方啓典1,2
  • 10pn接合内蔵単層カーボンナノチューブを用いた赤外光太陽電池の作製東北大院工 兒玉宗一郎,李 永峰,金子俊郎,畠山力三

17.4 デバイス応用

8月31日 10:00〜17:00  会場:基盤1-K

31a-K - 1〜11

  • 1過酸化水素水中での単層カーボンナノチューブへの紫外光照射効果阪大院工 今古賀健太,田畑博史,太田佑祈,秋庭秀康,久保 等,片山光浩
  • 2ZnO被膜単層カーボンナノチューブのUV光応答阪大院工 板橋健太,松下八土史,南 真司,久保 等,田畑博史,片山光浩
  • 3カーボンナノチューブ複合紙を用いた電磁波シールド横国大工1,興人2 ○(B)伊藤我子1,樋渡寛信1,寺島良幸2,渋谷昌彦2,海野朋行2,大矢剛嗣1
  • 4多層カーボンナノコイルの電磁波吸収特性に関する研究鶴岡高専1,鶴岡高専2,豊橋技術科学大3,豊橋技術科学大4 小松 晃1,江口宇三郎2,滝川浩史3,須田善行4
  • 5カーボンナノチューブピラーアレイの電界放出面内分布三重大院工1,名大院工2 春木一夫1,渡辺将章1,佐藤英樹1,齋藤弥八2
  • 6カーボンナノツイストの電界電子放出特性に及ぼす金属コーティング膜厚の影響豊橋技術科学大1,東海カーボン2,湘南合成樹脂製作所3,東邦ガス4 杉岡由基1,須田善行1,田上英人1,滝川浩史1,植 仁志2,清水一樹3,梅田良人4
  •  休憩 11:30〜11:45
  • 7Dual-gate動作によるgraphene channel変調と超高速デバイスへの応用東北大1,戦略的創造推進事業2 鄭 明鎬1,全 春日1,吹留博一1,末光哲也1,2,尾辻泰一1,2,末光真希1,2
  • 8ヘリウムイオン顕微鏡により作製したグラフェンナノリボンにおける電流のオン・オフ特性産総研 GNC1,産総研 ICAN2,物材機構 MANA3 中払 周1,飯島智彦2,小川真一2,宮崎久生3,黎 松林3,塚越一仁3,佐藤信太郎1,横山直樹1
  • 9バンドギャップ開口がグラフェンFETのバリスティック性能に及ぼす影響神戸大工1,JST CREST2 迫龍太郎1土屋英昭1,2,小川真人1
  • 10グラフェンネットワークによるバンドギャップの制御(3)北大量集センター1,大日本印刷2 鄒 柳民1,閻 子威1,小西敬太1,法元盛久2,陽 完治1
  • 11イオン液体から高効率電界を印加した二層グラフェンのバンドギャップ生成阪大産研 山城祐介,大野恭秀,前橋兼三,井上恒一,松本和彦
  •  昼食 13:00〜15:00

31p-K - 1〜7

  • 1「優秀論文賞受賞記念講演」(30分)
    Systematic Investigation of the Intrinsic Channel Properties and Contact Resistance of Monolayer and Mutltilayer Graphene Field-Effect Transistor
    東大 長汐晃輔,西村知紀,喜多浩之,鳥海 明
  • 2スパッタアモルファスカーボンの熱処理を用いた転写不要グラフェン形成プロセス産総研/GNC1,東北大2,SPring-83 佐藤元伸1,中野美尚1,川端章夫1,室隆桂之3,高桑雄二2,二瓶瑞久1,横山直樹1
  • 3熱CVD法による選択成長グラフェントランジスタ (II)日立 日立研1,東北大多元研2,東洋大バイオ・ナノエレ研究センタ3 岡井 誠1,徳本久美子2,京谷 隆2,徳田正秀3,筒井 謙3,和田恭雄3
  • 4金属と接触するグラフェンの電気伝導特性東大院工 森山喬史,長汐晃輔,西村知紀,鳥海 明
  • 5グラフェンFETにおける電極接触抵抗のゲート電圧依存性東北大WPI-AIMR1,東北大理2 野内 亮1,齊藤達也2,三苫伸彦2,谷垣勝己1,2
  • 6SiO2上に置かれた多層グラフェンの上面移動度と下面移動度の評価筑波大物理1,物財機構2,CREST (JST)3 貫井洋佑1,3,後藤秀徳1,3,友利ひかり1,3,豊田行紀1,3,大塚洋一1,塚越一仁2,3,神田晶申1,3
  • 7磁性を考慮した穴あきグラフェンの安定構造と電子伝導富士通研 實宝秀幸,大淵真理,金田千穂子