シンポジウム

29p-H - 1〜10


• 1イントロダクトリトーク：グラフェンエピタキシーの現状と将来展望(2)（15分）北大 ^○陽　完治
• 2SiC 上のエピタキシャルグラフェン単層膜の作製と電子輸送評価 (25分）北大 ^○陽　完治
• 3エピタキシャルグラフェンの成長とLEEMによる評価（25分）NTT物性基礎研 ^○日比野浩樹，田邉真一，影島愽之，前田文彦
• 4SiC上グラフェンナノ構造の形成と電子物性（25分）九大院工¹，東大物性研^{2 ○}田中　悟¹，梶原隆司¹，栗栖悠輔¹，森田康平¹，吉村継夫²，中辻　寛²，小森文夫²
•  休憩　14:30〜14:45
• 5CVDグラフェンのグレインの解析とデバイスへの応用（25分）産総研GNC ^○佐藤信太郎，林賢二郎，八木克典，山田綾香，近藤大雄，中払　周，原田直樹，横山直樹
• 6大気圧CVDによる単層グラフェンのエピタキシャル成長（25分）九大先導研 ^○吾郷浩樹
• 7Ni(111)上グラフェン成長のLEEMによるその場観察（25分）早大先進理工¹，NTT物性基礎研²，物材機構³，大阪電通大^{4 ○}小田原玄樹¹，日比野浩樹²，中山七緒¹，新畑智幸¹，大島忠平¹，大谷茂樹³，鈴木雅彦⁴，安江常夫⁴，越川孝範⁴
• 8CVDによるグラフェンの成長と透明導電膜への応用（25分）富士電機 ^○藤井健志，佐藤まり子，米澤喜幸，高橋伸幸，市川幸美
• 9異なる表面構造を有するSiO₂基板/グラフェン相互作用に対する理解と制御 -製膜後に転写する基板をどう選ぶか-（25分）東大院工　マテリアル ^○長汐晃輔，鳥海　明
• 10おわりに（10分）北大 ^○陽　完治