15. 結晶工学

2a-ZA - 1〜9

• 1チョクラルスキーシリコン中の原子空孔の形成エネルギー東北大¹，ゲント大^{2 ○}末澤正志¹，深田直樹¹，Jan Vanhellemont²，米永一郎¹
• 2半導体成長環境下におけるその場Ｘ線反射率測定名大院工¹，名大ＶＢＬ^{2 ○}安西孝太¹，鞠　光旭¹，渕　真悟¹，田渕雅夫²，竹田美和¹
• 3シリコン結晶の高感度赤外吸収と赤外欠陥動力学（１）ピーク吸光度1E-6台の検出東京農工大工¹，トヨタ自動車²，システムズ・エンジニアリング³，大阪府大産学官⁴，熊本電波高専^{5 ○}井上直久^1,4，後藤安則²，菅谷孝夫³，河村裕一⁴，大山英典⁵
• 4Si結晶空間電荷領域におけるCuセンタ変換反応のDLTS測定日立、日立研 ^○中村　稔，村上　進
• 5不純物をドープしたSiGe膜中の貫通転位運動岡山大院 ^○船木　透，松永拓也，山下善文，石山　武，上浦洋一
• 6CVD法を利用したPドープGeナノワイヤの成長物材機構¹，JST さきがけ²，ジョージア工科大^{3 ○}深田直樹^1,2，三留正則¹，関口隆史¹，坂東義雄¹，Zhong Lin Wang³
• 7nc-Si/Au およびnc-Ge/Au 薄膜の電気特性に及ぼすAu の影響防衛大　機能材料 ^○（DC）上田貴史，青野祐美，滝口裕章，宮崎　尚，岡本庸一
• 8熱刺激電流法によるSi(111)基板上GaN薄膜中のトラップ評価大阪工大 ^○吉田福蔵，中西佑太，三嶋一成，中谷光宏，淀　徳男，吉浦昌彦
• 9LaAlO₃における金属不純物の存在早大先進理工 ^○（M1）山坂大樹，大木義路