10. スピントロニクス・マグネティクス

10.3 GMR・TMR・磁気記録技術

9月2日 9:00〜15:00  会場:地域1-S

2a-S - 1〜11

  • 1垂直磁化膜を有する面内磁化方式強磁性トンネル接合超低電圧デバイス技術研究組合 落合隆夫,Young Min Lee,吉田親子,角田浩二,青木正樹,杉井寿博
  • 2MgO電子ビーム蒸着法による垂直磁化型MTJの高MR化伯東1,Riber2,東芝3 小野和人1,長谷川直努1,Villette Jerome2,與田博明3,甲斐 正3,永瀬俊彦3,伊藤順一3
  • 3垂直磁化Mn-Ga/MgO/CoFe接合におけるトンネル磁気抵抗効果のMn-Ga組成依存性東北大WPI機構1,東北大通研2,東北大院工3 ○(PC)窪田崇秀1,洗平昌晃1,三浦良雄2,水上成美1,永沼 博3,大兼幹彦3,安藤康夫3,白井正文2,塚田 捷1,宮崎照宣1
  • 4下部反平行結合膜フリー層を用いたトンネル磁気抵抗センサーの作製東北大院工 ○(D)藤原耕輔,大兼幹彦,横田沙会子,永沼 博,安藤康夫
  • 5Co2MnSi/MgO/Co2MnSiエピタキシャルMTJにおけるトンネル抵抗のバリア膜厚に対する磁化平行と反平行に共通する振動北大院情報科学研究科 ○(M2)本田佑輔,平田進之佑,劉 宏喜,松田健一,植村哲也,山本眞史
  • 6フルエピタキシャルFe/bcc Cu/MgO/Fe(001)強磁性トンネル接合におけるスピン依存量子井戸準位の形成物材機構 ○(PC)新関智彦,三谷誠司,介川裕章,葛西伸哉,猪俣浩一郎
  •  休憩 10:30〜10:45
  • 7ホイスラー合金Co2FexMn1-xSiを用いたCPP-GMR素子の磁気抵抗効果東北大院工1,東北大WPI2 佐藤 丈1,窪田崇秀2大兼幹彦1,永沼 博1,安藤康夫1
  • 8Large current-perpendicular-to-plane giant magnetoresistance by enhanced interfacial specific resistance at Fe/Ag interface東北大院工1,東北学院大工2 ○(D)鄭 鎮源1,塩川陽平1,土井正晶2,佐橋政司1
  • 9Co超薄膜における磁性の電界制御京大化研1,科技機構さきがけ2,NEC3 千葉大地1,2,深見俊輔3,島村一利1,石綿延行3,小林研介1,小野輝男1
  • 10FePt薄膜における磁気特性の電圧制御東北大金研1,東北大院工2 関 剛斎1,好田 誠2,新田淳作2,高梨弘毅1
  • 11スピン波ペルチェ効果の観測東北大金研1,科技機構-CREST2,原研先端研3 安 東秀1,2,内田健一1,2,針井一哉1,2,梶原瑛祐1,2,山口和也1,2,齊藤英治1,2,3
  •  昼食 12:00〜13:15

2p-S - 1〜7

  • 1強磁性共鳴法によるFe(001),(110),(111)単結晶薄膜の磁気特性評価山形大工1,中央大理工2 坂本雅人1,稲葉信幸1,大竹 充2,二本正昭2
  • 2スピントルクダイオードにおけるノイズ評価阪大院基礎工1,産総研ナノスピントロニクス研究センター2 三輪真嗣1,石橋翔太1,冨田博之1,安東 健1,猿谷武史2,関 孝之2,野崎隆行2,久保田均2,薬師寺啓2,福島章雄2,湯浅新治2,鈴木義茂1
  • 3ホイスラー合金Co2MnSi電極を用いたCPP-GMR素子における高出力スピントルク自励発振東北大金研 大倉 遼,桜庭裕弥,泉健之亮,関 剛斎,水口将輝,高梨弘毅
  • 4周波数変調機能を利用したNCMR-STOセンサの基礎検討I東北大工1,TDK2 ○(M1)小園祐貴1,Muftah K.o Al-Mahdawi1,奥冨譲仁1,三宅耕作1,鈴木英治2,鈴木健司2,佐橋政司1
  • 5垂直スピン注入層を有する強磁性トンネル接合の作製東北大院工 小野敦央,永沼 博,河田祐紀,大兼幹彦,安藤康夫
  • 6強磁性トンネル磁気接合素子を用いた高周波電流の周波数変換阪大基礎工1,産総研2 塩見元輝1,升方康智1,石橋翔太1,冨田博之1,前原大樹2,野崎隆行2,三輪真嗣1,久保田均2,福島章雄2,湯浅新治2,鈴木義茂1
  • 7Co2MnSi電極強磁性トンネル接合を用いたスピントランジスタにおける磁気電流比とon/off比のゲート電圧依存性東北大工 ○(DC)大平祐介,大兼幹彦,永沼 博,安藤康夫