16. 非晶質・微結晶

1a-ZH - 1〜12

• 1Si薄膜太陽電池の成膜プロセスに関する計算化学的アプローチ東北大院工 ^○（M1）桑原卓哉，樋口祐次，尾澤伸樹，島崎智実，久保百司
• 2SiH4/H2プラズマシミュレーション技術の開発三洋電機 ^○片山博貴，吉田　功，綾洋一郎，寺川　朗，井関正博
• 3複数の励起波長を用いたラマン分光法による微結晶シリコン薄膜の結晶性評価2宮崎大工 ^○和田翔樹，前田幸治，西岡賢祐
• 4微結晶シリコン太陽電池におけるi層製膜初期プロセスの制御阪大院基礎工¹，JST-CREST^{2 ○（M2）}武藤裕嵩¹，立嵜圭祐¹，傍島　靖^1,2，佐田千年長^1,2，松田彰久^1,2，岡本博明^1,2
• 5アモルファスシリコン薄膜太陽電池におけるnip、pin型構造の作製プロセス制御阪大院基礎工¹，JST-CREST^{2 ○（M2）}小松優樹¹，前田貴紀¹，木下翔太¹，傍島　靖^1,2，佐田千年長^1,2，松田彰久^1,2，岡本博明^1,2
• 6高ヘイズZnO基板上でのa-Si: H太陽電池の高効率化東工大院理工¹，東工大PVREC^{2 ○}和田英敏¹，Aswin Hongsingthong¹，Liping Zhang¹，Porponth Sichanugrist¹，小長井誠^1,2
•  休憩　11:15〜11:30
• 7a-Si:H//CIGS四端子タンデム薄膜太陽電池の開発東工大院理工¹，太陽光発電システム研究センター^{2 ○}木暮亮太郎¹，笠嶋俊介¹，平井義晃¹，Sichanugrist Porponth¹，山田　明^1,2，小長井誠^1,2
• 8ワイドギャップナノ結晶シリコン層の光起電特性農工大　院　工 ^○（D）Romain Mentek，Bernard Gelloz，越田信義
• 9低屈折率n型微結晶Si_1-XO_X:H薄膜によるヘテロ接合型微結晶Si太陽電池の構造簡略化東工大院理工¹，東工大PVREC^{2 ○}藤丘英明¹，Bancha Janthong¹，Porponth Sichanugrist¹，小長井誠^1,2
• 10FLAにより形成したpoly-Si膜を用いた太陽電池のSuns-V_OCによる評価北陸先端大¹，JSTさきがけ^{2 ○}澤田恵佑¹，石井翔平¹，渡村尚仁¹，大平圭介^1,2，松村英樹¹
• 11TiO₂:Nbのシリコン量子ドット太陽電池用拡散防止膜への応用東工大院理工¹，東工大PVREC^{2 ○}山田　繁¹，黒川康良¹，小長井誠^1,2
• 12太陽電池応用へ向けたシリコンナノワイヤの作製東工大¹，東工大太発シス研セ²，日産総研^{3 ○（M1）}渡邊裕也¹，加藤慎也¹，黒川康良¹，山田　明^1,2，太田最実³，丹羽勇介³，廣田正樹³
•  昼食　13:00〜15:00

1p-ZH - 1〜15

• 1Si融液に濡れない基板作製と基板上での球状Si作製山口大院理工 ^○伊東洋典，淺野間奨，中村ちひろ，三村茉依子，中山雅晴，小松隆一
• 2インクジェット法を用いたシリコン融液に濡れない基板の作製と評価山口大院理工 ^○岡村秀幸，伊東洋典，中山雅晴，小松隆一
• 3Si融液の高温その場観察によるSi融液に濡れない基板の評価山口大院理工 ^○伊東洋典，徳永香織，池村康平，中山雅晴，小松隆一
• 4数値解析を用いた太陽電池用多結晶シリコン育成時における酸素濃度のヒーター位置依存性九大応力研 ^○中野　智，高　　冰，柿本浩一
• 5一方向性凝固法を用いた単結晶の種結晶成長中における坩堝近傍での多結晶発生の抑制九大応力研¹，物質・材料研究機構^{2 ○}高　　冰¹，中野　智¹，柿本浩一¹，原田博文²，宮村佳児²，関口隆史²
• 6シリコン直接接合界面の電気的特性に対するNi汚染の影響（２）豊田工大 ^○小島拓人，青木真理，小島信晃，大下祥雄，山口真史
• 7太陽電池用多結晶Si 中の小角粒界における金属不純物が少数キャリア再結合に与える影響明大¹，豊田工業大²，兵庫県立大^{3 ○}鮫島　崇¹，土屋佑樹¹，宮崎直人¹，立花福久¹，大下祥雄²，新船幸二³，小椋厚志¹
• 8メスバウア分光とPLマッピングを用いた多結晶シリコンの不純物評価静岡理工科大¹，フォトンデザイン^{2 ○}田中清高¹，秋山祐希¹，早川一生¹，行平憲一¹，清水良祐²，吉田　豊¹
•  休憩　17:00〜17:15
• 9走査プローブ顕微鏡を用いた光熱/ポテンシャル測定による多結晶シリコン太陽電池の局所的評価東大生研¹，東大ナノ量子機構^{2 ○（D）}原　賢二¹，高橋琢二^1,2
• 10種結晶を用いて作製したシリコン基板中の結晶欠陥に関する評価(2)明大¹，豊田工大²，兵県大³，九大⁴，物材機構^{5 ○（D）}立花福久¹，鮫島　崇¹，小島拓人²，新船幸二³，柿本浩一⁴，宮村佳児⁵，原田博文⁵，関口隆史⁵，大下祥雄²，小椋厚志¹
• 11原料純度が太陽電池セルの特性に与える影響の調査トクヤマ¹，東北大金研^{2 ○}有福直樹¹，藩　伍根²，原　康祐²，松島　悟²，松井光彦¹，宇佐美徳隆²
• 12δ拡散技術を用いた結晶Si系太陽電池評価技術の開発東北大金研¹，トクヤマ^{2 ○}藩　伍根¹，宇佐美徳隆¹，藤原航三¹，原　康祐¹，有福直樹²，松井光彦²，松島　悟¹
• 13アルミゲッタリングによる太陽電池用多結晶Si中の結晶粒界での少数キャリア再結合の挙動明大¹，豊田工業大²，兵庫県立大^{3 ○}宮崎直人¹，土屋佑樹¹，鮫島　崇¹，立花福久¹，大下祥雄²，新船幸二³，小椋厚志¹
• 14フォトレジストマスキング法のラジカルドーピングへの適用の試み北陸先端大¹，JST-CREST^{2 ○}早川太朗^1,2，中島裕貴^1,2，小山晃一^1,2，大平圭介¹，松村英樹^1,2
• 15ラジカルを用いて低温ドーピングを行った結晶Siの表面観察北陸先端大¹，JST-CREST^{2 ○}中島裕貴^1,2，早川太朗^1,2，小山晃一^1,2，大平圭介¹，松村英樹^1,2

2a-ZH - 1〜10


• 1硝酸酸化法によるシリコン太陽電池の高効率化:表面パッシベーション効果の評価阪大産研 ^○（M2）金　昌鎬，金　佑柄，高橋昌男，小林　光
• 2コンビナトリアル手法を用いた結晶Si 太陽電池におけるZrO₂ 系パッシベーション材料の探索明大理工¹，物材機構²，兵庫県立大³，JST-CREST^{4 ○（M1）}池野成裕^1,2，立花福久¹，Hyunju Lee^1,4，吉田晴彦^3,4，新船幸二^3,4，佐藤真一^3,4，知京豊裕²，小椋厚志^1,4
• 3Aluminum Oxide Thin Films Deposited by O₃ Based ALD for Crystalline Silicon明大¹，兵庫県立大²，東京エレクトロン³，物質・材料研究機構⁴，科学技術振興機構-戦略的創造推進事業^{5 ○}ヒュンジュ リ^1,5，Naomi Sawamoto^1,5，Tomihisa Tachibana^1,5，Norihiro Ikeno^1,5，Koji Arafune^2,5，Haruhiko Yoshida^2,5，Shin-ichi Satoh^2,5，Kazuhiro Matsumoto³，Kousuke Takahashi³，Toyohiro Chikyow⁴，Atsushi Ogura^1,5
• 4ALD法により製膜したAlO_xパッシベーション膜の製膜温度依存性兵庫県立大¹，明治大²，東京エレクトロン³，豊田工大⁴，JST-CREST^{5 ○}新船幸二^1,5，三木祥平^1,5，松谷亮佑^1,5，浜野純平^1,5，吉田晴彦^1,5，立花福久^2,5，小椋厚志^2,5，松本和大³，高橋宏輔³，大下祥雄^4,5，佐藤真一^1,5
• 5太陽電池n-Si用アルミナパッシベーション膜の再結合減少の検討神奈川工科大 ^○會澤洋太朗，荻田陽一郎
•  休憩　10:15〜10:30
• 6太陽電池p-Si用アルミナパッシベーション膜の短時間アニール神奈川工科大電気電子 ^○荻田陽一郎，立原誠之
• 7SiH₂Cl₂系AZO/a-Si/c-Siヘテロ接合太陽電池の短時間熱処理効果埼玉大理工研 ^○越野秀人，Zeguo Tang，今井祐紀，白井　肇
• 8Cat-CVD法によるSiN_x/a-Si積層膜がc-Siに対し 高パッシベーション特性を有する原因の究明北陸先端大¹，JST-CREST^{2 ○}小山晃一^1,2，東嶺孝一^1,2，加藤和也^1,2，大平圭介¹，大塚信雄^1,2，松村英樹^1,2
• 9Cat-CVD法で製膜されたa-Si/c-Si界面の走査透過電子顕微鏡観察北陸先端大¹，ＪＳＴ‐ＣＲＥＳＴ^{2 ○}東嶺孝一^1,2，小山晃一^1,2，加藤和也^1,2，大平圭介¹，松村英樹^1,2，大塚信夫^1,2
• 10Cat-CVD SiNx/a-Si/c-Si積層パッシベーションのSi基板面方位依存性北陸先端大¹，JST-CREST^{2 ○}加藤和也^1,2，小山晃一^1,2，大平圭介^1,2，松村英樹¹