17. ナノカーボン

31a-ZF - 1〜11


• 1金属基板上加熱による酸化グラフェン欠陥の修復東大院理¹，東大院新領域^{2 ○}田中弘成¹，小幡誠司²，斉木幸一朗^1,2
• 2電気化学的剥離法による酸化グラフェンの作製山形大院 ^○沖本治哉，曽部雄平，佐野正人
• 3化学気相条件による酸化グラフェン還元・構造回復過程の層数依存性阪大院工 ^○平野博紀，楠本太郎，根岸良太，小林慶裕
• 4有機半導体分子へのマイクロ波照射による新しい炭素固体の合成北大総合化学院¹，北大工² 富田　潤¹，長浜太郎²，^○島田敏宏^1,2
• 5金属触媒を用いたアモルファスカーボンからのグラフェン成長阪大産研 ^○茱萸健太，小西まり，藤井雄介，大野恭秀，前橋兼三，井上恒一，松本和彦
• 6パルスプラズマCVDにより成膜したナノカーボン膜の成長過程中部大 ^○（D）松島真央，野田三喜男，内田秀雄，脇田紘一，梅野正義
•  休憩　11:30〜11:45
• 7高輝度放射光によるLSI配線用カーボン薄膜の化学状態・配向性分析JASRI¹，東北大²，産総研^{3 ○（PC）}犬飼　学¹，池永英司¹，室隆桂之¹，小川修一²，尾白佳大²，高桑雄二²，佐藤元伸³，二瓶瑞久³，横山直樹³
• 8ガスソースＭＢＥによるグラフェンの成長　-フィン状構造の形成-NTT物性基礎研 ^○前田文彦，日比野浩樹
• 9シリコン基板上に堆積したナノカーボン薄膜への高温短時間アニーリングの影響東工大フロンティア研¹，東工大総理工^{2 ○}田中祐樹¹，川那子高暢¹，角嶋邦之²，アヘメト パールハット¹，筒井一生²，西山　彰²，杉井信之²，名取研二¹，服部健雄¹，岩井　洋¹
• 10ナノカーボン薄膜への不純物添加の検討芝浦工大¹，超低電圧ﾃﾞﾊﾞｲｽ技術研究組合^{2 ○}伏島　雅¹，今関兼也¹，高木政志¹，佐久間尚志²，梶田明広²，酒井忠司²，上野和良¹
• 11熱CVD法によるナノカーボン成長の触媒金属依存性芝浦工大¹，超低電圧ﾃﾞﾊﾞｲｽ技術研究組合^{2 ○}唐澤裕介¹，桑原　覚¹，佐久間尚志²，梶田明弘²，酒井忠司²，上野和良¹
•  昼食　13:00〜15:00

31p-ZF - 1〜15

• 1液体ガリウムとカーボンナノチューブ界面反応のその場観察筑波大数理¹，学際物質科学センター²，住友電工³，日新電機^{4 ○}植木竜一^{1, 2}，西嶋拓哉^{1, 2}，日方　威³，大久保総一郎³，宇都宮里佐⁴，松葉晃明⁴，藤田淳一^{1, 2}
• 2Langmuir-Blodgett法による垂直配向CNTの本数密度制御千葉大院工¹，トヨタ自動車^{2 ○}奈良龍太¹，今泉吉明¹，長谷川茂樹²，村田成亮²，串田正人¹
• 3ゾル-ゲル法によるコアシェル粒子の作製とそれを触媒としたCNT成長千葉大院工¹，トヨタ自動車^{2 ○}鴨宮宗近¹，今泉吉明¹，長谷川茂樹²，村田成亮²，串田正人¹
• 4Fe/SiO₂型コアシェルを触媒としたCNTの直径制御千葉大院工¹，トヨタ自動車^{2 ○}川崎浩平¹，鴨宮宗近¹，今泉吉明¹，長谷川茂樹²，村田成亮²，串田正人¹
• 5MWCNTアレイの成長条件と紡績性の関係静大院工¹，静岡電研^{2 ○}榎本将規¹，鈴木佑亮¹，岡田守弦²，三村秀典²，井上　翼¹
• 6CM-CVD法を用いた長尺MWCNTアレイ成長静大院工¹，静岡電研^{2 ○}鈴木佑亮¹，クリナ ゲメス²，岡田守弦²，三村秀典²，井上　翼¹
• 7水中パルスアーク放電による金属内包カーボンナノチューブの一段合成東理大 ^○（M1）竹腰健太郎，木津たきお，相川慎也，神田守高，西川英一
• 8室温のイオンビーム法で銅基板上に金属複合カーボンナノファイバーの直接合成とその電界放出特性名工大¹，マレーシア工大² プラディップ ゴシュ¹，^○モハマドユソプ モハマドザムリ^1,2，デバシス ゴシュ¹，林　靖彦¹，種村真幸¹
•  休憩　17:00〜17:15
• 9Fe担持ゼオライト/Sn膜を用いた多層カーボンナノコイルのCVD合成豊橋技術科学大¹，東海カーボン²，湘南合成樹脂製作所³，東邦ガス^{4 ○}Siewling Lim¹，石井裕一¹，米村泰一郎¹，須田善行¹，田上英人¹，滝川浩史¹，植　仁志²，清水一樹³，梅田良人⁴
• 10カーボンナノコイルのCVD合成による主触媒と助触媒の供給方法の影響豊橋技科大¹，東海カーボン²，湘南合成樹脂製作所³，東邦ガス^{4 ○}石井裕一¹，須田善行¹，田上英人¹，滝川浩史¹，植　仁志²，清水一樹³，梅田良人⁴
• 11カーボンナノウォールの初期成長過程における表面元素組成および化学結合状態の変化名大院工¹，名城大理工^{2 ○}安田幸司¹，近藤博基¹，平松美根男²，関根　誠¹，堀　　勝¹
• 12カーボンナノウォールの配向成長名大院工¹，片桐エンジニアリング²，名城大院工^{3 ○（M2）}神田貴幸¹，近藤博基¹，山川晃司²，竹田圭吾¹，石川健冶¹，平松美根男³，関根　誠¹，堀　　勝¹
• 13プラズマ化学気相堆積法によって成長したカーボンナノウォールの結晶構造に対する酸素ガス添加効果名大院工¹，名城大理工^{2 ○}下枝弘尚¹，近藤博基¹，石川健治¹，平松美根男²，関根　誠¹，堀　　勝¹
• 14酸素還元活性発現を目指した金属フリー窒素ドープカーボンの合成名大工¹，名大エコトピア科学研²，JST/CREST^{3 ○（M2）}秋山慎太朗¹，寺島千晶¹，齋藤永宏^1,2,3，高井　治^1,2,3
• 15液相堆積法を用いた窒化炭素膜の大面積成膜東海大開発工¹，東海大産業工²，東海大情報理工^{3 ○}東　幹晃¹，清田英夫²，黒須楯生³，千葉雅史¹

1a-ZF - 1〜12


• 1均一な直径を有する水平配向単層カーボンナノチューブの成長九大先導研¹，九大院総理工^{2 ○}吾郷浩樹^1,2，綾垣喬史²，小川友以²，辻　正治^1,2
• 22ファーネスアルコール熱化学気相蒸着法による単層カーボンナノチューブの成長制御東大¹，立山マシン^{2 ○}仲　健太¹，塩田真弘¹，内田貴司¹，内山英史²，浅地豊久²，吉田善一¹
• 3eDIPS法における二層カーボンナノチューブの選択的合成TASC¹，産総研^{2 ○（PC）}小林慶太¹，橋本　裕¹，片山　寛¹，星　和明¹，平井佳孝¹，清宮維春¹，斎藤　毅^1,2
• 4高真空アルコールガスソース法によるPt触媒を用いた低圧力成長におけるSWNTの直径分布名城大理工¹，産総研^{2 ○}水谷芳裕¹，福岡直也¹，丸山隆浩¹，成塚重弥¹，飯島澄男^1,2
• 5高真空アルコールガスソース法を用いたPt/SiO₂/Si基板上でのSWNTの低圧力低温成長名城大理工¹，産総研^{2 ○}福岡直也¹，水谷芳裕¹，丸山隆浩¹，成塚重弥¹，飯島澄男^1,2
• 6ナノダイヤモンドからのカーボンナノチューブ合成における成長ガス依存性阪大院 ^○郡山翔二，阿形省吾，根岸良太，小林慶裕
•  休憩　11:15〜11:30
• 7高温Feイオン注入形成微粒子からのマイクロ波プラズマCVDによる単層カーボンナノチューブ成長神奈川大理 ^○星野　靖，有馬広記，斎藤保直，中田穣治
• 8高温イオン注入によるSiO₂/Si界面へのCoクラスターの形成と評価及びCVD法によるカーボンナノチューブ成長神奈川大理 横山　愛，^○星野　靖，有馬広記，斎藤保直，中田穣治
• 9コバルトシリサイド上のコバルトを触媒とした熱フィラメントCVD法による単層カーボンナノチューブの成長日本工大工 春田　僚，石原義浩，新田翔一朗，富田　昴，松村尚樹，^○石川　豊
• 10ホウ素、窒素含有原料から成長したSWNT のラマン分光（２）NTT物性科学基礎研 ^○鈴木　哲，日比野浩樹
• 11レーザ照射援用アルコールCVDによるSiO₂基板上へのCNT成長情通機構¹，東京電機大²，青学大^{3 ○}赤羽浩一¹，山本直克¹，前田　信²，高井裕司²，中村新一³，山口　博³，外林秀之³
• 12ナノチューブ・グラフェン複合構造体の電気特性富士通研¹，産総研GNC^{2 ○}近藤大雄^1,2，二瓶瑞久^1,2，佐藤信太郎^1,2，横山直樹^1,2
•  昼食　13:00〜15:00

1p-ZF - 1〜15

• 1SiC(000-1)表面上グラフェンの形成機構名大院工¹，JFCC²，名大エコ研^{3 ○}乗松　航^1,2，高田重治¹，楠美智子^2,3
• 24H-SiC(000-1)C面初期表面ステップ密度に依存したエピタキシャルグラフェン成長機構関学大理工 ^○久津間保徳，牛尾昌史，吉井　新，玉井尚登，大谷　昇，金子忠昭
• 3空間分解ラマン分光による4H-SiC{0001}エピタキシャルグラフェン成長の初期SiC表面及び温度依存性評価関学大理工 ^○吉井　新，牛尾昌史，久津間保徳，大谷　昇，金子忠昭，玉井尚登
• 4S i C ( 0 0 0 1 )上エピタキシャルグラフェン成長におけるS i 脱離とC 吸着の効果の比較NTT物性基礎研¹，徳島大工^{2 ○}影島博之¹，日比野浩樹¹，山口浩司¹，永瀬雅夫²
• 5Initial Growth Stage of Epitaxial Graphene on Si-terminated SiC (0001) in ArNagoya Univ. ^○Akkawat Ruammaitree，Hailong Hu，Hitoshi Nakahara，Koichi Akimoto，Kazuo Soda
• 6エピタキシャルグラフェン成長のSiC基板面方位依存性NTT物性基礎研¹，デンソー^{2 ○}日比野浩樹¹，田邉真一¹，前田文彦¹，影島愽之¹，鶴田和弘²
• 7[1100]方向微傾斜SiC(0001)面における0層グラフェンの異方成長機構九大院工¹，九大応力研²，NTT物性基礎研³，NIMS MANA^{4 ○}井上仁人¹，寒川義裕^1,2，影島愽之³，若林克法⁴，柿本浩一^1,2
•  休憩　16:45〜17:00
• 8MBE法を用いたSiCナノファセット表面へのグラフェン成長九大工 ^○梶原隆司，萩原好人，高木勝也，蓮尾斉彦，田中　悟
• 9MBE法によって作製したグラフェンナノ構造のラマン分光特性九大院工 ^○中森弓弦，梶原隆司，高木勝也，田中　悟
• 10グラフェン/SiC(000-1)界面構造と回転ドメインの形成（２）九大院工¹，九大院総理工^{2 ○}チェンダー スレイ¹，水野清義²，田中　悟¹
• 11高温CVD法による SiC ナノファセット表面上へのグラフェン形成九大工院 ^○萩原好人，梶原隆司，田中　悟
• 12SiC微細メサ構造上に形成したエピタキシャルグラフェンの電子状態の観察東北大¹，JASRI/Spring-8²，Univ. Erlangen³，Fritz-Harber-Institut⁴，弘前大^{5 ○}井出隆之¹，吹留博一¹，半田浩之¹，小嗣真人²，トーマス ザイラー³，川合祐輔¹，大河内拓雄²，カーステン ホルン⁴，高橋良太¹，遠田義晴⁵，今泉　京¹，末光真希¹，木下豊彦²
• 13モノメチルシランを用いた6H-SiC(0001)上3C-SiC成長とグラフェン化東北大通研¹，東北大金研²，CREST/JST^{3 ○}今泉　京¹，齋藤英司¹，伊藤　俊²，吹留博一¹，末光眞希^1,3
• 14Si(100)基板上3C-SiC(100)エピタキシャル薄膜のグラフェン形成過程のLEED及びSR-XPS観察東北大¹，CREST/JST²，日本原子力研究開発機構³，高輝度光科学研究センター^{4 ○}猪俣州哉¹，半田浩之¹，阿部峻佑¹，高橋良太¹，今泉　京¹，吹留博一¹，末光眞希^1,2，寺岡有殿³，吉越章隆³，小嗣真人⁴，大河内拓雄⁴，木下豊彦⁴
• 15SOI基板の炭化処理によるグラフェン成長九工大¹，豊田合成^{2 ○}挾間健太¹，中尾　基¹，岩武泰徳²，宮崎　毅²

2a-ZF - 1〜11

• 1可燃性ガスを用いない多結晶Ni 基板上へのグラフェン合成NTT物性科学基礎研¹，東京理科大理² 武井優典^1,2，^○鈴木　哲¹，古川一暁¹，日比野浩樹¹
• 2Ni上グラフェンの走査電子顕微鏡観察東理大理 ^○高橋雄大，山田一希，本間芳和
• 3Ni上のグラフェンのラマンスペクトル早大 ^○新畑智幸，小田原玄樹，大島忠平
• 4アモルファス炭素からの大面積で均一な単層グラフェンの合成九大院総理工¹，九大先導研^{2 ○}カルロ オロフェオ¹，吾郷浩樹^1,2，胡　宝山²，伊藤由人¹，辻　正治^1,2
• 5銅箔の直接抵抗加熱を用いたグラフェンのCVD成長ソニー先端マテリアル研 ^○坂東雅史，小林俊之，木村　望，清水圭輔，角野宏治，保原大介
• 6グラフェンの熱CVD成長における酸素の影響ソニー　先端マテリアル研究所 ^○角野宏治，小林俊之，清水圭輔，木村　望，坂東雅史，保原大介
•  休憩　10:30〜10:45
• 7Cuの結晶面に依存したCVDグラフェンのドメイン構造九大院総理工¹，九大先導研²，NTT物性基礎研^{3 ○}小川友以¹，吾郷浩樹^1,2，胡　宝山²，辻　正治^1,2，池田賢一¹，水野清義¹，日比野浩樹³
• 8磁性金属表面上のグラフェン層数の精密制御原子力機構先端基礎セ ^○圓谷志郎，松本吉弘，大伴真名歩，パベル アブラモフ，楢本　洋，境　誠司
• 9グラフェン成長によるCu表面モフォロジーの変化産総研 ^○林賢二郎，佐藤信太郎，近藤大雄，八木克典，山田綾香，横山直樹
• 10グラフェン膜の窒素プラズマ処理中部大 ^○（M1）加藤礼臣，松島真央，野田三喜男，梅野正義，内田秀雄
• 11熱CVDにより作製したグラフェン膜のキャパシタンスと光透過率中部大 ^○（M1）加藤公敏，松島真央，野田三喜男，梅野正義，内田秀雄
•  昼食　12:00〜13:00

2p-ZF - 1〜7

• 1プラズマＣＶＤ中グラフェン合成におけるプラズマ効果東北大院工 ^○加藤俊顕，森川昌登，畠山力三
• 2Plasma Enhanced CVD法により窒素ドープグラフェンの構造評価東大院理¹，東大院新領域^{2 ○}寺澤知潮¹，斉木幸一朗^1,2
• 3光電子制御CVDによる多層グラフェン成長(12):膜質の成長時間依存東北大¹，JASRI²，産総研^{3 ○}尾白佳大¹，小川修一¹，犬飼　学²，池永英司²，佐藤元伸^1,3，室隆桂之²，二瓶瑞久³，高桑雄二¹，横山直樹³
• 4PECVD法によるポリマー上への透明DLC膜の低温合成名大院工¹，名大エコトピア²，JST/CREST^{3 ○}苅和慎平¹，寺島千晶¹，齋藤永宏^1,2,3，高井　治^1,2,3
• 5欠陥および異原子ドープがグラフェンの酸素吸着特性へ与える効果東大院新領域 ^○小幡誠司，斉木幸一朗
• 6SiO₂基板上での無転写CVDグラフェンの生成と評価東大院新領域¹，東大院理^{2 ○}中山顕作¹，斉木幸一朗^1,2
• 7アルコールCVD直接成長グラフェンの光透過率と表面抵抗率の評価静大電子研 ^○中村篤志，天明二郎