
10. スピントロニクス・マグネティクス
1a-S - 1〜15
- 1(Ga,Mn)As低温成長過程のSTM観察東工大院理工 ○加来 滋,柳生数馬,吉野淳二
- 2鉄系n型電子誘起強磁性半導体(In,Fe)As東大工 ○Namhai Pham,Ducanh Le,田中雅明
- 3N型強磁性半導体InFeAsにおける磁気円二色性、異常ホール効果と磁化特性東大院工 ○Duc Anh Le,Nam Hai Pham,田中雅明
- 4InP(001)基板上に作製したMnAs薄膜の作製と評価長岡技大 ○入澤真治,大前洸斗,豊田英之,神保良夫,内富直隆
- 5希薄磁性半導体(Zn,Cr)TeにおけるCr凝集領域の形成と結晶構造II筑波大院数理物質1,物材機構2 ○小林広明1,西尾陽太郎1,金澤 研1,黒田眞司1,三留正則2,板東義雄2
- 6希薄磁性半導体(Zn,Cr)Teの磁場中反射スペクトル測定筑波大院数理物質 ○(M2)松本直也,金澤 研,黒田眞司
- 7Si:Ce薄膜における三倍周期構造の形成過程大阪府大院・工 ○奥山祥孝,高田浩史,藤村紀文
- 休憩 10:45〜11:00
- 8高スピン偏極フラーレン-コバルト化合物/強磁性金属界面の磁性原子力機構先端基礎セ1,分子研2 ○境 誠司1,松本吉弘1,大伴真名歩1,パベル アブラモフ1,楢本 洋1,高木康多2,中川剛志2,横山利彦2
- 9強磁性金属上の単層・二層グラフェンの電子・スピン状態原研先端基礎1,物構研2 ○松本吉弘1,圓谷志郎1,大伴真名歩1,パベル アブラモフ1,楢本 洋1,雨宮健太2,境 誠司1
- 10強磁性共鳴を用いた磁気交換力顕微鏡の開発に関する研究阪大院工 ○(M1)高田翔一,土師将裕,内藤賀公,李 艶君,菅原康弘
- 11半導体Geへのスピン蓄積に及ぼすショットキー障壁の影響産総研1,筑波大2 ○齋藤秀和1,渡辺 克1,2,揖場 聡1,Sandeep Sharma1,Ron Jansen1,湯浅新治1,安藤功兒1
- 12電子線蒸着法を用いたL10-FePt / MgO 面直スピン注入源からGaAsへの電気的スピン注入東北大工1,JSTさきがけ2,NTT基礎物性研究所3,東北大金属研究所4 ○大杉廉人1,好田 誠1,2,眞田治樹3,後藤秀樹3,寒川哲臣3,関 剛斎4,水口将輝4,高梨弘毅4,新田淳作1
- 13磁性フォトニック結晶を用いた円偏光スイッチ豊橋技科大 ○後藤太一,井上光輝
- 14InAsヘテロ構造における核スピンデバイスの電気特性北大量子集積センター ○石倉丈継,陽 完治
- 152次元磁壁移動によるスピン起電力の数値計算東工大 ○徳平弘毅,井上雄太,加来 滋,吉野淳二
- 昼食 13:00〜15:00
1p-S - 1〜9
- 1細線加工したGaAs/AlGaAs量子井戸における電子スピン緩和時間の磁場依存性東北大通研 ○石原 淳,小野真証,大野裕三,大野英男
- 2Ge基板上に成長させたInGaAsのスピン緩和の観測(10-300 K)早大理工1,SINANO-CAS2 ○牛見健則1,中田大海1,石塚俊裕1,Shulong Lu2,Jianrong Dong2,竹内 淳1
- 3時間分解フォトルミネッセンス測定によるGe基板上高SiドープGaInPのスピン緩和の観測早大理工1,SINANO-CAS2 ○石塚俊裕1,牛見健則1,中田大海1,Shulong Lu2,Jianrong Dong2,竹内 淳1
- 4GaInNxAs/GaAs多重量子井戸におけるスピン緩和時間の窒素組成依存性II早大理工1,SINANO-CAS2,I. S. -CAS3 ○中田大海1,牛見健則1,石塚俊裕1,Shulong Lu2,Bian Lifeng2,Zhichuan Niu3,竹内 淳1
- 5GaAs/AlGaAs MQWの電子スピン緩和時間測定法に関する検討奈良先端大物質 ○横田信英,池田和浩,片山健夫,黄 晋二,河口仁司
- 6準1次元チャネル中のスピン緩和に対する半古典的アプローチ東北大工1,JST-さきがけ2 ○(D)国橋要司1,好田 誠1,2,新田淳作1
- 7半導体微小リングの電子スピン干渉に及ぼす面内磁場の影響東北大院工1,JSTさきがけ2,セビリア大3 ○長澤郁弥1,国橋要司1,好田 誠1,2,Diego Frustaglia3,新田淳作1
- 8(110)スピン面発光半導体レーザの広帯域円偏光発振奈良先端大物質 ○揖場 聡,黄 晋二,池田和浩,河口仁司
- 9原子層堆積法を用いて作製したラップゲート型InGaAs量子ポイントコンタクトNTT物性基礎研1,NTTフォトニックス研2 ○入江 宏1,原田裕一1,杉山弘樹2,赤崎達志1