15. 結晶工学

15.6 IV族系化合物

8月30日 9:00〜18:00  会場:基盤2-ZB

30a-ZB - 1〜15

  • 1過飽和度制御による6H-SiC(0001)上への3C-SiC溶液成長名大院工 関 和明,山本祐治,原田俊太,宇治原徹,竹田美和
  • 2SiC溶液成長における貫通らせん転位分解メカニズム名大院工 宇治原徹,小澤茂太,関 和明,山本祐治,原田俊太
  • 3Liフラックス法を用いた2H-SiC結晶の高温成長阪大院工 中川雄介,石川彰人,今出 完,吉村政志,北岡康夫,佐々木孝友,森 勇介
  • 4高温真空レーザ顕微鏡によるSiC溶液成長に向けたSi-Ni系フラックス薄膜の熱挙動観察東工大応セラ研 丸山伸伍,松本祐司
  • 5TaC坩内Si蒸気圧エッチングを用いた4H-SiC {0001} 表面のステップ-テラス熱安定性関学大理工 萩原健太,牛尾昌史,唐木竜也,大谷 昇,金子忠昭
  • 6表面ヘキサゴナリティと二次元核生成理論に基づいたSiC結晶多形の圧力温度依存性の解析九大院工1,九大応力研2,産総研3 白桃拓哉1,中野 智2,高  冰2,西澤伸一3,寒川義裕1,2,柿本浩一1,2
  • 7炭化珪素薄膜の室温形成法横国大院工 安藤裕介,津地雅希,羽深 等
  • 84H-SiCエピタキシャル成長における過剰元素の影響産総研 石田夕起,高橋徹夫,奥村 元,荒井和雄,吉田貞史
  •  休憩 11:00〜11:15
  • 9三フッ化塩素ガスにより4H-SiC表面に形成されるエッチピット(2)横国大院工1,産総研2 古川和親1福元裕介1,羽深 等1,加藤智久2
  • 10SiC MOSに適した正確な界面準位の決定方法:容量-表面ポテンシャル(C−ψS)法京都大工1,ローム2 吉岡裕典1,中村 孝2,木本恒暢1
  • 11熱酸化によるSiC中の深い準位低減の解析モデル京大工 川原洸太朗,須田 淳,木本恒暢
  • 12犠牲酸化処理された高純度半絶縁性4H-SiCの放電電流過渡分光法を用いた放出割合の温度依存性阪電通大 ○(M2)西川誠二,岡田良太,松浦秀治
  • 13自立4H-SiC エピ膜のキャリアライフタイム測定による表面再結合速度評価名工大院 加藤正史,吉田敦史,市村正也
  • 144H-SiC結晶中転位・積層欠陥の電子状態と不純物効果:O(N)タイトバインディングおよび古典/第一原理ハイブリッド解析岡山大院自然 鶴田健二,濱先亮慶,森貞智文
  • 15熱酸化SiO2/SiC構造における紫外線誘起欠陥の評価阪大院工1,ローム2 池口大輔1,桐野嵩史1,箕谷周平2,中野佑紀2,中村 孝2,細井卓治1,志村考功1,渡部平司1
  •  昼食 13:00〜15:00

30p-ZB - 1〜11

  • 1Generation of mobile ions in thermal oxide on 4H-SiC(0001) by high-temperature annealing阪大院工1,ローム2 Atthawut Chanthaphan1,Takashi Kirino1,Yusuke Uenishi1,Daisuke Ikeguchi1,Shuhei Mitani2,Yuki Nakano2,Takashi Nakamura2,Takuji Hosoi1,Takayoshi Shimura1,Heiji Watanabe1
  • 2定電流ストレス印加によるPOCl3アニール4H-SiC熱酸化膜の劣化特性奈良先端大 森下隆至,矢野裕司,岡本 大,畑山智亮,冬木 隆
  • 34H-SiC MOS界面特性におけるNOとPOCl3アニールの組み合わせ効果奈良先端大 ○(M2)荒岡 幹,矢野裕司,畑山智亮,冬木 隆
  • 4SiC表面の直接窒化とXPSによる窒化層の評価信州大 酒井崇史,逸見充則,村田祐亮,鈴木真一郎,山上朋彦,林部林平,上村喜一
  • 5ドライエッチング後の表面処理がSiC/SiO2界面に与える影響京大工 南園悠一郎,須田 淳,木本恒暢
  • 6表面原子ステップが及ぼす電気特性評価名工大院1,ポバール興業2,フジミ3,豊田工大4 田中弥生1,神田隆生2,永利一幸3,吉村雅満4,江龍 修1
  •  休憩 16:30〜16:45
  • 74H-SiC表面の初期酸化過程の第一原理計算による検討筑波大 長川健太,加藤重徳,海老原康裕,神谷克政,白石賢二
  • 8塩素ガス熱エッチングによる4H-SiC Si面上のサブトレンチ解消と特異な結晶面形成奈良先端大 纐纈英典,畑山智亮,矢野裕司,冬木 隆
  • 9プラズマ発生領域制限マスクを用いたPCVM(Plasma Chemical Vaporization Machining)によるSiC基板の切断加工の検討II阪大院工 西川央明,佐野泰久,山村和也,松山智至,山内和人
  • 10電子線照射した6H-SiC単結晶の光音響分光防衛大機能材料1,原子力機構2 若林啓美1,宮崎 尚1,岡本庸一1,守本 純1,小野田忍2,大島 武2
  • 11水の光分解材料としての4H-SiCバルク結晶とエピタキシャル膜の特性比較名工大院1,奈良先端大2 安田智成1加藤正史1,市村正也1,畑山智亮2

15.6 IV族系化合物

8月31日 9:40〜13:00  会場:基盤2-ZB

31a-ZB - 1〜12

  • 1三フッ化塩素ガスによる炭化珪素エッチング装置の設計横国大院工1,産総研2 福元裕介1矢島大里1,羽深 等1,加藤智久2
  • 2大気圧熱プラズマジェット照射ミリ秒熱処理におけるSiC ウェハの非接触温度測定技術の開発広大院先端研1,琉球大工2 ○(M1)芦原龍平1,岡田竜弥2,西田悠亮1,東清一郎1
  • 34H-SiC Alイオン注入層上に低温熱処理により形成したTi電極の電気特性評価新日本無線 許 恒宇,小野修一,新井 学,山崎王義
  • 4オフ基板上4H-SiCトレンチMOSFETにおける電気特性の異方性の起源(2)奈良先端科学技術大学院大 新宮剣太,上岡義弘,矢野裕司,畑山智亮
  • 5深い準位低減プロセスによる高ゲイン4H-SiC BJTの実現京大院工1,京大光電子理工セ2 ○(D)三宅裕樹1,木本恒暢1,2,須田 淳1
  • 6H(CH3)2Alを用いたMOCVD法によるSiC基板上へのAl2O3膜の形成とAl2O3/SiC MOSFETの電気的特性評価東工大1,三菱電機2 ○(M2)木田憲之助1,日野史郎2,三浦成久2,今泉昌之2,炭谷博昭2,徳光永輔1
  •  休憩 11:10〜11:25
  • 74H-SiC MOS反転層のサブバンド構造及および移動度の計算阪大院工1,JST CREST2 渡邊龍太1,鎌倉良成1,2
  • 8Nウェル構造上に形成された4H-SiC(0001) pチャネルMOSFETの電気特性制御産総研 岡本光央,飯島美和子,長野隆洋,福田憲司,奥村 元
  • 9逆バイアス印加を用いた感度温度無依存4H-SiC pnフォトダイオード京大院工1,京大光電子理工セ2 渡辺直樹1,木本恒暢1,2,須田 淳1
  • 1015 kV 級SiC PiNダイオードを目指した接合終端構造に関する研究京大院工 丹羽弘樹,馮  淦,須田 淳,木本恒暢
  • 11AlGaN/SiC ヘテロ接合バイポーラトランジスタの電流輸送特性の評価京大院工1,京大光電子理工セ2 奥田貴史1,三宅裕樹1,木本恒暢1,2,須田 淳1
  • 12「論文奨励賞受賞記念講演」(20分)
    Elimination of the Major Deep Levels in n- and p-Type 4H-SiC by Two-Step Thermal Treatment
    京大 日吉 透