シンポジウム

III-V半導体MOVPE・HVPEの反応モデリングと装置設計

8月29日 13:00〜17:00  会場:基盤3-ZK

29p-ZK - 1〜7

  • 1イントロダクトリートーク 〜いま,あらためて反応器モデリングの基礎を〜(15分)東大院工1,富士通研2 杉山正和1,江川 満2
  • 2化合物半導体の原子レベル表面反応機構(35分)三重大院工 伊藤智徳
  • 3GaAs系MOVPEにおける気相・表面反応機構解析とシミュレーション(35分)東大工 霜垣幸浩
  • 4窒化物半導体MOVPEの反応モデルとシミュレーション(35分)東京理大理 大川和宏
  •  休憩 15:00〜15:15
  • 5窒化物半導体MOVPEの高速化・大面積化(35分)大陽日酸イーエムシー 松本 功
  • 6HVPEの熱力学的反応解析とリアクタ設計(35分)農工大・工学研究院 纐纈明伯,熊谷義直,村上 尚
  • 7HVPEによるGaNの超高速成長(35分)日立電線 吉田丈洋,大島祐一,渡辺和俊,土屋忠厳,三島友義