応用物理学関係連合学術講演会

会場別 Index

会場名 3月15日(木) 3月16日(金) 3月17日(土)  3月18日(日)
午前 午後 午前 午後 午前 午後 午前 午後
DP1
11号館
    15.4 III-V族窒化物結晶 7.6 イオンビーム一般 10.1 新物質創成(酸化物・ホイスラー・金属磁性体等) 7.1 X線技術    
DP2
11号館
      9.4 熱電変換 10.3 GMR・TMR・磁気記録技術 7.3 リソグラフィ    
DP3
11号館
      9.3 ナノエレクトロニクス 10.4 半導体・有機・光・量子スピントロニクス 15.3 III-V族エピタキシャル結晶    
DP4
11号館
      10.2 スピントルク・スピン流・回路・測定技術 15.5 IV族結晶,IV-IV族混晶 15.7 エピタキシーの基礎    
DP5
11号館
        15.6 IV族系化合物 9.5 新機能材料・新物性    
DP6
11号館
          15.1 バルク結晶成長    
DP7
11号館
          15.2 II-VI族結晶    
会場名 3月15日(木) 3月16日(金) 3月17日(土)  3月18日(日)
午前 午後 午前 午後 午前 午後 午前 午後
GP1
興風館
4.2 フォトニックナノ構造・現象 13.3 絶縁膜技術 1.2 教育 3.7 近接場光学 3.4 計測光学 3.8 光学新領域 1.3 新技術  
GP2
興風館
4.5 テラヘルツ全般・非線型光学 合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」 13.7 シミュレーション 6.1 強誘電体薄膜 3.5 情報光学 4.1 量子光学・原子光学 1.5 エネルギー変換・貯蔵  
GP3
興風館
6.3 酸化物エレクトロニクス 合同セッションL(MEMS,NEMSの基礎と応用:異種機能集積化)   9.1 誘電材料・誘電体 3.6 生体・医用光学 4.6 レーザー分光応用・計測 1.6 資源・環境  
GP4
興風館
  3.2 材料光学   13.2 半導体表面 4.4 超高速・高強度レーザー 6.6 プローブ顕微鏡 5.3 光制御  
GP5
興風館
  3.3 機器・デバイス光学   13.5 Siプロセス技術 6.2 カーボン系薄膜 11.1 基礎物性 12.7 生物・医用工学・バイオチップ  
GP6
興風館
  4.3 レーザー装置・材料   14.2 超薄膜・量子ナノ構造 6.4 薄膜新材料 11.2 薄膜,厚膜,テープ作製プロセスおよび結晶成長 13.6 Siデバイス/集積化技術  
GP7
興風館
  4.7 レーザー・プロセッシング   14.6 化合物太陽電池 6.5 表面物理・真空 11.5 接合,回路作製プロセスおよびデジタル応用 14.4 超高速・機能デバイス  
GP8
興風館
  12.2 評価・基礎物性   11.4 アナログ応用および関連技術 12.8 有機EL 12.1 作製技術 14.5 光物性・発光デバイス  
GP9
興風館
  12.3 電子機能材料・デバイス   12.11 特定テーマ「有機太陽電池」 12.12 特定テーマ「次元制御有機ナノ材料」 12.5 液晶    
GP10
興風館
  12.6 高分子・ソフトマテリアル   16.3 シリコン系太陽電池 13.4 配線技術 1.8 計測技術    
GP11
興風館
  12.9 有機トランジスタ     16.1 基礎物性・評価 1.9 計測標準    
GP12
興風館
          5.1 半導体レーザー・発光/受光素子    
GP13
興風館
          5.4 光ファイバー    
GP14
興風館
          12.4 光機能材料・デバイス    
GP15
興風館
          12.10 ナノバイオテクノロジー    
GP16
興風館
          13.1 基礎物性・評価    
GP17
興風館
          14.1 探索的材料物性    
GP18
興風館
          14.3 プロセス技術・界面制御