15. 結晶工学

16a-A8 - 1〜13

• 1サファイア基板上に成長したGaAsの結晶性の評価日工大 ^○松崎瑛介，飯塚完司
• 2Si(111)上InAsの選択ヘテロエピタキシャル成長における界面電気伝導特性東大院工¹，東大先端研^{2 ○}渡邉翔大¹，渡辺健太郎²，杉山正和¹，中野義昭^1,2
• 3(100)面方位から0〜8°傾斜したGaAs基板上のGaAs/AlGaAsのMBE成長愛媛大院理工 ^○滝口雅博，下村　哲
• 4AlGaAs/ AlAsタイプII量子井戸のMBE成長と温度変化愛媛大院理工¹，科技振^{2 ○}神野泰輔¹，谷　勇気¹，福澤　董²，白方　祥¹，近藤久雄¹，下村　哲¹
• 5(775)B InP基板上にMBE成長したInGaAs層またはInAlAs層の表面コラゲーションの組成依存性愛媛大院理工 ^○西松佑真，宮田哲弥，下村　哲
• 6量子細線面発光レーザ用分布型ブラッグ反射器の低抵抗化愛媛大院理工 ^○三島義史，下村　哲，梶谷昌司，宮崎光洋
•  休憩　10:30〜10:45
• 7｢講演奨励賞受賞記念講演｣（15分）
  フラーレン添加GaAs薄膜の電気的特性早大高等研¹，JSTさきがけ²，早大理工^{3 ○}西永慈郎^1,2，堀越佳治³
• 8C₆₀, Si codoped GaAs 薄膜のフォトルミネセンススペクトル宮崎大¹，早大²，JSTさきがけ^{3 ○}丁　　文¹，鈴木章生¹，福山敦彦¹，西永慈郎^2,3，堀越佳志²，碇　哲雄¹
• 9Beドープした低温成長GaAs膜における電子状態変化北陸先端大マテリアルサイエンス研究 ^○Mohd Ambri，Kang Woo Bae，Lam Pham Tien，大塚信雄
• 10MBE成長周期空間反転AlGaAsにおける{111}A面欠陥東大工 ^○（M2）雨堤耕史，金　泰雄，松下智紀，近藤高志
• 11アドミタンス法によるGaAs/p-GaAs_1-xBi_x界面評価京工繊大 ^○冬木琢真，柏山祥太，尾江邦重，吉本昌広
• 12InGaAs/GaAsP歪み補償量子井戸における界面In偏析のウエハ曲率観察による定量東大院工¹，東大先端研^{2 ○（DC）}馬　少駿¹，ハッサネット ソダーバンル²，渡辺健太郎²，杉山正和¹，中野義昭^1,2
• 13InGaAs/GaAs(001)MBE成長中におけるIn偏析のX線回折を用いたリアルタイム評価宮崎大IRO¹，豊田工大²，原子力機構^{3 ○}鈴木秀俊¹，佐々木拓生²，大下祥雄²，山口真史²，高橋正光³
•  昼食　12:30〜14:00

16p-A8 - 1〜17

• 1グラフェン上へのInAsナノワイヤのファンデルワールスエピタキシー北大情報・量集センタ ^○福井孝志，ヨンジュン ホン
• 2MOVPE選択成長法によるInPナノワイヤ形成におけるZnドーピング効果北大院情報科学及び量集センター¹，JST さきがけ^{2 ○}池尻圭太郎¹，冨岡克広^1,2，福井孝志¹
• 3GaAsナノワイヤの結晶構造変化のその場Ｘ線回折測定兵庫県立大院物質理¹，原子力機構^{2 ○}神津美和¹，Wen Hu²，高橋正光^1,2
• 4シリコン基板上高品質 GaAs ナノワイヤにおける InGaAs 量子ドットの形成と非古典光の観測東大生研¹，東大ナノ量子機構^{2 ○（M2）}權　晋寛¹，渡邉克之²，太田泰友²，岩本　敏^1,2，荒川泰彦^1,2
• 5InAs/AlGaAsコラム状量子ドットを用いたナノ細線の形成と評価豊田工大 ^○大森雅登，Pavel Vitushinskiy，榊　裕之
• 6近接積層InAs/GaAs量子ドットの光物性神戸大院工¹，阪大超高圧電子顕微鏡セ^{2 ○}高橋章浩¹，池内佑一郎¹，小西康太¹，別所侑亮¹，原田幸弘¹，喜多　隆¹，田口英次²，保田英洋²
• 7近接積層InAs/GaNAs歪み補償自己組織化量子ドットの光学特性東大先端研¹，東大院工²，筑波大院数理物質³，神戸大院工⁴ 楢原康平^1,2，^○（M1）中野廣一^1,2，庄司　靖^1,3，田中秀治⁴，長谷川隆一⁴，喜多　隆^1,4，星井拓也^1,2，岡田至崇^1,2
• 8歪緩和バリア層に埋め込んだEr添加InAs量子ドットを1層有するGaAs/AlAs多層膜共振器のMBE成長徳島大¹，日亜化学工業^{2 ○}上山日向¹，中河義典^1,2，森田　健¹，北田貴弘¹，井須俊郎¹
• 9InAs/GaAs量子ドット広帯域光源による高分解能光コヒーレンストモグラフィ神戸大院 ^○椿　一平，喜多　隆
•  休憩　16:15〜16:30
• 10GaAs上のInAs量子ドット形成におけるRHEED強度変化のAs流量依存性豊田工大 ^○下村憲一，白坂健生，David Tex，神谷　格
• 11MBEによる自己集合InAlAs/AlGaAs量子ドットのサイズ分布と体積スケール関数北大工 ^○（DC）盧　翔孟，泉　嘉治，小山正孝，武藤俊一
• 12液滴エピタキシを用いた超高密度GaAs量子ドットの作製物材機構 ^○（PC）定　昌史，間野高明，佐久間芳樹，迫田和彰
• 13GaAsSb/GaAs層上への面内超高密度InAs量子ドットの自己形成（２）電通大先進理工 ^○エデス サプトラ，太田　潤，山口浩一
• 14InAsSb/GaAs層上への面内超高密度InAs量子ドットの自己形成電通大先進理工 ^○佐野琢哉，太田　潤，山口浩一
• 15近接二層積層によるGaAs基板上InAs-QDの発光長波長化の検討和歌山大シス工¹，NEC²，物材機構³ 中谷擁平¹，^○尾崎信彦¹，大河内俊介²，池田直樹³，杉本喜正³
• 16ステップ酸化クリーニング法による位置制御InAs 量子ドットのMBE 成長東大生産研¹，東大ナノ量子機構²，JST CREST^{3 ○}平　将人¹，Kyu Man Cha¹，長井奈緒美¹，柴田憲治¹，平川一彦^1,2,3
• 17自己組織化InAs量子ドットの位置制御と単一電子トランジスタへの応用東大生産研¹，東大ナノ量子機構²，JST CREST^{3 ○}車　圭晩¹，柴田憲治¹，平　将人¹，平川一彦^1,2,3

17a-A8 - 1〜11

• 1{11-22}InGaN層の選択横方向成長山口大院理工 ^○福田雄介，山根啓輔，岡田成仁，只友一行
• 2原子層エピタキシー法によるGaAsN成長における原料供給シーケンスが与える影響宮崎大工¹，宮崎大IRO² 貞任　萌¹，^○原口智宏¹，鈴木秀俊²，尾関雅志¹，碇　哲雄¹
• 3GaAsNにおける同一N-H結合起因の伸縮・偏角モードの検討豊田工大 ^○池田和磨，稲垣　充，和田　卓，小島伸晃，大下祥雄，山口真史
• 4GaAsNにおける支配的な電子散乱機構に関する研究豊田工大 ^○（D）稲垣　充，池田和磨，幸脇広幸，小島信晃，大下祥雄，山口真史
• 5固体源MBE成長したn型およびp型AlGaPN混晶の電気的特性豊橋技科大工¹，EIIRIS^{2 ○（M2）}熊谷啓助¹，伊藤宏成¹，関口寛人¹，岡田　浩^1,2，若原昭浩¹
•  休憩　10:15〜10:30
• 6MOVPE法による微傾斜Ge(001)基板上InGaAsN薄膜の光学特性(2)東大新領域¹，チュラロンコン大^{2 ○}上杉謙次郎¹，菊地健彦¹，窪谷茂幸¹，サクンタム サノーピン²，尾鍋研太郎¹
• 7InP基板上InAsSbN単一量子井戸のPL温度特性大阪府大工 ^○水田昇吾，正野琢也，河村裕一
• 8GaAs（001）面上窒素δドープ層形成過程のRHEED解析阪大工 ^○（B）西本徳久，角谷健吾，石川史太郎
• 9窒素δドープGaAsにおける単一等電子トラップからの励起子分子発光埼玉大院理工¹，東大物性研²，東大新領域³，東北大金研^{4 ○}高宮健吾¹，福島俊之¹，星野真也¹，八木修平¹，土方泰斗¹，望月敏光²，吉田正裕²，秋山英文²，窪谷茂幸³，片山竜二⁴，尾鍋研太郎³，矢口裕之¹
• 10MOCVD法により窒素をδドープしたGaAsからのエネルギーの揃ったPL輝線発光物材機構¹，筑波大²，JSTさきがけ^{3 ○}佐久間芳樹¹，池沢道男^2,3，森　達哉²，張　　遼²，舛本泰章²，迫田和彰¹
• 11深紫外LEDの多重量子井戸活性層についての検討名工大 ^○加藤正隆，市川淳規，藤田和久，江川孝志

17p-DP3 - 1〜22

• 1GaAs自然酸化膜への低加速電子線直接描画によるドーズ量変調酸化膜パターン形成と"その場"MBE選択加工関学大理工 ^○（M2）林　将大，松岡祐哉，牛尾昌史，金子忠昭
• 2Ｘ線トポグラフィ法を用いたI n G a A s / G a A s (001) 界面におけるミスフィット転位分布観察宮崎大工¹，宮崎大IRO²，豊田工大³ 片山真弘¹，^○鈴木秀俊²，松下卓哉²，正木宏和²，前田幸治²，山本　奨²，福山敦彦²，碇　哲雄²，佐々木拓生³，大下祥雄³
• 3縮退半導体多結晶の導電率の温度依存性の解析-InPAs多結晶薄膜への適用-島根大総合理工 ^○梶川靖友，岡村健太，猪子祐貴
• 4GaAs/GaAsP歪み補償超格子構造による高機能スピン偏極電子源の高量子効率化名大高等研究院¹，名大院工²，名大シンクロトロン光研究センター^{3 ○}金　秀光^1,2，真野篤志³，市橋史朗²，山本尚人³，竹田美和^2,3
• 5GaAs/GaAsP歪み超格子の成長におけるGaAs(001)面と微傾斜面が層厚変調へ及ぼす影響名大高等研究院¹，名大院工²，大同大^{3 ○}金　秀光^1,2，中原弘貴²，齋藤　晃²，坂　　貴³，田中信夫²，竹田美和²
• 6タンデム型太陽電池への応用に向けた歪補償InGaP/InGaP MQWNTTフォトニクス研¹，大阪市大^{2 ○}満原　学¹，渡邉則之¹，横山春喜¹，伊賀龍三¹，重川直輝²
• 7直接貼付InP/Si基板上におけるGaInAs/InP系MOVPE結晶成長上智大理工 ^○松本恵一，牧野辰則，喜村勝矢，下村和彦
• 8歪補償InGaAs/GaAsSbタイプII量子井戸への成長シーケンスの影響住友電気工業¹，大阪府大工^{2 ○}三浦広平¹，猪口康博¹，日比野暁²，河村裕一²
• 9MOCVD成長GaAsSbベースHBTのGaAsスペーサ層挿入効果NTTフォトニクス研 ^○星　拓也，杉山弘樹，横山春喜，栗島賢二，井田　実
• 10微傾斜GaAs(111)B基板上のGaSbタイプIIナノロッドの自己形成物材機構¹，豊田工大^{2 ○}川津琢也¹，秋山芳弘²，野田武司¹，間野高明¹，佐久間芳樹¹，榊　裕之^1,2
• 11周期的成長中断を用いたGaNAs三次元島状構造の作製物材機構¹，筑波大^{2 ○}間野高明¹，定　昌史¹，三石和貴¹，黒田　隆¹，マーティン エルボルグ^1,2，野田武司¹，杉本喜正¹，佐久間芳樹¹，迫田和彰^1,2
• 12GaAs中窒素δドープ超格子のエネルギー構造評価埼玉大院理工¹，東大新領域^{2 ○}野口駿介¹，八木修平¹，土方泰斗¹，窪谷茂幸²，尾鍋研太郎²，矢口裕之¹
• 13窒素δドープGaAs中の窒素原子対が形成する単一の等電子トラップからの発光に対する一軸応力の影響埼玉大院理工¹，東大物性研²，東大新領域^{3 ○}新井佑也¹，星野真也¹，高宮健吾¹，八木修平¹，土方泰斗¹，望月敏光²，吉田正裕²，秋山英文²，窪谷茂幸³，尾鍋研太郎³，矢口裕之¹
• 14第一原理計算によるIII-V族半導体の窒素ペアドープにおけるバンド構造の解析横河電機¹，千葉大理^{2 ○}石川真人¹，中山隆史²
• 15医療・生体イメージング光源に向けた1ミクロン帯発光InAs-QD作製和歌山大シス工¹，NEC²，物材機構^{3 ○}日野雄司¹，尾崎信彦¹，大河内俊介²，池田直樹³，杉本喜正³
• 16GaAsSb/GaAs層上の高密度InAs量子ドットの広帯域発光電通大先進理工 ^○田邊宏行，尾坂祐治，山口浩一
• 17単一量子ドット利用に向けた低温1.3μm帯発光InAs/GaAs量子ドットのMBE成長東大ナノ量子機構¹，東大生研^{2 ○}渡邉克之¹，都木宏之²，荒川泰彦^1,2
• 18Ga_0.9In_0.1Asバッファ層を用いたInAs/InP量子ドットの発光特性上智大理工 ^○岩根優人，三枝知充，吉田圭佑，山内雅之，吉川翔平，下村和彦
• 19MOCVD法によるGeOI基板上高品質積層InAs/GaAs量子ドットの形成東大ナノ量子 ^○（P）Rajesh Mohan，舘林　潤，西岡政雄，荒川泰彦
• 20Si(111) 基板上GaAs ナノワイヤのMBE成長時窒素プラズマ照射効果阪大院工 ^○荒木義朗，後藤洋昭，石川史太郎
• 21MOVPE選択成長法によるInGaPナノワイヤの作製と評価北大院情報科学及び量集センター¹，JST さきがけ^{2 ○}石坂文哉¹，池尻圭太朗¹，冨岡克広^1,2，福井孝志¹
• 22高効率太陽電池実現に向けた高品質積層InGaAs/GaAsナノワイヤ量子ドットの形成と光学特性東大ナノ量子機構¹，東大生研^{2 ○}舘林　潤¹，Dumindu Karunathillake^1,2，太田泰友¹，石田悟己^1,2，西岡政雄²，岩本　敏^1,2，荒川泰彦^1,2