6. 薄膜・表面

17p-F2 - 1〜16

• 1Si(100)表面初期酸化における立体効果の観測物材機構 ^○倉橋光紀，山内　泰
• 2超音速分子線を用いたSi高指数面初期酸化過程の解析II横国大工¹，原子力機構²，産総研^{3 ○}大野真也¹，兼村瑠威¹，安部壮祐¹，井上　慧¹，百瀬辰哉¹，吉越章隆²，寺岡有殿²，尾形祥一¹，安田哲二³，田中正俊¹
• 3Si高指数面熱酸化過程における温度依存性の解析横国大工¹，原子力機構²，産総研^{3 ○}安部壮祐¹，大野真也¹，兼村瑠威¹，吉越章隆²，寺岡有殿²，尾形祥一¹，安田哲二³，田中正俊¹
• 4格子ガスモデルを用いたSi(100)表面からの水素脱離スペクトル計算山形大工¹，九州工大工^{2 ○}成田　克¹，稲永征司²，並木　章²
• 5Si(001)2x1表面に対するRHEED励起オージェ電子分光大同大工¹，東北大多元研^{2 ○}堀尾吉已¹，高桑雄二²，小川修一²
• 6Geナノクラスタに対するRHEEDおよびLEED斑点形状大同大工 ^○堀尾吉已
• 7超音速酸素分子線により形成されるGe(100)-2×1表面の酸化状態原子力機構¹，筑波大^{2 ○}吉越章隆¹，寺岡有殿¹，岡田隆太²，山田洋一²，佐々木正洋²
• 8超音速酸素分子線によるGe(111)-c(2×8)表面の室温酸化の促進筑波大¹，原子力機構^{2 ○（D）}岡田隆太¹，吉越章隆²，寺岡有殿²，山田洋一¹，佐々木正洋¹
•  休憩　15:30〜15:45
• 9サーファクタントを利用したGe/Siヘテロ成長過程におけるストレス・表面構造の同時観察原子力機構¹，エイコー²，東北大³，Tomsk State Univ.^{4 ○}朝岡秀人¹，山崎竜也^1,2，社本真一¹，Sergey Filimonov^3,4，末光眞希³
• 10Ge核制御を施したSi基板上超高密度鉄系ナノドットの形成阪大院基礎工¹，さきがけ-JST² 杉元亮太¹，^○中村芳明^1,2，吉川　純¹，酒井　朗¹
• 11Pd(111)/Ag(111)/Si(111)における水素昇温脱離東工大総理工 ^○青木悠樹，中島　翔，平山博之
• 12Ni(111)表面上のSi成長初期過程のSTM観察阪市大院工¹，阪府大院理^{2 ○}福田常男¹，高見祐太¹，梅澤憲司²，中山　弘¹
• 13GaN(0001)表面上へのCo/Fe多層膜の形成とその磁気特性阪大産研 山口明哲，市原寛也，別府亜由美，米岡　賢，^○長谷川繁彦，朝日　一
• 14GaN(0001)表面上への窒化鉄薄膜形成とその評価阪大産研 米岡　賢，市原寛也，別府亜由美，山口明哲，^○長谷川繁彦，朝日　一
• 15Au(111)表面上での新規細線構造の作製とSTMによる特性評価東工大院理工 ^○加来　滋，吉野淳二
• 16反応条件下における金ナノ粒子触媒の環境TEM観察阪大産研¹，阪大院理²，首都大東京^{3 ○（D）}桑内康文^1,2，吉田秀人¹，春田正毅³

17a-GP7 - 1〜9

• 1LaFeO_3-d表面におけるNO解離吸着の第一原理シミュレーション阪大院基工 ^○（PC）木崎栄年，草部浩一
• 2電界放出電子スピン分光法によるCr tip表面のスピン偏極度測定三重大院工¹，三重大極限ナノエレセ²，三重大工³，MPI^{4 ○}永井滋一^1,2，松本直弥³，岩田達夫²，畑　浩一^1,2，岡　博文⁴，Dirk Sander⁴，Jurgen Kirschner⁴
• 3HREELSによるTaC(100)面上の吸着酸素原子の振動測定早大先進 ^○柳瀬直人，丸山貴史，大島忠平
• 4炭素イオンを入射させた貴金属表面のSTM観察II京大院工 ^○黒川　修，大西庸礼，酒井　明
• 5時分割Ｘ線反射率による固体液体界面の観察KEK-PF¹，東京学芸大^{2 ○}Wolfgang Voegeli¹，荒川悦雄²，松下　正¹
• 6ウェットプロセスを用いてスパッタ膜上に成膜した2層構造MgO薄膜の評価龍谷大理工¹，兵庫工技セ^{2 ○}金森　翼¹，吉岡秀樹²，山本伸一¹
• 7シリカナノ細孔内における水のクラスター構造の調査名大工¹，名大グリーンモビリティ²，名大エコ研^{3 ○（M2）}青木淑恵¹，上野智永^1,2，是津信行^1,2，齋藤永宏^1,2,3
• 8統合S i 酸化反応モデルの実験的検証( 5 )：酸化初期の欠陥発生東北大 ^○西本　究，唐　佳芸，小川修一，高桑雄二
• 9二硫化モリブデン上の金クラスタのSTM/STS観察横国大 ^○小森教宏，井上晶博，間仲智洋，首藤健一

18a-F2 - 1〜11

• 1電子ドープされたC₆₀単分子層における水素の吸着・脱離過程筑波大数物 ^○（B）七辺寛幸，渡邉研人，佐竹勇樹，山田洋一，佐々木正洋
• 2HOPGに吸着したLi@C₆₀単分子層の微視的電子状態計測筑波大数物¹，イデアルスター²，原子力機構^{3 ○（B）}山口晃寛¹，田中　健¹，山田洋一¹，佐々木正洋¹，才田守彦²，横尾邦義²，表　研次²，笠間泰彦²，江坂文孝³
• 3グラファイト上の欠陥の構造と電子状態横国大院工 ^○井上晶博，首藤健一
• 4実用金属試料の仕事関数の表面処理依存のEUPSによる評価産総研ナノデバイス ^○石塚知明，大塚照久，富江敏尚
• 5CO雰囲気中で処理を行った金属の最表面原子層のEUPSによる分析産総研ナノデバイス ^○（PC）大塚照久，石塚知明，富江敏尚
• 6nm粒子/薄膜に適用可能な、二次電子による金属表面の超清浄度評価法産総研ナノデバイス 石塚知明，大塚照久，^○富江敏尚
•  休憩　10:30〜10:45
• 7酸化物における周期的ナノ溝配列の自己組織化形成と表面機能創出東工大物創¹，並木精密宝石²，神奈川産技セ^{3 ○}山内涼輔¹，譚ゴォン¹，塩尻大士¹，小山浩司²，金子　智^1,3，松田晃史¹，吉本　護¹
• 8アルミナ-アルミ含有合金界面結合の定量的予測式物材機構 ^○吉武道子，Slavomir Nemsak，柳生進二郎，知京豊裕
• 9基板のヤケが光学薄膜の特性に与える影響東海大院工 ^○中山　俊，室谷裕志
• 10基板の表面粗さがTiO₂光学薄膜に与える光散乱への影響3東海大院工¹，シンクロン^{2 ○}原田敏憲¹，高橋和敬¹，室谷裕志¹，松本繁治²，本多博光²
• 11界面粗さの効果を含むATR理論東北大・通研 茂林千愛，高橋　亨，片野　諭，^○上原洋一
•  昼食　12:00〜13:00

18p-F2 - 1〜8

• 1イオン液体を用いた真空中接触角測定による固体表面の評価東工大応セラ研 ^○丸山伸伍，松本祐司
• 2アルミ及びアルミナ表面でのフェニルリン酸の吸着構造物材機構¹，カレル大^{2 ○}柳生進二郎¹，吉武道子¹，Nataliya Tsud²，知京豊裕¹
• 3アルミニウム上におけるチオール単分子膜の構造解析東理大理¹，理研^{2 ○}佐藤遼太朗^1,2，山田太郎²
• 4自己組織化単分子膜の形成による金属酸化物表面における相分離の検証横国大工 ^○吉原万莉，荻野俊郎
• 5アルカンチオール自己組織化単分子膜/Au(111)表面の電子ダイナミクス慶大理工¹，JST,ERATO^{2 ○}平田直之¹，渋田昌弘^1,2，松井　諒¹，中谷真人^1,2，敷島真也¹，江口豊明^1,2，中嶋　敦^1,2
• 6MnPc界面電子状態の空間的広がりの変化千葉大融合 ^○米澤恵一朗，上野信雄，解良　聡
• 7H₂O/α-Fe₂O₃界面の第一原理解析富山大情セ¹，富山大院理工^{2 ○}布村紀男¹，砂田　聡²
• 8元素戦略プロジェクト　-脱貴金属自動車触媒のデザインと実証-阪大院工¹，ダイハツ²，北興化学³，原子力機構^{4 ○}岸　浩史¹，笠井秀明¹，田中裕久²，御立千秋³，西畑保雄⁴