14. 半導体B（探索的材料・物性・デバイス）

14.2 超薄膜・量子ナノ構造

3月16日　会場：GP6
ポスターセッション
ポスター掲示時間13:00〜15:00

16p-GP6 - 1〜11

  • 1Light-extraction enhancement induced by evanescent wave coupling in ridge-shaped AlGaInP/GaInP quantum wells産総研 Guo-dong Hao，○王　学論
  • 2Si基板上での弗化物RTDの高温成長の検討東工大総理工 ○難波　覚，高橋慶太，林　優士，萱沼良介，筒井一生
  • 3Wavelength dependence of photo I-V in p-i-n diode containing coupled multiple quantum wells物材機構1，豊田工大2 ○Yi Ding1，野田武司1，間野高明1，定　昌史1，韓　礼元1，榊　裕之1,2
  • 4Capping gate構造を有するSi/SiGe量子ドットの作製と評価東工大量子ナノ研セ1，東大ナノ量子機構2，さきがけ-JST3，東大工4，東京都市大総研5，東工大院理工6 ○福岡佑二1，小寺哲夫1,2,3，武田健太4，小幡利顕4，吉田勝治4，澤野憲太郎5，内田　建6，白木靖寛5，樽茶清吾2,4，小田俊理1
  • 5dc-SQUIDによる自己形成InAs量子ドット中の光励起電子スピン検出に向けた研究東理大1，筑波大2，物材機構ナノ融合3，東大生産研4，物材機構MANA5，JST-CREST6 ○（M1）佐久間大輔1，矢ヶ部恵弥1，石黒亮輔1，柴田祐輔2，野村晋太郎2，渡辺英一郎3，津谷大樹3，柴田憲治4,6，平川一彦4,6，高柳英明1,5
  • 6GaAs(111)B,GaAs(100),InP(111)B,InP(100)基板におけるAu微粒子を用いたInAsナノワイヤ成長上智大理工 ○村上　新，船山裕晃，下村和彦，和保孝夫
  • 7グラフェン上InPナノワイヤ成長NTT物性研 ○舘野功太，神崎賢一，日比野浩樹，Guoqiang Zhang，後藤秀樹，寒川哲臣
  • 8単一光子光源実現に向けた位置制御InAs/GaAsナノワイヤ量子ドット東大ナノ量子機構1，東大生研2 ○舘林　潤1，太田泰友1，Dumindu Karunathillake1,2，石田悟己1,2，西岡政雄2，岩本　敏1,2，荒川泰彦1,2
  • 9水溶液法を用いたPbS量子ドットの化学合成横国大院工1，理研2 ○中嶋聖介1,2，蔡　俊江1，向井剛輝1
  • 10超短パルス光照射によるGaAs/AlAs結合共振器からのテラヘル帯差周波発生とそのシミュレーション徳島大院フロンティア ○北田貴弘，滝本隼主，加藤　翔，森田　健，井須俊郎
  • 11非鏡面ファブリペロ干渉による蛍光スペクトル変調東大院総合 ○大村史倫，安武裕輔，深津　晋

14.2 超薄膜・量子ナノ構造

3月17日　9:00〜18:45　　会場：E1

17a-E1 - 1〜9

  • 1Bias dependence of two-step photocurrent generation in GaNAs/AlGaAs quantum well solar cellNIMS1，Univ. Tsukuba2 ○マーティン エルボーグ1,2，定　昌史1，丁　　毅1，野田武司1，間野高明1，迫田和彰1,2
  • 2Three dimensional surface engineered silicon nanocrystals used for photovoltaic applicationsAIST1，Ulster Univ.2 ○Vladimir Svrcek1，Davide Mariotti2，Toshihiro Yamanari1，Koji Matsubara1，Michio Kondo1
  • 3圧電素子光熱変換分光法によるInGaAs/GaAsP歪補償量子井戸太陽電池のキャリア再結合損失過程の積層数依存性宮崎大工1，東京大工2 ○中野陽介1，相原健人1，藤井宏昌2，福山敦彦1，杉山正和2，中野義昭2，碇　哲雄1
  • 4パラメトリックに誘起された機械共振器間のダイナミックな結合NTT物性研 ○岡本　創，アドリエン ゴーユー，イムラン マブーブ，小野満恒二，山口浩司
  • 5｢講演奨励賞受賞記念講演｣（15分）
    微小機械振動子の遠隔励振    NTT物性基礎研 ○畑中大樹，Imran Mahboob，小野満恒二，山口浩司
  •  休憩　10:15〜10:30
  • 6｢第2回化合物半導体エレクトロニクス業績賞（赤崎勇賞）賞受賞記念講演｣(35分)
    量子ドット光デバイスの発展：基礎科学から実用化まで    東大 ○荒川泰彦
  • 7歪緩和バリア層に埋め込んだInAs量子ドットを有するGaAs/AlAs多層膜共振器の四光波混合信号測定徳島大 ○上山日向，安長千徳，森田　健，北田貴弘，井須俊郎
  • 8量子ドット間距離の精密制御装置の開発関西大システム理工1，関西大化学生命工2，甲南大理工3 ○稲田　貢1，吉原義浩1，川崎英也2，岩崎泰彦2，梅津郁朗3，杉村　陽3，齊藤　正1
  • 9Photon upconversion through spatial overlap of excitons in InAs quantum well islands豊田工大 ○（D）David Tex，神谷　格
  •  昼食　11:50〜13:30

17p-E1 - 1〜20

  • 1｢講演奨励賞受賞記念講演｣（15分）
    自己集合量子ドットの対称性低下によるスピン状態混合：光学異方性からの考察    北大院工 ○大野槙悟，鍜治怜奈，足立　智，武藤俊一
  • 2Control of the polarization of positively charged exciton emission from a single QD by circularly polarized excitation東大ナノ量子機構1，東大生研2，NECグリーン研3 ○エドモンド ハーボード1，太田泰友1，白根昌之1,3，五十嵐悠一1,3，熊谷直人1，大河内俊介1，岩本　敏1,2，萬　伸一1,3，荒川泰彦1,2
  • 3Suppressed temperature dependence of QD excited state radiative lifetime by p-doping東大ナノ量子機構1，東大生研2，Imperial College London3 ○エドモンド ハーボード1，岩本　敏1,2，荒川泰彦1,2，ピター スペサー3，エドモンド クラク3，レイ ムーレイ3
  • 4面内電場による単一量子ドット発光の制御(II)： 電場方向依存性東大ナノ量子機構1，上智大理工2 ○斎藤敏夫1，中岡俊裕1,2，荒川泰彦1
  • 5単一量子ドットにおける中性-荷電状態間遷移の評価と考察北大電子研1，北大GCOE2 ○中島秀朗1,2，熊野英和1，飯島仁史1，小田島聡1,2，末宗幾夫1
  • 6量子ドット励起子に対する光励起によって発生したフォノン効果NTT物性研 ○後藤秀樹，眞田治樹，山口浩司，寒川哲臣
  • 7歪補償技術を用いた量子ドットレーザ特性の積層数依存性情通機構1，Milano-Bicocca大2，東大3 ○赤羽浩一1，山本直克1，川西哲也1，Sergio Bietti2，高田彩未1,3，岡田至崇3
  • 8歪補償量子ドットにおける励起子緩和のスペーサ層厚依存性慶大理工1，情通機構2 中尾陽象1，末森亮介1，富澤周平1，赤羽浩一2，○早瀬潤子1
  • 9単一自己組織化InAs量子ドットにおけるTHz光アシストトンネル東大生産研1，東大ナノ量子機構2，CREST-JST3 ○柴田憲治1，梅野顕憲1，Kyu Man Cha1，平川一彦1,2,3
  • 10Si1-xGexナノ粒子におけるマルチキャリアのダイナミクス京大化研1，神戸大院工2 上田　慧1，太野垣健1，福田真俊2，藤井　稔2，○金光義彦1
  •  休憩　16:00〜16:15
  • 11光通信帯で発光する化学合成PbS量子ドットの構造制御横国大工1，理研2 ○（M1）菊島浩介1，中嶋聖介1,2，向井剛輝1
  • 12CdSe/ZnSコロイド量子ドットの電界中の蛍光特性豊田工業大 ○（M1）田中俊成，大森雅登，榊　裕之
  • 13Si量子ナノディスク2次元アレイにおける光吸収特性の構造（直径・膜厚・障壁材料）依存性東北大1，北海道大2，東京大3，JST-CREST4 ○Budiman Mohd Fairuz1,4，五十嵐誠1,4，胡　衛国1,4，村山明宏2,4，岡田至崇3,4，寒川誠二1,4
  • 14障壁材料としてSiCを用いたSi量子ナノディスクアレイ構造のPL特性東北大1，北大2，JST-CREST3 ○五十嵐誠1,3，胡　衛国1,3，木場隆之2,3，村山明宏2,3，寒川誠二1,3
  • 15Siナノディスクアレイにおける時間分解PLスペクトルの温度依存性北大院情報科学1，東北大流体研2，JST-戦略的創造研究推進事業3 ○木場隆之1,3，水島佳也1，村山明宏1,3，五十嵐誠2,3，寒川誠二2,3
  • 16Miniband Engineering of Silicon Nanodisk for Photovoltaic Applications東北大1，JST-CREST2，台湾国立交通大3 ○胡　衛国1,2，Budiman Mohd Fairuz1,2，五十嵐誠1,2，李　明義3，李　義明3，寒川誠二1,2
  • 17バイオテンプレート極限加工によるGaAs量子ナノディスク構造の制御東北大1，東京大2，JST-CREST3 ○田村洋典1,3，五十嵐誠1,3，Fauzi Mohd Erman1,3，胡　衛国1,3，海津利之2,3，岡田至崇2,3，寒川誠二1,3
  • 18Si量子ドットの表面結合およびサイズがキャリア増倍に与える影響の計算化学的評価東北大院工1，東北大未来2 ○広瀬　祥1，南雲　亮2，三浦隆治1，鈴木　愛2，坪井秀行2，畠山　望1，高羽洋充1，宮本　明2, 1
  • 19量子井戸局在励起子の多重井戸間移動山梨大医学工学総合教育部 ○岩崎文昭，菱川正夫，深澤左興，小仲修平，輿石　渓，川崎永人，村中　司，鍋谷暢一，松本　俊
  • 20GaAs励起子吸収を用いたカンチレバーの振動モード冷却NTT物性科研1，東北大2 ○（DC）渡邉敬之2，岡本　創1，小野満恒二1，後藤秀樹1，寒川哲臣1，山口浩司1,2

14.2 超薄膜・量子ナノ構造

3月18日　9:00〜12:00　　会場：E1

18a-E1 - 1〜11

  • 1GaAs中の窒素不純物発光中心に束縛された励起子の位相緩和時間筑波大物理1，物材機構2，JST さきがけ3 ○張　　遼1，池沢道男1,3，森　達哉1，佐久間芳樹2，迫田和彰2，舛本泰章1
  • 2窒素をデルタドープしたGaAsにおける束縛励起子発光線幅の温度依存性神戸大院工 ○原田幸弘，久保輝宜，井上知也，小島　磨，喜多　隆
  • 3磁場中発光励起測定を用いた高品質Ｔ型半導体量子細線における励起子励起状態の研究京大化研1，東大物性研2，Princeton Univ.3 ○岡野真人1，吉田正裕2，陳　少強2，望月敏光2，秋山英文2，金光義彦1，Loren N. Pfeiffer3，Ken W. West3
  • 4GaAs/AlGaAs二重量子井戸のスピン緩和の観測早大先進理工1，北大院工2 笹山和俊1，○山口　亮1，中西奏太1，小柳慶継1，武藤俊一2，竹内　淳1
  • 5InGaAs/AlAsSb多重量子井戸の励起子スピン緩和早大先進理工1，産総研2 ○上村光典1，笹山和俊1，中西奏太1，山口　亮1，小柳慶継1，佐宗麻子1，牛頭信一郎2，物集照夫2，竹内　淳1
  • 6Si基板上に低温でエピタキシャル成長したCaF2膜の安定性東工大 ○林　優士，三角元力，高橋慶太，筒井一生
  •  休憩　10:30〜10:45
  • 7CoSi2上CaF2/CdF2/Siヘテロ接合量子井戸構造を用いたクロスポイント型抵抗スイッチング素子の作製東工大院総理工 ○瓜生和也，傳田純也，渡辺正裕
  • 8Au/n型Siショットキー接触の断面直接観察とショットキー型交流表面光電圧の発生機構日大工1，東大総合研究機構2 眞田悠司1，○清水博文1，熊本明仁2
  • 9三重障壁共鳴トンネルダイオードの電流-電圧特性の遷移確率表現を用いた理論解析首都大東京 ○倉上祐司，斉藤光史，須原理彦
  • 10Gate-All-Around InAsナノワイヤFETにおける高駆動電流NTT物性研 ○佐々木智，Guoqiang Zhang，舘野功太，Henri Suominen，原田裕一，齊藤志郎，藤原　聡，寒川哲臣，村木康二
  • 11InPナノワイヤLEDにおける放射パターン北大院情報科学 ○本久順一，前田智嗣