14. 半導体B（探索的材料・物性・デバイス）

17a-E3 - 1〜11

• 1光伝導スイッチを用いた超短パルス時間分解測定筑波大院数理物質 ^○（M2）大滝健嗣，大毛利健治，野村晋太郎
• 2Ge/SiGe ヘテロ構造中に形成される二次元正孔ガス中の正孔散乱機構の解析慶大理工¹，東京都市大^{2 ○}田中貴久¹，星　裕介²，澤野憲太郎²，白木靖寛²，伊藤公平¹
• 3InPエッチング異方性による微細InGaAsチャネルMOSFET東工大院理工 ^○米内義晴，金澤　徹，池田俊介，宮本恭幸
• 4２次元電子ガスのセルフコンシステント解析を考慮したInGaAs/歪みInAs/InGaAsチャネルHEMTのモンテカルロ計算情通機構¹，富士通研^{2 ○}遠藤　聡^1,2，渡邊一世¹，三村高志^1,2
• 5GaN MOSFET 電気特性へのチャネルリセスエッチングの影響徳島大院¹，サムコ²，大連理工大^{3 ○}玉井健太郎¹，王　正鵬^1,3，宮下準弘²，本山慎一²，王　徳君³，敖　金平¹，大野泰夫¹
•  休憩　10:15〜10:30
• 6ゲート先行プロセスによるAl₂O₃ AlGaN/GaN MOSHFET特性の改善名大工¹，名大VBL^{2 ○}宮崎英志¹，岸本　茂^1,2，水谷　孝¹
• 7AlGaN/GaN上に形成した絶縁ゲート構造に対する表面処理の影響北大量集センター¹，JST-CREST^{2 ○}堀　祐臣¹，橋詰　保^1,2
• 8透明ゲートAlGaN/GaN HEMTを用いた紫外線フォトディテクター名工大 ^○（M1）成田知隆，分島彰男，江川孝志
• 9Investigation of AlN/AlGaN/GaN MIS-HFET by temperature-dependent measurements of frequency dispersion in C-V characteristicsJAIST ^○Hong Shih，Masahiro Kudo，Masashi Akabori，Toshi-kazu Suzuki
• 10AlGaN/GaN HFET 電流コラプスの回復機構徳島大院STS ^○細川大志，井川裕介，木尾勇介，敖　金平，大野泰夫
• 11自立GaN基板上の耐圧2kV超pn接合ダイオード法政大工¹，日立電線^{2 ○（M1C）}畠山義智¹，野本一貴¹，金田直樹²，河野敏弘²，土屋忠厳²，三島友義²，中村　徹¹
•  昼食　12:00〜13:30

17p-E3 - 1〜12

• 1ソースフィールドプレート構造AlGaN/GaN HEMTにおける電流コラプスの解析芝浦工大システム工 ^○塙　秀之，小野寺啓，堀尾和重
• 2フィールドプレート構造微細AlGaN/GaN HEMTの耐圧特性の解析芝浦工大システム工 ^○小野寺啓，堀尾和重
• 3促進障壁層を有するAlGaN/GaN E-mode HFETの高温特性NTTフォトニクス研¹，NTT物性基礎研^{2 ○}前田就彦¹，廣木正伸¹，佐々木智²，原田裕一²
• 4i-GaN薄層挿入によるp-InGaN cap Normally-off型AlGaN/GaN HEMTのゲートリーク電流の低減名大工¹，名大VBL^{2 ○（M2）}山田博之¹，岸本　茂^1,2，水谷　孝¹
• 5GaInN系ヘテロ接合電界効果トランジスターに関する研究名城大・理工¹，名古屋大・院工²，名古屋大・赤崎記念研究センター^{3 ○}池田和弥¹，磯部康裕¹，一木宏充¹，石黒真未¹，水野正隆¹，岩谷素顕¹，竹内哲也¹，上山　智¹，赤崎　勇^1,3，天野　浩^2,3
• 6N2O ラジカル処理がAlGaN/GaN電界効果トランジスタの安定性に与える影響北大量集センター ^○（P）胡　成余，橋詰　保
• 7Characterization of GaN MOSFETs on AlGaN/GaN Heterostructure徳島大¹，サムコ²，大連理工大^{3 ○}Qingpeng Wang^1,3，Kentaro Tamai¹，Takahiro Miyashita²，Shin-ichi Motoyama²，Dejun Wang³，Jin-Ping Ao¹，Yasuo Ohno¹
•  休憩　15:15〜15:30
• 8自立基板上GaN p-nダイオード順方向電流-電圧特性における自己吸収効果日立中研¹，法政大マイクロナノテクノロジー研²，法政大理工³，日立電線^{4 ○}望月和浩¹，野本一貴²，畠山義智³，片寄秀雄³，三島友義⁴，金田直樹⁴，土屋忠厳⁴，寺野昭久¹，石垣隆士¹，土屋朋信¹，土屋龍太¹，中村　徹^2,3
• 9AlGaN/GaN電界効果トランジスタおよびショットキーダイオードにおける低周波揺らぎ北陸先端大 ^○四郎園政隆，Hong-An Shih，鈴木寿一
• 10組成傾斜ベースを有する窒化物半導体ライトエミッティングトランジスタNTT物性研 ^○熊倉一英，山本秀樹，牧本俊樹
• 11低オン電圧動作GaN SBDへのCu2Oエッジ終端構造の適用富士通研 ^○美濃浦優一，岡本直哉，金村雅仁，今田忠紘，多木俊裕，今西健治，渡部慶二，常信和清，吉川俊英
• 12GaN-SBDのアノード長最適化による低オン抵抗化東芝 ^○池田健太郎，高田賢治，蔵口雅彦，湯元美樹，津田邦男

18a-GP7 - 1〜9

• 1HfO₂とLa₂O₃をゲート絶縁膜として用いたAlGaN/GaN-HEMTの電気特性東工大フロンティア研¹，東工大総理工^{2 ○}陳　江寧¹，常石佳奈¹，角嶋邦之²，Parhat Ahmet¹，片岡好則²，西山　彰²，杉井信之²，筒井一生²，名取研二¹，服部健雄¹，岩井　洋¹
• 2超積プロセスによるNiSi₂とAlGaN/GaNの電流電圧特性および不純物挿入の効果東工大フロンティア研¹，東工大総理工^{2 ○}常石佳奈¹，陳　江寧¹，角嶋邦之²，Ahmet Parhat¹，片岡好則²，西山　彰²，杉井信之²，筒井一生²，名取研二¹，服部健雄¹，岩井　洋¹
• 3SiCNをゲート絶縁膜として用いたAlGaN/GaN HEMT東北大通研¹，東北大金研^{2 ○（M2）}鹿野優毅¹，小林健悟¹，吉田智洋¹，尾辻泰一¹，片山竜二²，松岡隆志²，末光哲也¹
• 4SiC基板上AlGaN channel HEMTにおけるオフ状態のドレインリーク電流低減三菱電機 ^○南條拓真，今井章文，鈴木洋介，岡崎拓行，吹田宗義，阿部雄次，柳生栄治，島　顕洋
• 5Si基板上GaN HEMTにおける紫外線照射時の電流コラプス評価名工大院 ^○（M1）常家卓也，江川孝志，分島彰男，近藤健太
• 6多重台形チャネルAlGaN/GaN HEMTにおける電流コラプス評価北大量集センター¹，北大院情報科学²，JST-CREST^{3 ○}大井幸多^1,2，橋詰　保^1,2,3
• 7ワイドウィングELO-GaNの転位欠陥分布と縦型ショットキーダイオードのリーク電流との関係パウデック ^○平田祥子，八木修一，別所公博，伊原　毅，森田悦男，河合弘治
• 8等価回路モデルを用いたGaN-HEMTのスイッチング特性比較明治大院理工¹，産総研先進パワエレ^{2 ○（M1）}南　智也¹，井手利英²，清水三聡²，三浦　登¹
• 9InSb HEMTのデバイス特性に及ぼすラフネス散乱の影響東理大院基礎工¹，情通機構^{2 ○（M1）}佐藤　純¹，荒井敦志¹，町田史晴¹，原　紳介¹，藤代博記¹，遠藤　聡²，渡邊一世²