13. 半導体A（シリコン）

16a-A5 - 1〜10

• 1Si(110)2×16表面構造の局所電子構造2：ペンタゴン構造物材機構¹，チャールス大²，ロンドン大³，東大物性研^{4 ○}三木一司¹，Martin Setvín^1,2，Veronica Brázdová³，David R. Bowler³，富松宏太⁴，中辻　寛⁴，小森文夫⁴
• 2Investigation of annealing ambient for Si surface flattening process to form ultra-thin HfON gate insulatorTokyo Inst. of Tech. ^○Dae-Hee Han，Shun-ichiro Ohmi
• 3Si基板上の緩和Ge薄膜成長に関する研究東北大院工 ^○松尾拓哉，矢部裕平，黒木伸一郎，鷲尾勝由，室田淳一
• 4ゲルマニウムドライ酸化における温度依存性広大院先端研¹，名大院工^{2 ○}大田晃生¹，Siti Kudnie Sahari¹，池田弥央¹，村上秀樹¹，東清一郎¹，宮崎誠一²
• 5GeO₂表面上での湿度に依存した吸着水成長過程のin situ XPS観測阪大院工¹，バークレー国立研^{2 ○}有馬健太¹，村　敦史¹，秀島伊織¹，細井卓治¹，渡部平司¹，Zhi Liu²
•  休憩　10:15〜10:30
• 6ウェハー表面検査における欠陥検出に関わるレーザー散乱挙動の解析岡山県立大情報工院¹，岡山県立大情報工^{2 ○}神山栄治¹，末岡浩治²
• 7ガスクラスタービームを利用した微小パーティクル除去技術の開発東京エレクトロン¹，京大院工^{2 ○}土橋和也¹，井内健介¹，斉藤美佐子¹，瀬木利夫²，青木学聡²，松尾二郎²
• 8レジストマスク微細加工プロセスへのプラズマレスガスエッチングの適用ソニーセミコンダクタ¹，ソニー^{2 ○}齋藤　卓¹，奥山　敦¹，萩本賢哉²，岩元勇人²
• 9湿潤オゾンを用いたレジスト除去における反応メカニズムの解明(II)金沢工大¹，岩谷産業²，金沢大³，阪大^{4 ○}安形行広¹，船坂知宏¹，後藤洋介¹，河野昭彦¹，西村　宏²，古谷政博²，牧平尚久²，小池国彦²，山岸忠明³，堀邊英夫^1,4
• 10Hot-wire法により生成した水素ラジカルによるレジスト材料の分解反応機構I金沢工大¹，金沢大²，大阪大^{3 ○}新井　祐¹，渡邉　誠¹，河野昭彦¹，山岸忠明²，堀邊英夫^1,3

16p-GP4 - 1〜3

• 1極薄TiOx層を挿入したAl/n-Ge(100)接触特性のPMA処理温度依存性諏訪東京理科大¹，山梨大²，弘前大³ 和光賢司¹，花田毅貴¹，石崎博基¹，王谷洋平¹，佐藤哲也²，岡本　浩³，小野俊郎³，^○福田幸夫¹
• 2第一原理計算による金属/Si界面の乱れとSBH変調の関係千葉大理 ^○（D）小日向恭祐，中山隆史
• 3RTPで成膜したSi(100)熱酸化薄膜の密度分布産総研 ^○尾高憲二，黒河　明，東　康史，張ルウルウ，藤本俊幸