5. 光エレクトロニクス

5.3 光制御

3月16日 13:30〜18:30  会場:F4

16p-F4 - 1〜18

  • 1「光エレクトロニクス」分科内招待講演(30分)
    PPLN導波路を用いた低雑音位相感応増幅
    NTTフォトニクス研 遊部雅生,梅木毅伺,竹ノ内弘和
  • 2PPLN 位相感応増幅器の波形整形効果を用いたチャープ抑制NTTフォトニクス研 圓佛晃次,遊部雅生,梅木毅伺
  • 3コヒーレントマルチキャリアの位相感応増幅と信号-ASEビート雑音低減NTTフォトニクス研究所1,NTT未来ねっと研究所2 梅木毅伺1,遊部雅生1,高良秀彦2,宮本 裕2
  • 4擬似位相整合AlGaAs導波路におけるAl組成の2次元マッピング東大工 松下智紀,吉田成輝,太田順也,近藤高志
  • 5バルク単結晶GaNにおける電場誘起第2高調波発生II東大工1,中央大理工2,京大工3 阿部 真1,庄司一郎2,須田 淳3,近藤高志1
  • 6ヨウ素酸リチウム結晶の電気光学係数、圧電定数、光弾性係数の相対的符号シグマ光機1,成蹊大2,山梨大3 川本裕太1,滝沢國治1,2,原口康史1,金 蓮花3,鈴木誠一2
  • 7分散補償用プリイコライジング高速電気光学変調器の高性能化阪大院基礎工 村田博司,郭  藍,岡村康行
  • 8位相変調器を用いたループ型光コム発生法防衛大 青木 誠,野田 仁,辻健一郎,小野寺紀明
  •  休憩 15:45〜16:00
  • 9光パルスシンセサイザを用いた系外惑星観測のための光周波数コムの生成農工大院1,国立天文台2 水野陽介1,井上真嘉1,柏木 謙1,西川 淳2,周藤浩士2,田村元秀2,黒川隆志1
  • 10光パルスシンセサイザによるダークソリトン合成とファイバ伝播特性農工大院工 茂澤清信,喬 維凡,柏木 謙,田中洋介,黒川隆志
  • 11非対称短光パルスの生成と時間レンズによる結像農工大工 長谷川梓,茂澤清信,柏木 謙,黒川隆志
  • 12Nd3+錯体を添加したポリスチレン光導波路の発光特性金沢大院 ○(M1)寺澤佳大,河原健志,藤井洋輔,北村広美,丸山武男,飯山宏一
  • 13ポリマー3次元光回路の作製プロセスの検討早大 ○(M1)保科貴之,立崎卓也,湯澤元輝,宇高勝之
  • 14ポリマー3次元光回路の基本透過特性早大理工 ○(M2)立崎卓也,保科貴之,湯澤元輝,宇高勝之
  • 15ポリマーを用いたリング共振器型波長選択フィルタに関する検討早大理工 ○(M2)桑田圭一郎,松本 敦,松下明日香,宇高勝之
  • 16高屈折率差サブ波長格子の角度依存性東工大精研 今村明博,小山二三夫
  • 17空間モードフィルタのための高屈折率差サブ波長回折格子の評価東工大 貞光雅徳,今村明博,小山二三夫
  • 18中赤外用金属薄膜サブ波長多重格子構造偏光子の実験的検証宇都宮大工 稲川雄太,依田秀彦,白石和男

5.3 光制御

3月17日 9:00〜18:45  会場:F4

17a-F4 - 1〜11

  • 1「講演奨励賞受賞記念講演」(15分)
    ウェハ融着によるSi上III-V量子ドットレーザの進展
    東大ナノ量子機構1,東大生研2 田辺克明1,荒川泰彦1,2
  • 2Ag薄膜を介した低抵抗Auフリーウェハ融着によるSi基板上1.3μm InAs/GaAs量子ドットレーザ東大ナノ量子機構1,東大生研2 辰巳智彦1,2,田辺克明1,2,渡邉克之1,2,岩本 敏1,2,荒川泰彦1,2
  • 3フリップチップ実装型シリコンハイブリッドレーザの高温・高出力動作富士通研 田中信介,鄭 錫煥,関口茂昭,倉橋輝雄,田中 有,森戸 健
  • 4Si-on-SOI上n+ Geマイクロディスク共振器構造の発光特性の評価東大院工1,NTT2 瀧内孝輝1,石川靖彦1,和田一実1,土澤 泰2,渡邉俊文2,山田浩治2,板橋聖一2
  • 5シリコン結晶を用いた光能動デバイスの一提案室蘭工大1,NTT MI研2 矢野隆治1,篠島弘幸2
  • 6発光をプローブとしたSi上直接成長n-doped Geの時間分解測定東大ナノ量子機構1,日立中研2,PETRA3 加古 敏1,斉藤慎一2,3,小田克矢2,3,岩本 敏1,荒川泰彦1
  •  休憩 10:30〜10:45
  • 7Ce:YIG直接接合によるMZI型シリコン細線導波路光アイソレータ東工大 伊藤正俊,白土雄也,庄司雄哉,水本哲弥
  • 8非相反半導体レーザの残留磁化状態における消光特性農工大工 田澤耕明,上原啓史,清水大雅
  • 9非相反双安定半導体レーザにおけるヒステリシス特性の観測農工大工 上原啓史,田澤耕明,清水大雅
  • 10光導波路に近接させたGdFe薄膜の磁気光学効果の検出東工大1,電通大2,NHK技研3 西林一彦1,米田仁紀2,久我 淳3,宗片比呂夫1
  • 11BCB貼り付け法によるSi基板上GaInAsP細線 1×2 MMIの作製東工大電気電子工1,量子ナノエレクトロニクス研究センター2 李 智恩1,山原佳晃1,渥美裕樹1,進藤隆彦1,西山伸彦1,荒井滋久1,2
  •  昼食 12:00〜13:30

17p-F4 - 1〜20

  • 12波長光化学反応を用いた自己組織化光波網(SOLNET)の提案東京工科大 佐藤平志,吉村徹三
  • 2蛍光体を用いた反射型自己組織化光波網 (R-SOLNET) の提案と実証実験東京工科大 関 将利,吉村徹三
  • 3発光性ターゲットを用いたR-SOLNETによるパラレル光導波路の自己組織化東京工科大 吉村徹三,関 将利
  • 4光集積化太陽電池に用いるTapared縦型導波路アレイの作製・評価東京工科大 滝沢怜史,森本裕也,吉村徹三
  • 5偏光無依存HCGとその作製トレランスの検討奈良先端大物質 池田和浩,竹内一真,河口仁司
  • 6スローライトMMI導波路型光スイッチ東工大精研 中村謙介,淵田 歩,小山二三夫
  • 7ハイメサ半導体光導波路におけるコア導波モードとクラッド層を伝搬するリーキ-モードによる干渉の実験的検証横国大院工 神谷 宙,上山雄太,荒川太郎,國分泰雄
  • 8カーボンナノチューブ含有ポリイミド非線形光導波路とBCB導波路の異種接続ハイブリッド化作製技術の開発産総研1,明治理工2,CREST3 正影淳行1,2,片浦弘道1,3,三浦 登2,榊原陽一1,2,3
  • 9半導体光増幅器に光加速作用を加えた複素スペクトル合成方式全光ゲートの強度・位相フィルタプロファイル設計電通大1,情通機構2 山本 輝1,坂野将太1,吉川恵太1,速水竜之介1,小林雅和1,品田 聡2,和田尚也2,上野芳康1
  • 10SOA及び長周期グレーティングを装荷した非線形方向性結合器による全光3R再生デバイスのジッタ補正特性の解析早大理工 ○(M2)中村遼太,保坂弘晃,宇高勝之
  •  休憩 16:00〜16:15
  • 11超高速(160Gb/s)光論理ゲート素子のためのトンネル注入電流構造多重積層QD-SOAの数値解析による検討早大理工1,情通機構2 ○(D)松本 敦1,松下明日香1,桑田圭一郎1,赤羽浩一2,宇高勝之1
  • 12全ての光増幅部を半導体光増幅器に置換した超高速・全光ゲート型モードロックパルスレーザ電通大先進理工 平井恭兵,新井隆博,吉川恵太,上野芳康
  • 13多色量子ドット並列構造による近赤外広帯域光源のスペクトル形成和歌山大シス工1,NEC2,物材機構3,千歳科技大4,筑波大5,シェフィールド大6 竹内晃一1,尾崎信彦1,大河内俊介2,池田直樹3,杉本喜正3,小田久哉4,浅川 潔5,Richard Hogg6
  • 14有機EL素子での表面プラズモン散乱による光増強特性立命館大1,物材機構2 山崎 晃1,森  俊1,堀越友輔1,川崎将吾1,笠原健一1,池田直樹2,落合雅幸2,杉本喜正2
  • 15ユビキタス光通信に向けたプラズモニック波長フィルタの研究産総研・ユビキタスエネルギー1,阪大院工2 村井健介1,太田浩二1,押鐘 寧2,東 孝哉2,山本史彦2,中野元博2,井上晴行2
  • 16シリカトロイド微小光共振器における光カー双安定メモリの解析慶大理 吉岐 航,田邉孝純
  • 17多角形シリカトロイド微小光共振器の作製と性能評価慶大理工 加藤拓巳,吉岐 航,小川陽平,田邉孝純
  • 18電界効果GaInAs/InP MQW波長スイッチの電極構造改善上智大理工 柳 智史,青柳孝典,谷村 昂,下村和彦
  • 19InGaAs/AlAsSb MQW内でのISBTが介在した四光波混合の検討産総研 鍬塚治彦,秋本良一,牛頭信一郎,物集照夫,小笠原剛,挟間壽文,石川 浩
  • 20Electric Field Effects on Exciton in High-purity GaAs at Room TemperatureChu Madhu Sudan Kayastha,Durga Prasad Sapkota,Bu Shin,Makoto Takahashi,Koichi Wakita

5.3 光制御

3月18日 9:00〜15:00  会場:F4

18a-F4 - 1〜11

  • 1種々の金属回折格子によるSOIフォトダイオードの光感度向上静岡大電子研 川久保謙,佐藤弘明,安間義和,小野篤史,猪川 洋
  • 2金属回折格子付SOIフォトダイオードによる近赤外光検出の検討静岡大電子研 佐藤弘明,小野篤史,猪川 洋
  • 3SOI横型pn接合フォトダイオードにおける基板バイアス効果の解析静大若手育成拠点1,静大電研2 小野篤史1,猪川 洋2,佐藤弘明2,松尾有樹2
  • 4応力によるゲルマニウのムバンド構造変化の理論検討東大院工 畔柳 亮,石川靖彦,和田一実
  • 5微細梁構造を用いたSi上Ge(001)層への一軸性応力印加-面内結晶方位の影響-東大工1,東大院工2 海和達史1,和田一実2,石川靖彦2
  • 6応力印加によるフォトニック結晶L3共振器の波長制御東大院工 堀江 優,石川靖彦,和田一実
  •  休憩 10:30〜10:45
  • 7Si導波路集積PIN型Geフォトダイオードの検討PECST1,PETRA2,産総研3,東大4 野口将高1,2,藤方潤一1,2,三浦 真1,2,岡本大典1,2,堀川 剛1,3,荒川泰彦1,4
  • 8RF終端無しSiフォトニック結晶光変調器の1.6 Vpp、10 Gb/s動作横国大・院工 ○(PC)ホン グェン,新川瑞季,石倉徳洋,馬場俊彦
  • 9シリコンフォトニクスDQPSK変調器とレシーバーの特性評価横国大・院工1,JST-CREST2 鈴木恵治郎1,Hong Nguyen1, 2,斎藤悠二1, 2,酒井裕也1, 2,信夫史弘1,矢澤直哉1,馬場俊彦1, 2
  • 10分布ブラッグ反射器を用いたインライン型波長選択導波光変調素子の提案京都工繊大1,産総研2 河波 慧1,金高健二2,森涼太朗1,三浦哲之介1,西尾謙三1,粟辻安浩1,裏 升吾1
  • 11縦列p/n接合型Siマッハツェンダー光モジュレータ広島大ナノデバイス・バイオ融合科学研究所 古谷竜一,雨宮嘉照,福山正隆,横山 新
  •  昼食 12:00〜13:00

18p-F4 - 1〜8

  • 1カルコゲナイドガラス装荷スロット導波路における広帯域な四光波混合横国大・院工1,JST-CREST2 茂呂将典1,2,鈴木恵治郎1,2,馬場俊彦1,2
  • 2アポダイズグレーティングの導入によるSi導波路バンド選択型インターリーバフィルタの特性改善について早大1,ナノテク研究所2 ○(B)伊藤大樹1,石井淳一1,宇高勝之1,由比藤勇2
  • 3シリコン細線導波路用トンネル結合スポットサイズ変換器宇都宮大工1,カリフォルニア大2 大道寺龍弥1,白石和男1,依田秀彦1,ツァイ ツェン2
  • 4垂直方向ダウンテーパを用いたシリコン細線導波路用スポットサイズ変換器宇都宮大工1,カリフォルニア大2 永田 大1,白石和男1,依田秀彦1,ツァイ ツェン2
  • 5光配線用光源実装のためのSi導波路によるトライデント型スポットサイズ変換器PETRA1,PECST2,産総研3,東大生研4 羽鳥伸明1,2,清水隆徳1,2,岡野 誠2,3,石坂政茂1,2,山本剛之1,2,賣野 豊1,2,森 雅彦2,3,中村隆宏1,2,荒川泰彦2,4
  • 6Si導波路と1μm光ファイバーの結合用スポットサイズ変換器産総研ナノデバイス 徳島正敏,亀井明夫,堀川 剛
  • 7SOI導波路プロセス(IV) -液浸ArF露光を用いた導波路パターン形成-産総研ナノデバイスセンター1,PETRA2,PECST3 関 三好1,3,高橋博之2,3,外山宗博1,3,越野圭二1,3,横山信幸1,3,大塚 実1,3,杉山曜宣1,3,石塚栄一1,3,平山直紀1,3,佐野 作1,3,堀川 剛1,3
  • 8シングルトレンチ型SiON導波路TE-TMモード変換器の製作東工大院 中山謙一,庄司雄哉,水本哲弥

5.3 光制御

3月18日 会場:GP4
ポスターセッション
ポスター掲示時間9:30〜11:30

18a-GP4 - 1〜23

  • 1低抵抗率ポリマークラッドを用いた電気光学ポリマー導波路の評価九大先導研1,九大院総理工2,情通機構3,日産化学工業4 山本和広1,2,於  豊2,横山士吉1,2,大友 明3,安井 圭4,小澤雅昭4
  • 2周期分極反転(8.0 μm)・Mg添加定比LiTaO3波長変換デバイスのX軸方向における熱拡散率物・材機構 中村 優,竹川俊二,北村健二
  • 310mm厚周期分極反転Mg添加コングルエントLiNbO3素子の作製分子研 石月秀貴,平等拓範
  • 4近赤外領域における金属薄膜サブ波長ブレーズド格子構造偏光子宇都宮大工 酒巻和弘,稲川雄太,依田秀彦,白石和男
  • 5低コヒーレンス光干渉を用いたMZIアレイの位相誤差測定群大工1,AiDi社2 青野光好1,佐藤伸一1,千葉明人1,高田和正1,岡本勝就2
  • 6炭酸ガスレーザ照射によるMZIアレイの位相誤差測定群大工1,AiDi社2 吉田篤史1,佐藤伸一1,千葉明人1,高田和正1,岡本勝就2
  • 7Lloydのミラー干渉で整形されたLDビームの品質因子測定岡山県立大情報工 福嶋丈浩,坂口浩一郎,徳田安紀
  • 8バルク型半導体光増幅器の入力光周波数依存消費電力調査電通大先進理工 坂野将太,Anh Nguyen Tuan,吉川恵太,上野芳康
  • 9GaInAs/InP MQW選択成長アレイ導波路のキャリア注入時の屈折率変化量上智大理工 青柳孝典,吉岡政洋,柳 智史,下村和彦
  • 10MZ変調器ベース光コム発生器を用いたミリ波帯マルチ信号発生情通機構 諸橋 功,坂本高秀,川西哲也,寳迫 巌
  • 11励起子吸収を利用した高効率空間光変調器の試作中部大 武 シン,どるか さぶこた,まどう かやすた,高橋 誠,脇田紘一
  • 12表面プラズモン共鳴をベースとしたシリコン光変調器の提案広大ナノデバイス研 田部井哲夫,横山 新
  • 13マイクロアクチュエータを用いた間隙可変シリコン導波路カプラースイッチの改良東北大院工 秋浜祐太,宗正 康,金森義明,羽根一博
  • 1490° Bend Device Based on Tapered Hollow Waveguide東工大精研 Hamed Dalir,小山二三夫
  • 15偏波無依存Si導波路Braggグレーティングの検討OKI 岡山秀彰,太縄陽介,宮村悟史,八重樫浩樹
  • 16Siオンチップ多分岐比光スプリッターの解析横国大・院工1,JST-CREST2 矢澤直哉1,鈴木恵治郎1,Hong Nguyen1,2,馬場俊彦1,2
  • 17TEOSで作製したa-Si:H/SiN多層膜光導波路の消光比特性早大院先進理工1,大妻女子大2 大野 拓1,杉山裕太1,田丸直幸2,加藤 勇1
  • 18微結晶シリコン細線導波路の伝搬損失特性産総研1,PECST2 武井亮平1,2,眞子祥子1,2,面田恵美子1,2,鈴木政雄1,2,岡野 誠1,2,古屋克己1,2,榊原陽一1,2,森 雅彦1,2,亀井利浩1,2
  • 19i線ステッパを用いたSiリング共振器の作製と評価広島大ナノデバイス・バイオ研 ○(M2)大西悠斗,福山正隆,雨宮嘉照,横山 新
  • 20スロット導波路と方向性結合器の関係金沢大理工 ○(B)森野久康,丸山武男,飯山宏一
  • 21クロス形スロットを有するSi細線光導波路の解析摂南大理工1,北里大医療衛生2,クオンタムフェーズラボラトリー3 大家重明1,梅田徳男2,張 吉夫3
  • 22ブロッホ波干渉型低損失連結クロス導波路の作製評価東工大工1,量子ナノ2 渥美裕樹1,JoonHyun Kang1,西川佳宏1,小田 学1,雨宮智宏2,西山伸彦1,荒井滋久1,2
  • 23リブ型シリコン導波路用スポットサイズ変換器宇都宮大工 畠山峻輔,依田秀彦,白石和男