16. 非晶質・微結晶

16p-GP10 - 1〜8

• 1結晶シリコン太陽電池用銅ペーストの開発産総研FLEC¹，住田コンサルティング²，ナプラ^{3 ○}吉田　学¹，徳久英雄¹，伊東宇一¹，鎌田俊英¹，住田勲勇²，関根重信³
• 2多結晶シリコン基板における三フッ化塩素ガス及び酸溶液によるテクスチャ化の検討(2)成蹊大院工 三田隆裕，^○齋藤洋司
• 3太陽電池用多結晶Si基板の粒界越えキャリア移動度評価山形大院理工 橋本将貴，籾山克章，鹿又健作，^○廣瀬文彦
• 4Interaction between Grain Boundaries and Dislocations in Multicrystalline Si物材機構¹，筑波大²，明治大^{3 ○}陳　　君¹，Ronit Prakash^1,2，Karolin Jipter^1,2，李　健永³，宮村佳児¹，原田博文¹，関口隆史^1,2
• 5多結晶Si中の小角粒界における転位とEBIC特性の関係物材機構¹，東北大金研^{2 ○}宮村佳児¹，原田博文¹，陳　　君¹，伊藤　俊²，関口隆史¹
• 6Al₂O₃パッシベーション膜における熱アニール効果農工大工 ^○（D）吉葉修平，稲村太一，マルワン ダムリン，上迫浩一
• 7反応性スパッタSiN_x:H薄膜の作製と評価東京高専電気工¹，芝浦メカトロニクス²，さがみはら産業創造センター^{3 ○}伊藤　浩¹，川又由雄²，大山昌憲³
• 8フォトン・フォトキャリア直交型マルチストライプ半導体太陽電池とその無機半導体ベースでの展開北大電子研¹，帝人構造解析研究所^{2 ○}石橋　晃¹，平坂雅男²，佐藤和彦²，河西　剛¹，海住英生¹，近藤憲治¹，川口敦吉¹，スザン ホワイト¹

17a-B6 - 1〜11

• 1ALD-AlOxパッシベーションによる界面歪の評価明大¹，NIMS²，兵庫県立大³，JST-CREST^{4 ○（D）}立花福久¹，池野成裕^1,2,4，新船幸二^3,4，吉田晴彦^3,4，知京豊裕²，小椋厚志^1,4，佐藤真一^3,4
• 2熱アニールによる室温堆積ALD-AlO_x 膜のパッシベーション特性変化兵庫県立大¹，明大²，豊田工大³，JST-CREST^{4 ○}三木祥平^1,4，中村亮太¹，新船幸二^1,4，松谷亮佑^1,4，浜野純平^1,4，吉田晴彦^1,4，立花福久^2,4，小椋厚志^2,4，大下祥雄^3,4，佐藤真一^1,4
• 3低価格Cat-CVD触媒体によるアルミナ成膜神奈川工科大 ^○齋藤直之，岡本太郎，渡邊雄輝，荻田陽一郎
• 4n-Si用アルミナパッシベーション膜の短時間熱処理神奈川工科大 ^○會澤洋太朗，荻田陽一郎
• 5大気圧熱プラズマジェット照射及び高圧水蒸気熱処理による低温堆積SiO_２膜及びSi/SiO₂界面の改善広大院先端研 ^○（M1）小柳俊貴，西田悠亮，林　将平，池田弥央，東清一郎
•  休憩　10:15〜10:30
• 6ダブルへテロ構造を有するGe太陽電池の作製と評価東工大院理工¹，東工大PVREC^{2 ○}田所宏太郎¹，中田和吉¹，星名　豊¹，山下明矩¹，山田　明^1,2
• 7100μm厚結晶シリコン太陽電池の研究開発豊田工大¹，明治大^{2 ○}大下祥雄¹，小島拓人¹，青木真理¹，立花福久²，小椋厚志²
• 8サンドブラスト処理を用いた表面テクスチャー形成方法の検討産総研¹，不二製作所²，ノリタケカンパニーリミテド³，和光純薬工業^{4 ○}高遠秀尚¹，原田高行²，石橋正三²，近藤庸市³，浅井秀之³，菊池信之⁴，林田一良⁴，坂田　功¹
• 9切粉からのシリコンナノパーティクル創製と太陽電池への応用阪大産研 ^○前田譲章，松本健俊，小林　光
• 10レーザードーピングにおける表面粗さの抑制によるエミッタ層の電気的特性の改善奈良先端大 ^○西村英紀，平田憲司，長谷川光洋，片桐卓哉，冬木　隆
• 11SCREEN-PRINTING APPLICATIONS OF BORON AND PHOSPHORUS SOURCES FOR SELECTIVE EMITTER SOLAR CELLS農工大工¹，日本合成化学^{2 ○}Abdullah Uzum¹，Suzuki Shota¹，Nagashima Saori¹，Shuhei Yoshiba¹，Dhamrin Marwan¹，Koichi Kamisako¹，Hiroaki Sato²，Katsuhiko Katsuma²，Kuniyasu Kato²

17p-B10 - 1〜22

• 1大粒径多結晶シリコンにおける軽元素の析出挙動明治大¹，物材機構²，豊田工大³，九州大^{4 ○}李　建永^1,2，関口隆史²，原田博文²，宮村佳児²，陳　　君²，大下祥雄³，柿本浩一⁴，小椋厚志¹
• 2太陽電池用多結晶シリコン育成時における酸素不純物の低減九大応力研¹，物質・材料研究機構^{2 ○}高　　冰¹，中野　智¹，原田博文²，宮村佳児²，関口隆史²，柿本浩一¹
• 3単結晶の種結晶成長を用いた複雑な固液界面形状に対する結晶異方性を考慮した熱応力解析九大応力研¹，物質・材料研究機構^{2 ○}高　　冰¹，中野　智¹，原田博文²，宮村佳児²，関口隆史²，柿本浩一¹
• 4数値解析を用いた太陽電池用多結晶シリコン育成中における新規冷却過程の提案九大応力研¹，物質・材料研究機構^{2 ○}中野　智¹，高　　冰¹，原田博文²，関口隆史²，李　維東¹，寒川義裕¹，柿本浩一¹
• 5疑似単結晶シリコン中の軽元素不純物が結晶欠陥に与える影響明大¹，神奈川県産技セ²，豊田工大³，兵庫県立大⁴，九大⁵，物材機構^{6 ○（D）}立花福久¹，楠木宏毅^1,2，土屋佑樹¹，鮫島　崇¹，小島拓人³，新船幸二⁴，柿本浩一⁵，宮村佳児⁶，原田博文⁶，関口隆史⁶，大下祥雄³，小野春彦²，小椋厚志¹
• 6シードキャスト法における種結晶シリコンからの酸素不純物の混入明大理工¹，神奈川県産技セ²，豊田工大^{3 ○（M1）}楠木宏毅^1,2，立花福久¹，小島拓人³，大下祥雄³，小椋厚志¹，小野春彦²
• 7一方向凝固で育成したmono-like結晶の残留歪分布の解析物材機構¹，筑波大²，京都工繊大^{3 ○}Karolin Jiptner^1,2，福澤理行³，宮村佳児¹，原田博文¹，関口隆史^1,2
•  休憩　14:45〜15:00
• 8溌液結晶化法による太陽電池用シリコンモールドウエハーの作成ユニオンマテリアル ^○桜木史郎
• 9Si融液に濡れない基板を用いた切断工程の要らない板状Si多結晶の作製山口大院理工 ^○伊東洋典，淺野間奨，中村ちひろ，三村茉依子，信藤昌彦，小松隆一
• 10世界最速高精度な結晶Si系太陽電池変換効率判定技術東北大金材研 ^○藩　伍根，宇佐美徳隆，藤原航三，松島　悟
• 11Fe汚染多結晶シリコンにおけるPLマッピングとFe不純物の挙動静岡理工科大¹，フォトンデザイン^{2 ○}田中清高¹，秋山祐希¹，塚本美徳¹，清水良祐²，吉田　豊¹
• 12電子注入下におけるシリコン中の鉄不純物の挙動その場観察静岡理工科大¹，アプコ^{2 ○}秋山祐希¹，吉田　豊¹，塚本美徳¹，原田芳仁²，森口幸一²，小粥啓子²
• 13⁵⁷Mn/⁵⁷Feイオン注入直後の光照射下多結晶シリコン太陽電池中の鉄不純物電荷状態静岡理工科大¹，東工大²，理研^{3 ○}吉田　豊¹，鈴木都文²，小林義男³，長友　傑³，秋山祐希¹，行平憲一¹，早川一生¹，上野秀樹³，吉見彰洋³，長江大輔³，旭耕一郎²，Guido Langouche⁴
• 14強制汚染およびリンゲッタリングによる多結晶Si中の鉄およびニッケルの挙動明大¹，豊田工業大²，兵庫県立大^{3 ○}宮崎直人¹，土屋佑樹¹，鮫島　崇¹，立花福久¹，小島拓人²，大下祥雄²，新船幸二³，小椋厚志¹
• 15PLによる太陽電池用高補償比Si結晶のドナー・アクセプタ不純物定量JAXA宇宙研¹，明大²，CEA-INES^{3 ○}田中香次^1,2，田島道夫^1,2，小椋厚志²，Sébastien Dubois³，Jordi Veirman³
•  休憩　17:00〜17:15
• 16多結晶Si太陽電池に対する近赤外光照射下でのAFM光熱分光測定東大生研¹，東大ナノ量子機構^{2 ○（D）}原　賢二¹，高橋琢二^1,2
• 17多結晶Siセルにおける深い準位の高速フォトルミネッセンス分光イメージング法JAXA宇宙研¹，明治大^{2 ○}岡山　太^1,2，田島道夫^1,2，豊田裕之¹，小椋厚志²
• 18レーザーテラヘルツエミッション顕微鏡による太陽電池特性の局所評価大日本スクリーン製造¹，阪大レーザー研^{2 ○}中西英俊¹，藤原昌悟²，高山和久²，川山　巌²，村上博成²，斗内政吉²
• 19急速温度サイクル試験による結晶シリコン系太陽電池モジュールの劣化検出エスペック¹，産総研² 青木雄一¹，岡本　学¹，増田　淳²，土井卓也²，^○棚橋紀悟¹
• 20太陽電池モジュールにおける水蒸気浸入経路の調査方法PVTEC¹，東レ²，産総研^{3 ○}宮下正範^1,2，河合信次³，増田　淳³
• 21経年使用シリコン系太陽電池モジュールの劣化評価東レリサーチセンター¹，産業技術総合研究所^{2 ○}松田景子¹，坂口晃一¹，吉川正信¹，増田　淳²，土井卓也²
• 22屋外曝露した太陽電池モジュールの劣化評価日立化成¹，東レ²，デュポン³，エスペック⁴，レーザーテック⁵，積水化学⁶，東洋紡⁷，岐阜大⁸，産総研^{9 ○}清水成宜¹，荒井　崇²，佐川友彦³，青木雄一⁴，平川琢己⁵，平川宏至⁶，濱本史郎⁷，阪本貞夫⁸，土井卓也⁹，増田　淳⁹，山道正明⁹

18a-B10 - 1〜11

• 1｢講演奨励賞受賞記念講演｣（15分）
  低屈折率n型微結晶SiO_X:H薄膜によるアモルファスSi/微結晶Siタンデム太陽電池の高効率化東工大院理工¹，東工大PVREC^{2 ○}藤丘英明¹，Bancha Janthong¹，Porponth Sichanugrist¹，小長井誠^1,2
• 2Si基板上にスパッタエピタキシャル成長されたGe層の光吸収特性島根大総合理工 ^○杉原圭祐，松本章広，葉　文昌
• 3スパッタエピ成長Ge膜の伝導率制御島根大総合理工 ^○松本章広，葉　文昌
• 4結晶Si/a-Si:H(Cl)/PEDOT:PSSへテロ接合太陽電池に関する研究埼玉大理工研 ^○越野秀人，今井祐紀，小野正浩，猪野智久，上野啓司
• 5不純物濃度低減を目指したInGaP上伸張歪Ge薄膜の成長と評価東工大院理工¹，東工大PVREC^{2 ○}山下明矩¹，星名　豊¹，田所宏太郎¹，山田　明^1,2
• 6シリコンナノワイヤアレイの支持基板からの引き剥がしおよび光学特性評価東工大¹，東工大太陽光発電システム研セ²，JST-さきがけ³，日産総研^{4 ○（M1）}渡邊裕也¹，加藤慎也¹，黒川康良^1,3，山田　明^1,2，太田最実⁴，丹羽勇介⁴，廣田正樹⁴
•  休憩　10:30〜10:45
• 7ワイドギャップナノ結晶シリコン層の光起電特性農工大院工 ^○（D）Romain Mentek，Bernard Gelloz，筆宝大平，越田信義
• 8KFMによるa-Si:H系薄膜太陽電池の表面電位評価岐阜大工 ^○（M1）伊藤貴紀，酒井崇志，守谷勇樹，栗山　寛，伊藤貴司，夏原宗大，野々村修一
• 9Si薄膜太陽電池成膜プロセスの量子分子動力学法による解析東北大院工 ^○（M1）桑原卓哉，伊藤　寿，樋口祐次，尾澤伸樹，島崎智実，久保百司
• 10SiH₄/H₂系VHFプラズマシミュレーション技術の開発パナソニック ^○片山博貴，成瀬陽子，吉田　功，綾洋一郎，寺川　朗，井関正博
• 11微結晶シリコン太陽電池における表面ラフネスの発電特性への影響阪大院基礎工¹，JST-CREST^{2 ○}傍島　靖^1,2，佐田千年長^1,2，松田彰久^1,2，岡本博明^1,2
•  昼食　12:00〜13:00

18p-B10 - 1〜8

• 1局所ネットワーク構造によるa-SiC:H光学定数の変化岐阜大 蔭山翔太，松木伸行，^○藤原裕之
• 2分光エリプソメトリーを利用した大面積a-Si:Hモジュールの太陽電池特性評価岐阜大¹，大日本スクリーン製造² 蔭山翔太¹，赤川真隆¹，佐合佑一朗¹，松木伸行¹，山口真二^1,2，杉本克雄²，^○藤原裕之¹
• 3高V_OCと高I_SCを両立するテクスチャ形状の設計指針パナソニック ^○兼松大二，矢田茂郎，北原明直，綾洋一郎，寺川　朗，井関正博
• 4W-textured ZnO付ソーダライムガラス基板を用いたタンデム型Si薄膜太陽電池の高効率化東工大院理工¹，東工大太陽光発電システム研究センター^{2 ○}守谷勇樹¹，Aswin Hongshingthong¹，Porponth Sichanugrist¹，小長井誠^1,2
• 5光散乱体導入による薄膜シリコン太陽電池の高電流化産総研太陽光センター ^○布村正太，近藤道雄
• 6高ヘイズなスパッタZnO基板を用いた薄膜Si太陽電池の高効率化東工大院理工¹，東工大PVREC²，東ソー^{3 ○}藍野健大¹，Aswin Hongsingthong¹，Porponth Sichanugrist¹，小長井誠^1,2，倉持豪人³，秋池　良³，飯草仁志³，玉野公章³，渋田見哲夫³
• 7波長スプリッティング型薄膜太陽電池の開発東工大¹，太陽光発電システム研究センター^{2 ○（B）}高橋史哲¹，笠嶋俊介¹，金　信愛¹，平井義晃¹，Sichanugrist Porponth¹，山田　明^1,2，小長井誠^1,2
• 8低倍率集光型a-SiO:H/a-Si:H//CIGS 四端子タンデム薄膜太陽電池東工大院理工¹，太陽光発電システム研究センター^{2 ○（M2）}木暮亮太郎¹，笠嶋俊介¹，平井義晃¹，Sichanugrist Porponth¹，山田　明^1,2，小長井誠^1,2