6. 薄膜・表面

17p-F3 - 1〜16

• 1同位体濃縮したダイヤモンド薄膜中のNVセンターのスピンコヒーレンス時間物材機構¹，ウルム大²，筑波大^{3 ○}寺地徳之¹，谷口　尚¹，小泉　聡¹，渡邊賢司¹，カイ ヤーンケ²，ボリス ナイデノフ²，フェド イエルツコ²，磯谷順一³
• 2ダイヤモンドへの低エネルギーイオン注入による発光センターの作製早大理工¹，早大高等研²，物材研³，筑波大^{4 ○}小松原彰¹，堀　匡寛¹，熊谷国憲¹，谷井孝至¹，寺地徳之³，磯谷順一⁴，品田賢宏²
• 3同位体ダイヤモンド超格子のラマン散乱産総研ダイヤ¹，徳島大²，産総研先進パワエレ^{3 ○}渡邊幸志¹，富田卓朗²，中島信一³，加藤有香子¹，鹿田真一¹
• 4ハニカム状Scaffoldに堆積させたDLC膜の生体適合性評価東京電機大¹，物材機構^{2 ○（B）}新井健司¹，大越康晴¹，平栗健二¹，深田直樹²
• 5DLC膜の細胞親和性の作製方法依存性東京電機大¹，三共製作所²，ナノテック³，長岡技術科学大⁴，物材機構^{5 ○}木村洋裕¹，日比野麻衣¹，大越康晴¹，アズラン アズヒム¹，増子貞光²，平塚傑工³，中森秀樹³，斉藤秀俊⁴，平栗健二¹，深田直樹⁵，福井康裕¹
• 6細胞挙動性評価におけるa-C:H被膜への窒素添加効果電機大理工¹，電機大工^{2 ○}大越康晴¹，和田知明¹，野中一洋¹，平栗健二²，舟久保昭夫¹，福井康裕¹
• 7フッ素添加アモルファス炭素膜上に静電相互作用で吸着したγ-グロブリン量の評価長岡技大 竹田　葵，^○赤坂大樹，大塩茂夫，斎藤秀俊
• 8フラーレンへの電子線照射によるグラフェンの形成と評価熊本大院自然科学¹，熊本大^{2 ○}松川誠也¹，鈴島祐希²，久保田弘¹
•  休憩　15:30〜15:45
• 9｢薄膜・表面分科内招待講演｣（15分）
  DLC膜のスクラッチ試験によるはく離評価産総研 ^○大花継頼，呉　行陽，中村挙子
• 10プラズマイオン注入・成膜法で作製した多層構造DLC膜の摩擦特性金沢工大高材研 ^○佐々木賢志，湯尾信也，泉　智貴，山本祐樹，池永訓昭，作道訓之
• 11水素含有および水素フリーDLC膜の加熱に伴う構造変化豊橋技科大¹，伊藤光学²，オンワード技研^{3 ○（M1）}角口公章¹，奥田浩史¹，柏木大幸¹，田上英人¹，須田善行¹，滝川浩史¹，神谷雅男²，瀧　　真³，長谷川祐史³，石川剛史⁴，辻　信広³
• 12水素フリー高密度DLC膜のパターニング，単離およびハンドリング豊橋技科大¹，舞鶴高専²，エリオニクス³，伊藤光学工業⁴，オンワード技研⁵，日立ツール^{6 ○}田上英人¹，柏木大幸¹，奥田浩史¹，須田善行¹，滝川浩史¹，川島貴弘¹，柴田隆行¹，清原修二²，田口佳男³，杉山嘉也³，小俣有紀子³，神谷雅男⁴，瀧　　真⁵，長谷川祐史⁵，辻　信広⁵，石川剛史⁶
• 13複雑形状へのテクスチャーDLC膜の作成東工大院¹，iMott^{2 ○（D）}高島　舞¹，神沢　圭¹，松尾　真²，松尾　誠²，岩本喜直²，大竹尚登¹
• 14パルスSMP放電による電界放出用a-CNx:H膜の作製静大電子研 ^○木下治久，田中純雄
• 15低速電子線誘起反応と低温トンネル反応によるa-SiCx:Hの極低温合成山梨大クリーンエネ研¹，山梨大クリスタル研^{2 ○}山田竜太郎¹，小林直樹¹，胡　雪冰¹，佐藤哲也¹，有元圭介²，山中淳二²，中川清和²
• 16軟Ｘ線吸収法によるスパッタc-BN薄膜の成長過程の観測兵庫県大高度研¹，兵庫県立大院工^{2 ○}新部正人¹，小高拓也¹，堀　聡子²，井上尚三²

17a-GP5 - 1〜10

• 1ホウ素ドープ単結晶CVDダイヤモンドの高濃度ドープ領域における特性評価II阪大院工 ^○森玲央奈，毎田　修，伊藤利道
• 2ダイヤモンドショットキー電極電位の光電子分光法による決定青学大理工¹，トウプラスエンジニアリング^{2 ○}河野省三¹，小黒一希¹，鈴木琢也¹，知野大仁¹，市川公善¹，鈴木一博²，児玉英之¹，澤邊厚仁¹
• 3ダイヤモンド・ナノマシンスイッチ：シミュレーションと実験の比較物材機構 ^○廖　梅勇，菱田俊一，井村将隆，小泉　聡，小出康夫
• 4酸素雰囲気におけるDLC膜の軟X線照射効果兵庫県立大¹，神戸大^{2 ○（B）}藤本昌宏¹，新部正人¹，神田一浩¹，横田久美子²，田川雅人²
• 5プラズマCVD法により作製したDLC薄膜の化学構造解析広島大院・先端研 ^○山根大典，本山裕彬，坂上弘之，鈴木　仁，高萩隆行
• 6水素化アモルファス炭素膜の作製手法による耐酸性の比較長岡技大 ^○佐々木康志，竹田　葵，鈴木常生，大塩茂夫，赤坂大樹，齋藤秀俊
• 7Arの電子サイクロトロン共鳴プラズマにおけるC₂H₂の解離励起長岡技科大 ^○伊藤治彦
• 8Study of phosphorus incorporated DLC films grown by CVD technique徳島大ATS¹，徳島大STS^{2 ○}崔　允禎¹，藤本拓生¹，堀江郁哉¹，直井美貴^1,2，酒井士郎^1,2
• 9窒化炭素の固体高分解能NMR岡山理科大¹，京大化学研究所²，近畿大^{3 ○}河村幸代¹，福地将志²，松井英雄³，梶　弘典²，財部健一¹
• 10SiおよびAl上に液相合成法を用いて堆積させた窒化炭素膜の組成評価東海大 ^○東　幹晃，清田英夫，黒須楯生，千葉雅史

18a-F3 - 1〜11

• 1複屈折像によるCVDダイヤモンドの局所的応力評価産総研ダイヤラボ ^○加藤有香子，梅沢　仁，鹿田真一
• 2高速横方向成長によるヘテロエピタキシャルダイヤモンド膜形成青学大理工¹，トウプラスエンジニアリング^{2 ○}木村清貴¹，児玉英之¹，鈴木一博²，河野省三¹，澤邉厚仁¹
• 3熱処理α-Al₂O₃(1120)へのエピタキシャルIr薄膜成長青学大¹，トウプラスエンジニアリング²，並木精密宝石^{3 ○}先崎孝志¹，児玉英之¹，鈴木一博²，古滝敏郎³，河野省三¹，澤邊厚仁¹
• 4ヘテロエピタキシャルダイヤモンド成長のためのIr(100)/MgOへの低エネルギー炭素イオン照射阪大院¹，富士通研究所^{2 ○}井谷　司^1,2，山崎一寿²，伊藤智子¹，唐橋一浩¹，浜口智志¹
• 5多結晶ダイヤモンド基板上へのBiFeO₃薄膜の作製と高温特性評価金沢大院自然¹，金沢大理工²，東理大理³，物材機構^{4 ○}川崎寛樹¹，川江　健²，中嶋宇史³，徳田規夫²，高野義彦⁴，岡村総一郎³，森本章治²
• 6p型超ナノ微結晶ダイヤモンド/水素化アモルファスカーボン混相膜の深紫外線受光九大総理工 ^○大曲新矢，吉武　剛
•  休憩　10:30〜10:45
• 7水素終端ダイヤモンド表面に吸着した無機分子によるホールドープ機構の解明筑波大数理¹，CREST²，筑波大計科セ³，佐賀大工⁴，NTT基礎研^{5 ○（PC）}高木祥光^1,2，白石賢二³，嘉数　誠⁴，佐藤寿志⁵
• 8Al₂O₃パッシベーションにより熱的安定化した水素終端ダイヤモンドFETNTT物性研¹，佐賀大院工^{2 ○}平間一行¹，佐藤寿志¹，嘉数　誠²
• 9原子層堆積(ALD)法によるAl₂O₃膜を用いた水素終端ダイヤモンド表面のパッシベーション早大理工 ^○大長　央，佐藤隼介，小林拓磨，野村　亮，平岩　篤，川原田洋
• 10NO2吸着水素終端ダイヤモンド表面の熱的安定化と高温域の電気的特性佐賀大院工¹，NTT物性研^{2 ○}嘉数　誠¹，佐藤寿志²
• 11MBE-AlN膜下のダイヤモンド表面の電気物性早大理工 ^○横山悠樹，鹿又龍介，宇都宮大起，平岩　篤，川原田洋
•  昼食　12:00〜13:00

18p-F3 - 1〜8

• 1｢講演奨励賞受賞記念講演｣（15分）
  ヘテロエピタキシャルダイヤモンドの横方向成長過程における応力変化青学大理工¹，トウプラス²，物材機構³，並木精密宝石^{4 ○}鷲山　瞬¹，吉川太朗¹，児玉英之¹，寺地徳之³，鈴木一博²，古滝敏郎⁴，河野省三¹，澤邊厚仁¹
• 2ボロンドープダイヤモンドの不純物バンド東海大総合理工 ^○太田優一，犬島　喬
• 3酸素終端ボロンドープ薄層をチャネルに用いたダイヤモンドMOSFET早大 ^○成尾智也，小野　祐，横山悠樹，平岩　篤，川原田洋
• 4リンドープCVDダイヤモンド薄膜の光伝導日大文理¹，産総研^{2 ○}溝川　涼¹，森真奈美¹，村山和郎¹，加藤宙光²，山崎　聡²，大串秀世²
• 5高濃度Pドープダイヤモンド薄膜における電荷輸送筑波大¹，産総研²，CREST^{3 ○（D）}松本　翼^1,2,3，加藤宙光^2,3，大串秀世^2,3，山崎　聡^1,2,3
• 6ダイヤモンドの高密度電子正孔状態からの発光スペクトルの指数テイル日大文理 ^○（M1）夏井　嶺，小網　光，村山和郎
• 7n型ダイヤモンド半導体の選択成長を適用した横型p-nダイオード東工大¹，産総研エネ²，CREST(JST)³，ALCA(JST)^{4 ○}都築康平¹，加藤宙光^2,3，牧野俊晴^2,3，小倉政彦^2,3，星野雄斗^1,4，岩崎孝之¹，山崎　聡^2,3，波多野睦子^1,4
• 8ダイヤモンドの負性電子親和力を応用した真空パワースイッチ産総研エネ¹，ALCA(JST)²，CREST(JST)³，筑波大^{4 ○}竹内大輔^1,2,3，牧野俊晴^1,2,3，加藤宙光^1,2,3，大串秀世^1,2,3，山崎　聡^1,2,3,4