
6. 薄膜・表面
16p-GP2 - 1〜15
- 1VDF/TeFE共重合体薄膜の構造ならびに強誘電性に対する熱処理の効果東理大理1,小林理研2 ○中川佑太1,石井 肇1,中嶋宇史1,古川猛夫2,岡村総一郎1
- 2P(VDF-TrFE)薄膜における結晶化が電気特性に及ぼす影響阪府大工 ○谷地宣紀,吉村 武,藤村紀文
- 3P(VDF-TrFE)薄膜およびクロコン酸薄膜における強誘電性の調査九大シ情 ○廣中陽一,池田晃裕,浅野種正
- 4La-SrTiO3基板上に成膜されたBiFeO3-BiCoO3固溶体エピタキシャル薄膜の構造評価東理大1,広大院理2 ○伊藤正樹1,曽根圭太1,馬込栄輔2,中嶋宇史1,岡村総一郎1
- 5YbFe2O4エピタキシャル薄膜の磁気輸送特性阪府大 ○(B)増田佑介,湯川博喜,吉村 武,芦田 淳,藤村紀文
- 6Bi4-xLaxTi3O12薄膜の結晶化と光学特性福岡大院・理1,福岡大・理2 豊田忠史1,田尻恭之2,○香野 淳2
- 7その場レーザー光照射によるBi-Mg-Ti-O系薄膜の作製兵庫工技セ1,阪府大院工2 ○泉 宏和1,氏本勝也2,吉村 武2,藤村紀文2
- 8ゾルゲル法による結晶性KTa1-xNbxO3 薄膜の形成情通研1,電機大工2 ○(M1C)野部裕介1,2,山本直克1,赤羽浩一1,川西哲也1,高井裕司2
- 9ZnOチャネル上へのナノギャップ電極の形成と伝導特性評価阪府大院工 ○(M1)野村侑平,山田裕明,吉村 武,藤村紀文
- 10Epitaxial growth and properties of PLZT thin films deposited on AZO films on SrTiO3 substrate東工大院理工 ○ジョンミン オ,保科拓也,武田博明,鶴見敬章
- 11上部金属電極を伴った強誘電体薄膜の反射スペクトル解析東理大理1,スタンレー電気2 ○太原充啓1,四十物孝憲2,中嶋宇史1,安田喜昭2,岡村総一郎1
- 12ITOバッファ層を用いたSi基板上PZT,PLZT薄膜の作製と評価金沢大院電子情報 ○松本真輝,江渕真伍,丸山武男,飯山宏一
- 13コンビナトリアル成膜によるPZT薄膜の圧電特性の組成依存性評価京大院工1,神大院工2 ○(M1)冨岡宏平1,横川隆司1,神野伊策2,小寺秀俊1
- 14強誘電体MEMS振動発電素子の試作とモデリング大阪府立大1,大阪府立産技研2 ○宮渕弘樹1,吉村 武1,村上修一2,藤村紀文1
- 15ステンレス基板上PZT薄膜によるMEMS振動発電素子の作製神大院工 ○辻浦裕一,神野伊策
17a-F5 - 1〜11
- 1「第2回女性研究者奨励育成貢献賞(小舘香椎子賞)受賞記念講演」(30分)
溶液法を用いた機能性酸化物薄膜集積化デバイスの開発産総研 ○加藤一実
- 2BaTiO3/SrTiO3ナノキューブ規則配列領域における電気的特性産総研1,慶應大2,山梨大3,物材機構4,九州大5 ○(P)三村憲一1,加藤一実1,今井宏明2,和田智志3,羽田 肇4,桑原 誠5
- 3引張り歪みを有する(111)エピタキシャル(Ba,Sr)TiO3薄膜の面内および面外の誘電応答名古屋大1,東工大2,EPFL3 ○山田智明1,多久和至2,舟窪 浩2,Alexander Kvasov3,Alexander Tagantsev3,吉野正人1,長崎正雅1
- 4Evaluation of Piezoelectric Properties of Al/AlN/Si Stack Structure for CMOS compatible MEMS阪府大院工1,imec2,KU Leuven3 ○(DC)氏本勝也1,2,Cherman Vladimir2,Ingrid De Wolf2,3,Bert Du Bois2,Simone Severi2,Madhu Jambunathan2,Devrez Karabacak2,吉村 武1,藤村紀文1
- 5二段階MOCVDによるZnOナノロッドの作製と強誘電体ナノロッドへの応用兵庫県大・工 ○小林千晃,伊美泰徳,藤沢浩訓,中嶋誠二,清水 勝
- 休憩 10:30〜10:45
- 6200mmウエハ対応自動ゾルゲル装置によるPZT薄膜の形成産総研1,大日本印刷2 ○小林 健1,瓜生敏史2,牧本なつみ1,伊藤寿浩1,前田龍太郎1
- 7ナノシート界面層を利用したPb(Zr,Ti)O3薄膜の選択配向成長上智大理工1,東工大物創2 峰村佳輝1,近藤陽太1,安井伸太郎2,舟窪 浩2,○内田 寛1
- 8CaF2基板上の作製したエピタキシャルPb(Zr,Ti)O3膜の結晶構造および強誘電特性のZr/(Zr+Ti)比依存性東工大1,ブルカーAXS2,名大3 ○江原祥隆1,安井伸太郎1,森岡 仁2,山田智明3,舟窪 浩1
- 9電界印加に伴うPb(Zr,Ti)O3膜の結晶構造変化の解析東工大1,理科大2,防衛大3,産総研4,ブルカーAXS5 ○和田亜由美1,江原祥隆1,安井伸太郎1,中島光雅1,和田芽句1,谷口博基1,伊藤 満1,岡村総一郎2,西田 謙3,山本 孝3,和田亜由美1,江原祥隆1,安井伸太郎1,中島光雅1,和田芽句1,谷口博基1,伊藤 満1,岡村総一郎2,西田 謙3,山本 孝3,小林 健4,森岡 仁5,舟窪 浩1
- 10強誘電体薄膜におけるリーク電流の時間緩和に関する研究東理大・理1,スタンレー電気2 ○峰島達幸1,四十物孝憲2,中嶋宇史1,安田喜昭2,岡村総一郎1
- 11AFMを用いたPbTiO3ナノ島の分極量の評価兵庫県大工 ○井川将志,山田耕生,中嶋誠二,藤沢浩訓,清水 勝
18a-F5 - 1〜11
- 1「講演奨励賞受賞記念講演」(15分)
パルスレーザ堆積法で形成した(Ag1-xLix)NbO3薄膜の特性評価龍大理工 ○山添誠司,山本 優,和田隆博
- 2電場印加による(Na,Li)NbO3薄膜の特異な強誘電特性挙動に関する研究龍谷大 ○(M1)小堀晃弘,山添誠司,和田隆博
- 3水熱合成エピタキシャル(K0.5Na0.5)NbO3膜のアニール温度依存東工大1,桐蔭横浜大2,上智大3,リガク4 ○白石貴久1,石河睦生1,2,安井伸太郎1,黒澤 実1,内田 寛3,平山泰生4,舟窪 浩1
- 4CaZrO3固溶量がMnドープ(K,Na)NbO3-CaZrO3薄膜の電気的特性に及ぼす影響名大エコトトピア研1,産総研つくば2 ○坂本 渉1,松田 巧1,Bong-Yeon Lee2,守谷 誠1,飯島高志2,余語利信1
- 5強誘電性PVDF薄膜の結晶化に及ぼす基板の効果東理大理 ○森本崇史,中嶋宇史,岡村総一郎
- 6フッ化ビニリデン系高分子強誘電体薄膜の高速分極反転特性東理大理1,小林理研2 ○石井 肇1,中嶋宇史1,高橋芳行1,古川猛夫2,岡村総一郎1
- 休憩 10:30〜10:45
- 7Ptナノコロイドの電子線誘起反応を用いたPt電極パターン形成に関する研究東理大理 ○竹内良介,中嶋宇史,岡村総一郎
- 8超臨界製膜を用いたFeRAM用酸化膜電極形成東京大工 ○鄭 珪捧,百瀬 健,霜垣幸浩
- 9強誘電体ゲートTFTにおけるチャネル形成時の分極反転伝播パナソニック先端研1,東工大2 ○金子幸広1,西谷 雄1,上田路人1,徳光永輔2,藤井映志1
- 10P(VDF-TeFE)/ZnOヘテロ構造の電子輸送特性のチャネル膜厚依存性阪府大・院工 ○山田裕明,吉村 武,藤村紀文
- 11SrBi4Ti4O15/CaBi4Ti4O15 BLSD薄膜キャパシタ素子における電気的特性京工繊工芸1,上智大理工2,東工大物創3 ○田原直也1,野村修平1,内田 寛2,山下 馨1,舟窪 浩3,野田 実1
- 昼食 12:00〜13:00
18p-F5 - 1〜8
- 1PLD法で作製したBi(Mg1/2Ti1/2)O3膜の特性東工大1,キヤノン2 ○(D)及川貴弘1,安井伸太郎1,渡邉隆之2,藪田久人2,福井哲朗2,舟窪 浩1
- 2一軸配向Bi(Zn1/2Ti1/2)O3系圧電体薄膜の作製と圧電性評価東工大1,上智大2,キヤノン3 ○(P)安井伸太郎1,及川貴弘1,長田潤一1,内田 寛2,渡邉隆之3,薮田久人3,三浦 薫3,黒澤 実1,舟窪 浩1
- 3斜方晶構造に歪んだ(Na,Bi)TiO3-BaTiO3エピタキシャル薄膜の巨大圧電特性パナソニック先端研 ○田中良明,張替貴聖,上田路人,足立秀明,藤井映志
- 4RFプレーナマグネトロンスパッタ法を用いたエピタキシャルBiFeO3薄膜の作製兵庫県大工1,阪大院基礎工2,阪大ナノサイエンスデザイン教育研究センター3 ○高田祐介1,中川豪文1,中嶋誠二1,藤沢浩訓1,小舟正文1,朴 正敏2,金島 岳2,奥山雅則3,清水 勝1
- 5磁場中PLD法によるエピタキシャルBiFeO3薄膜の作製と評価阪大院基礎工1,阪大ナノサイエンスデザイン教育研究センター2,兵庫県大工3 ○Jungmin Park1,中嶋誠二3,寒川雅之1,金島 岳1,奥山雅則2
- 6格子歪を用いたBiFeO3エピタキシャル薄膜の正圧電特性の増幅阪府大院工 ○(DC)氏本勝也,吉村 武,藤村紀文
- 7エピタキシャルBiFeO3-CoFe2O4コンポジット薄膜の構造、電気、磁気特性評価東理大1,東北大2 ○曽根圭太1,伊藤正樹1,永沼 博2,中嶋宇史1,岡村総一郎1
- 8ホイスラー/強誘電体積層構造のマルチフェロイック特性名大 小林耕平,○鈴木亮佑,宮脇哲也,植田研二,浅野秀文