15. 結晶工学

16a-F11 - 7〜11

•  1〜6　9:00〜10:30（15.7 エピタキシーの基礎）
•  休憩　10:30～10:45
• 7圧縮歪みSi/Si_1-XC_X/Si(100)ヘテロ構造の形成と評価山梨大クリスタル研¹，東北大金研²，東京都市大総研^{3 ○}酒井翔一朗¹，古川洋志¹，有元圭介¹，山中淳二¹，中川清和¹，宇佐美徳隆²，星　裕介³，澤野憲太郎³，白木靖寛³
• 8(110)傾斜基板上に形成した歪みSiの電子移動度と結晶性との関係山梨大クリスタル研¹，東北大金研²，東京都市大総研^{3 ○}中澤拓希¹，有元圭介¹，山中淳二¹，中川清和¹，宇佐美徳隆²，星　裕介³，澤野憲太郎³，白木靖寛³
• 9SiGe/Si(110)ヘテロ構造の正孔移動度測定山梨大クリスタル研¹，東京都市大総研^{2 ○}小幡智幸¹，有元圭介¹，山中淳二¹，中川清和¹，星　裕介²，澤野憲太郎²，白木靖寛²，古川洋志¹
• 10MBE法によるSi(001)基板上高均一Ge自己形成量子ドットの作製東工大¹，産総研^{2 ○（M1）}後藤和泰^1,2，大島隆治²，坂田　功²，松原浩司²，近藤道雄^1,2
• 11SiC層中埋め込みGe・SiCナノドットの低温発光特性長岡技科大工 ^○姉崎　豊，谷川世大，加藤有行，豊田英之，加藤孝弘，安井寛治
•  昼食　12:00〜13:30

16p-F11 - 1〜19

• 1B添加CZ-Siのホウ素ー酸素対形成に対するGe添加効果静岡大電子研¹，東北大金研²，東京工大^{3 ○}Arivanandhan Mukannan¹，後藤頼良²，藤原航三²，宇田　聡²，早川泰弘¹，小長井誠³
• 2シリコン(001)上のマンガンシリサイド細線構造の電子状態物材機構¹，筑波大数理物質科学²，ジュネーブ大^{3 ○}三木一司^1,2，H.J. Liu^1,2，J.H.G. Owen^1,3
• 3水素ラジカルによる選択加熱現象を利用したSi_1-XGe_X薄膜形成技術山梨大¹，SST²，東京都市大^{3 ○}荒井哲司¹，川口裕樹¹，中村浩之¹，有元圭介¹，山中淳二¹，佐藤哲也¹，中川清和¹，高松利行²，澤野憲太郎³，星　裕介³，白木靖寛³
• 4下地導電膜の選択によるAl誘起結晶化Si薄膜の(100),(111)方位制御筑波大院¹，東北大金研²，JST-CREST³ 岡田淳史¹，^○都甲　薫¹，宇佐美徳隆^2,3，原　康祐²，末益　崇^1,3
• 5Au誘起層交換成長法による大粒径Ge(111)結晶/絶縁膜の形成: 界面酸化膜挿入効果九大・院システム情報¹，学振特別研究員^{2 ○}朴ジョンヒョク¹，鈴木恒晴¹，黒澤昌志^1,2，宮尾正信¹，佐道泰造¹
• 6溶融横方向成長による傾斜構造GeSn/絶縁膜の形成九大院シス情¹，学振特別研究員^{2 ○}黒澤昌志^1,2，東條友樹¹，松村　亮¹，宮尾正信¹
• 7急速加熱処理によるGe_1-xSn_x層の低温エピタキシャル成長阪大院工 ^○荻原伸平，片岡伸文，鈴木雄一朗，細井卓治，志村考功，渡部平司
•  休憩　15:15〜15:30
• 8Si(110)基板上におけるGeおよびGe_1-xSn_xヘテロエピタキシャル成長名大院工¹，学振特別研究員^{2 ○}木戸脇翔平¹，浅野孝典¹，志村洋介^1,2，中塚　理¹，財満鎭明¹
• 9ヘテロエピタキシャルGe_1-xSn_x中のGa活性化に及ぼすSnの効果名大院工¹，学振特別研究員²，imec³，CAPRES A/S⁴，Tech. Univ. of Denmark^{5 ○}志村洋介^1,2，中塚　理¹，Benjamin Vincent³，Gencarelli Federica³，Trudo Clarysse³，Wilfried Vandervorst³，Matty Caymax³，Roger Loo³，Ane Jensen⁴，Dirch Petersen⁵，財満鎭明¹
• 10超高Sn組成Ge_1-xSn_x層の光学特性評価名大院工¹，学振特別研究員^{2 ○}中村茉里香¹，志村洋介^1,2，竹内和歌菜¹，中塚　理¹，財満鎭明¹
• 11ナノコンタクトエピタキシーによるSi(111)基板上Ge薄膜の形成と発光特性阪大院基礎工¹，さきがけ-JST² 田中一樹¹，^○中村芳明^1,2，五十川雅之¹，吉川　純¹，酒井　朗¹
•  休憩　16:30〜16:45
• 12SiGeミキシング誘起溶融法における成長流の可視化 -SiGe偏析の活用-九大・院システム情報¹，学振特別研究員^{2 ○}東條友樹¹，松村　亮¹，横山裕之¹，黒澤昌志^1,2，佐道泰造¹，宮尾正信¹
• 13溶融GOIの成長フロント衝突領域におけるコヒーレント格子整合九大¹，学振^{2 ○}佐道泰造¹，黒澤昌志^1,2，加藤立奨¹，東條友樹¹，大田康晴¹，都甲　薫¹，宮尾正信¹
• 14溶融成長法による面方位ハイブリッドGOI構造の創製　〜Si基板上へのGe(100), (110), (111)混載〜九大院シス情¹，学振特別研究員^{2 ○}黒澤昌志^1,2，佐道泰造¹，宮尾正信¹
• 15絶縁膜上における燐(P)ドープした非晶質Geの溶融成長九大・院システム情報 ^○横山裕之，松村　亮，モハマッド アニスッザマン，佐道泰造，宮尾正信
• 16溶融SiGe成長による濃度傾斜型SGOI構造の形成 -成長速度と偏析現象-九大･院システム情報¹，学振特別研究員^{2 ○}松村　亮¹，東條友樹¹，横山裕之¹，黒澤昌志^1,2，佐道泰造¹，宮尾正信¹
• 17全率固溶型SiGe混晶におけるシードレス溶融成長九大・院システム情報¹，学振^{2 ○}加藤立奨¹，黒澤昌志^1,2，横山裕之¹，佐道泰造¹，宮尾正信¹
• 18溶融成長法によるSGOI(SiGe on Insulator)多段構造の形成 -Ge/SiO₂/SiGe/SiN/Si(100)構造-九大・院システム情報¹，学振特別研究員^{2 ○}東條友樹¹，横山裕之¹，松村　亮¹，黒澤昌志^1,2，佐道泰造¹，宮尾正信¹
• 19レーザーアニール法によるGOI(Ge on Insulator)構造の形成九大・院システム情報¹，学振特別研究員²，兵庫県立大院工^{3 ○}横山裕之¹，東條友樹¹，黒澤昌志^1,2，佐道泰造¹，部屋　彰³，松尾直人³，宮尾正信¹

17a-DP4 - 1〜5

• 1X線透過法によるGe融液中へのSi溶解過程のその場観察静岡大電子研¹，大阪大²，静岡理工科大³，宇宙航空研究開発機構⁴，アンナ大^{5 ○}Omprakash Muthusamy¹，Arivanandhan Mukannan¹，森井久史¹，青木　徹¹，小山忠信¹，百瀬与志美¹，田中　昭¹，池田浩也¹，立岡浩一¹，岡野泰則²，小澤哲夫³，稲富裕光⁴，Sridharan Moorthy Babu⁵，早川泰弘¹
• 2圧縮歪みGeチャネル変調ドープ構造の磁気輸送特性東京都市大総研¹，東大生研²，東北大金研^{3 ○}星　裕介^1,2，守谷　頼²，澤野憲太郎¹，宇佐美徳隆³，町田友樹²，白木靖寛¹
• 3スパッタエピタキシー法で作製したSiGe系p型DCFET農工大院工 ^○吉川満大，須田良幸
• 4導波路結合型変調器作製のためのゲルマニウム選択成長の研究東大工 ^○水野泰孝，畔柳　亮，石川靖彦，和田一実
• 5Si(110)基板上に形成したSiGe nMOSFETの電子移動度の評価山梨大クリスタル研¹，東京都市大総研^{2 ○（B）}井門賢輔¹，小幡智幸¹，有元圭介¹，山中淳二¹，中川清和¹，星　裕介²，澤野憲太郎²，白木靖寛²