11. 超伝導

16a-B1 - 1〜11

• 1表面粗さの異なる Al 合金基板上への MgB₂ 薄膜の作製京大¹，日立日立研^{2 ○}常松裕史¹，土井俊哉¹，三宅正男¹，平藤哲司¹，田中和英²，一木洋太²，岡本和孝²
• 2デカボラン(B₁₀H₁₄)の熱分解を用いた超高品質MgB₂薄膜の成長 (3)農工大 ^○山崎圭介，西雪和樹，内藤方夫
• 3MgB₂を用いたジョセフソン接合の作製農工大院工 ^○相原将人，木村良介，新原佳紘，内藤方夫
• 4MOD法によるBi₂Sr₂CaCu₂O_8+δ/CeO₂/r-plane sapphire薄膜の作製と評価茨城大¹，情通機構²，山形大³，静岡大^{4 ○（M1）}鈴木渉太¹，島影　尚¹，川上　彰²，齊藤　敦³，武田正典⁴
• 5TFA-MOD法における１回塗り４．７μｍ仮焼膜東芝研究開発センター ^○荒木猛司，山田　紘，林真理子，福家浩之
• 6新しいピン止め構造を用いたPLD-YBCO超伝導薄膜の超伝導特性九工大¹，電中研²，名大³，広大^{4 ○（M1）}村山拓人¹，田中　敢¹，松本　要¹，一瀬　中²，吉田　隆³，パオロ メレ⁴
•  休憩　10:30〜10:45
• 7IBAD基板上に作製した人工ピン導入YBa₂Cu₃O_7-x薄膜の超伝導特性九工大¹，超工研² 中川陽介¹，梶山慎治¹，^○（M1）河村武宏¹，松本　要¹，吉積正晃²，和泉輝郎²，塩原　融²
• 8BSOナノドットを導入したSmBCO積層膜の等方的磁束ピンニング特性名大¹，電中研²，九工大³，東北大^{4 ○}鶴田彰宏¹，一野祐亮¹，吉田　隆¹，松本　要³，一瀬　中²，淡路　智⁴
• 9PLD法により作製したGdBa₂Cu₃O_y厚膜中におけるBaHfO₃の電子線トモグラフィ法による3次元解析九大工¹，JFCC²，ISTEC^{3 ○}山田和広¹，西山武志¹，金子賢治¹，加藤丈晴²，飛田浩史³，和泉輝郎³，塩原　融³
• 10金属基板上に成膜されたREBa₂Cu₃O_7-d薄膜における格子定数の測定と内部ひずみの評価超電導工研 ^○宮田成紀，衣斐　顕，和泉輝郎，塩原　融
• 11改良型レーザースクライビングによる分割数向上の試み超電導工研 ^○町　敬人，中尾公一，田辺圭一
•  昼食　12:00〜13:30

16p-B1 - 1〜13

分科内シンポジウム：ここまで進んだ鉄系超伝導薄膜作製技術 16p-B1 - 1〜5
• 1｢超伝導分科内招待講演｣（30分）
  鉄系超伝導体の分子線エピタキシー成長農工大工¹，JST-TRIP²，東大工³，九大理^{4 ○}内藤方夫^1,2，上田真也^1,2，武田宗一郎^1,2，高野志郎^1,2，山本明保³，光田暁弘⁴
• 2｢超伝導分科内招待講演｣（30分）
  鉄系超伝導体BaFe₂As₂の薄膜成長とデバイス作製東工大応セラ研¹，超電導工研²，東工大 フロンティア研^{3 ○}平松秀典¹，片瀬貴義¹，石丸喜康²，塚本　晃²，神谷利夫¹，田辺圭一²，細野秀雄^1,3
• 3BaFe₂(As,P)₂超伝導薄膜のMBE成長と超伝導接合の作製名大工¹，名大シンクロトロン光研究センター²，JST-TRIP^{3 ○（M1）}坂上彰啓^1,3，川口昂彦^1,3，大野俊也^1,3，田渕雅夫^2,3，宇治原徹^1,3，竹田美和^1,3，生田博志^1,3
• 4PLD 法による BaFe₂(As,P)₂ 超伝導薄膜の作製超電導工研¹，成蹊大^{2 ○}安達成司¹，三浦正志^1,2，下出貴史¹，村井佑多¹，筑本知子¹，中尾公一¹，田辺圭一¹
• 5フッ化物基板上に MBE 成長した (Ba,K)Fe₂As₂ 薄膜農工大工¹，JST-TRIP²，九州大工^{3 ○}高野志郎^1,2，上田真也^1,2，武田宗一郎^1,2，菅原弘晃¹，光田暁弘³，内藤方夫^1,2
•  休憩　15:15〜15:30
• 6｢講演奨励賞受賞記念講演｣（15分）
  酸化物およびフッ化物基板上に作製した FeSe_1−xTe_x 薄膜の超伝導特性東大院総合¹，電中研²，名大工³，JST TRIP^{4 ○}今井良宗^1,4，秋池孝則^1,4，鍋島冬樹^1,4，花輪雅史^2,4，塚田一郎^2,4，一瀬　中^2,4，日影達夫³，川口昂彦^3,4，生田博志^3,4，前田京剛^1,4
• 7Fe系11型薄膜の基板界面における反応電中研¹，東大院総合²，九工大工³，名大工⁴，九大工⁵，JST TRIP^{6 ○}一瀬　中^1,6，塚田一郎¹⁶，花輪雅史^1,6，秋池孝則^2,6，鍋島冬樹^2,6，今井良宗^2,6，前田京剛^2,6，松本　要^3,6，吉田　隆^4,6，木須隆暢^5,6，向田昌志^5,6
• 8Fe-Te-Seエピタキシャル超電導薄膜の作成と特性評価九工大院¹，名大²，九大³，広大⁴，電中研⁵，JST-TRIP^{6 ○}算用子将弘¹，藤田康平¹，永芳宏昭¹，松本　要^1,6，吉田　隆^2,6，一野祐亮²，木須隆暢^3,6，向田昌志^3,6，パオロ メレ⁴，一瀬　中^5,6
• 9構造相変態法によるFeSe超伝導テープの作製と特性評価首都大東京¹，物材機構^{2 ○}井澤宏輝¹，水口佳一¹，尾崎壽紀²，高野義彦²，三浦大介¹
• 10Fe(Te_x,S_y)前駆体膜の固相エピタキシャル成長による薄膜作製九大¹，名大工^{2 ○}寺西　亮¹，吉本貴俊¹，藤井由隆¹，吉田　隆²，一野祐亮²，吉田　圭²，宗藤伸治¹
• 11磁気顕微法によるFe(Te_0.5Se_0.5)薄膜の面内J_c, T_c分布の評価九大院シス情¹，九工大²，名大³，電中研⁴，九大院材工⁵，JST-TRIP^{6 ○}木須隆暢^{1, 6}，東川甲平^{1, 6}，井上昌睦^{1, 6}，松本　要^{2, 6}，吉田　隆^{3, 6}，一瀬　中^{4, 6}，向田昌志^{5, 6}
• 12スコッチテープ法で作製された鉄系超伝導体FeTe_1-xSe_x薄膜物材機構¹，JST-TRiP²，筑波大³，首都大電気電子^{4 ○}岡崎宏之^1,2，渡辺　徹^1,3，山口尚秀^1,2，川崎保名^1,2,3，出口啓太^1,2,3，出村郷志^1,2,3，尾崎壽紀^1,2，水口佳一^2,4，竹屋浩幸^1,2，高野義彦^1,2,3
• 13Ca-RE-Fe-As系多結晶における超伝導特性の向上東大工¹，JST-TRIP^{2 ○}焼田裕之^1,2，荻野　拓^1,2，山本明保^1,2，林雄二郎¹，岸尾光二^1,2，下山淳一^1,2

17p-GP6 - 1〜4

• 1フラーレンナノウィスカーの超伝導化物材機構 ^○高野義彦，竹屋浩幸，山口尚秀，加藤良栄，宮澤薫一
• 2フラーレンナノウィスカー新超伝導炭素素材物材機構 ^○宮澤薫一，加藤良栄，竹屋浩幸，山口尚秀，高野義彦
• 3LbL法によるPDDA/Bi2212多層膜作製阪電通大 ^○（M2）出口達樹，岩崎雅司，榎本博行
• 4溶融水酸化物法による高T_c RE124膜の作製島大総理工 ^○舩木修平，中山文也，山田容士